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무기전계발광소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015113155
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 발광 효율을 가지는 무기전계발광소자에 관한 것이다. 본 발명의 무기전계발광소자는 투명 기판, 투명 기판 상에 형성되는 전극, 전극 상에 형성되는 무기 발광체층, 무기 발광체층 상에 형성되는 유전체층, 유전체층 상에 형성되는 배면 전극을 포함하며, 유전체층은 고유전상수를 갖는 유기 고분자 물질에 의하여 형성된다. 또한, 본 발명의 무기전계발광소자의 제조방법은, 투명 기판을 준비하는 제1 단계, 투명 기판 상에 전극을 형성하는 제2 단계, 전극 상에 전계에 의하여 발광하는 형광 물질을 적층하여 무기 발광체층을 형성하는 제3 단계, 무기 발광체층 상에 고유전상수를 갖는 유기 고분자 물질을 용액으로 만들어 용액공정을 이용하여 유전체층을 형성하는 제4 단계, 유전체층 상에 배면 전극을 형성하는 제5 단계를 포함한다. 무기전계발광소자, 유기 고분자 물질, 나노 무기 유전체 입자
Int. CL H05B 33/22 (2011.01) H05B 33/10 (2011.01)
CPC H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01)
출원번호/일자 1020080091933 (2008.09.19)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0967535-0000 (2010.06.25)
공개번호/일자 10-2010-0032992 (2010.03.29) 문서열기
공고번호/일자 (20100705) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.19)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양민양 대한민국 대전광역시 유성구
2 윤홍석 대한민국 충북 청주시 상당구
3 김성범 대한민국 대전광역시 유성구
4 전강민 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김성호 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소)
2 손재용 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동, 미진빌딩*층)(KNP 특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0659107-33
2 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2008.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0659186-29
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.08.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0051035-49
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0523826-23
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0113189-64
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0113183-91
8 등록결정서
Decision to grant
2010.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0267366-18
9 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2010-0795701-59
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판; 상기 투명 기판 상에 형성되는 전극; 상기 전극 상에 형성되는 무기 발광체층; 상기 무기 발광체층 상에 형성되는 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 형성되는 배면 전극; 을 포함하며, 상기 유전체층은 고유전상수를 갖는 유기 고분자 물질에 의하여 형성되는, 무기전계발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 무기 발광체층의 아래에 유전체층이 더 구비되어 있는, 무기전계발광소자
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유전체층은 나노 무기 유전체 입자를 더 포함하고 있는, 무기전계발광소자
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 유기 고분자 물질은, PVDF-TrFE인, 무기전계발광소자
5 5
제3항에 있어서, 상기 나노 무기 유전체 입자는, 바륨티타네이트(BaTiO3) 나노, 산화티탄(TiO2), SrTiO3, Pb[ZrxTi1-x]O3 중 어느 하나인, 무기전계발광소자
6 6
투명 기판을 준비하는 제1 단계; 상기 투명 기판 상에 전극을 형성하는 제2 단계; 상기 전극 상에 전계에 의하여 발광하는 형광 물질을 적층하여 무기 발광체층을 형성하는 제3 단계; 상기 무기 발광체층 상에 고유전상수를 갖는 유기 고분자 물질을 용액으로 만들어 용액공정을 이용하여 유전체층을 형성하는 제4 단계; 및 상기 유전체층 상에 배면 전극을 형성하는 제5 단계; 를 포함하는 무기전계발광소자 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 제2 단계는, 상기 투명 기판 상에 전극을 형성하고, 당해 전극 상에 고유전상수를 갖는 유기 고분자 물질을 용액으로 만들어 용액공정을 이용하여 유전체층을 형성하는, 무기전계발광소자 제조방법
8 8
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 유전체층은 나노 무기 유전체 입자를 더 포함하고 있는, 무기전계발광소자 제조방법
9 9
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 유기 고분자 물질은, PVDF-TrFE인, 무기전계발광소자 제조방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 나노 무기 유전체 입자는, 바륨티타네이트(BaTiO3) 나노, 산화티탄(TiO2), SrTiO3, Pb[ZrxTi1-x]O3 중 어느 하나인, 무기전계발광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.