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투명기판과;상기 투명기판 표면의 적어도 일부에 형성된 투명저항소자를 포함하고,상기 투명저항소자는 티타늄산화물을 포함하며,상기 투명저항소자는 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율이 상기 투명기판의 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율보다 더 높은 것을 특징으로 하는 투명전기발열체
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제 1항에 있어서, 상기 투명저항소자에 포함되는 티타늄산화물은 TiOx(0003c#x≤2)인 것을 특징으로 하는 투명전기발열체
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제 1항에 있어서, 상기 투명저항소자의 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율은 85%이상이고, 상기 투명기판의 380∼770㎚의 광(光) 파장대에서의 광투과율은 80%이상인 것을 특징으로 하는 투명전기발열체
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제 1항 또는 제 4항에 있어서, 상기 투명저항소자는 고유저항이 0
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제 5항에 있어서, 상기 투명저항소자는 두께가 10nm ~ 10,000nm인 것을 특징으로 하는 투명전기발열체
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청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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제 1항에 있어서, 상기 투명기판은 유리(glass) 또는 플라스틱 재질인 것을 특징으로 하는 투명전기발열체
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티타늄산화물을 포함하여380 ∼ 770㎚의 광(光) 파장대에서 광투과율이 85% 이상인 것을 특징으로 하는 투명저항소자
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제 9항에 있어서, 상기 티타늄산화물은 TiOx (0003c#x≤2)인 것을 특징으로 하는 투명저항소자
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제 9항에 있어서, 고유비저항이 0
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제 12항에 있어서, 두께가 10nm ~ 10,000nm인 것을 특징으로 하는 투명저항소자
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청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 표면의 적어도 일부에 투명저항소자를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 투명저항소자를 형성하는 단계는 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물을 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층 증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압 화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하며,전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물은 티타늄 테트라 알콕사이드(Titaniun tetra alkoxide ; Ti(OR)4, R은 알킬기), 티타늄 테트라 클로라이드(Titaniun tetra chloride ; TiCl4) 및 티타늄 테트라 다이알킬아민(Titanium tetra diaklyamine ; Ti(NR2)4, R은 알킬기) 중 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법
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제 15항에 있어서, 상기 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 400℃이하의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법
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제 15항에 있어서, 상기 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 300℃이하의 온도에서 증착하는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법
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제 15항에 있어서, 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 산소(O2), 오존(O3) 및 수증기(H2O) 중 선택된 1종 이상의 음이온 소스(Anion souce)분위기에서 증착하는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법
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제 18항에 있어서, 음이온 소스 분위기에서 수증기(H2O)는 10 ~ 60℃의 온도로 제공되는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법
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제 15항에 있어서, 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 5초 ~ 50분 동안 증착하는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법
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제 15항에 있어서, 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 투명저항소자의 두께 형성속도가 10nm/min ~ 1,000nm/min으로 증착하는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법
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제 15항에 있어서, 화학기상증착법(CVD ; Chemical Vapor Deposition), 유기금속 화학기상증착법(MOCVD ; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 원자층증착법(ALD : Atomic Layer Deposition), 저기압화학기상증착법(LPCVD ; Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD ; Plasma Enhanced Vapor Deposition) 중에서 선택된 1종의 방법으로 증착하는 것은 투명저항소자의 두께가 10nm ~ 10,000nm가 되도로 증착하는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법
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제 15항에 있어서, 전구체로서 티타늄(Ti) 유기화합물은 티타늄 테트라 이소프로폭사이드(TTIP ; Titanium Tetra IsoPropoxide)인 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법
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제 15항에 있어서, 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물은 50 ~ 250℃의 온도로 제공되는 것을 특징으로 하는 투명저항소자의 제조 방법
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