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투명 기판;
상기 투명 기판 상에 형성되는 전극;
상기 전극 상에 형성되는 무기 발광체층;
상기 무기 발광체층 상에 형성되는 유전체층; 및
상기 유전체층 상에 형성되는 배면 전극;
을 포함하며,
상기 유전체층은 고유전상수를 갖는 유기 고분자 물질에 의하여 형성되는,
무기전계발광소자
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2 |
2
제1항에 있어서,
상기 무기 발광체층의 아래에 유전체층이 더 구비되어 있는,
무기전계발광소자
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3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 유전체층은 나노 무기 유전체 입자를 더 포함하고 있는,
무기전계발광소자
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4 |
4
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 유기 고분자 물질은, PVDF-TrFE인,
무기전계발광소자
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5 |
5
제3항에 있어서,
상기 나노 무기 유전체 입자는, 바륨티타네이트(BaTiO3) 나노, 산화티탄(TiO2), SrTiO3, Pb[ZrxTi1-x]O3 중 어느 하나인,
무기전계발광소자
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6 |
6
투명 기판을 준비하는 제1 단계;
상기 투명 기판 상에 전극을 형성하는 제2 단계;
상기 전극 상에 전계에 의하여 발광하는 형광 물질을 적층하여 무기 발광체층을 형성하는 제3 단계;
상기 무기 발광체층 상에 고유전상수를 갖는 유기 고분자 물질을 용액으로 만들어 용액공정을 이용하여 유전체층을 형성하는 제4 단계; 및
상기 유전체층 상에 배면 전극을 형성하는 제5 단계;
를 포함하는 무기전계발광소자 제조방법
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7 |
7
제6항에 있어서,
상기 제2 단계는, 상기 투명 기판 상에 전극을 형성하고, 당해 전극 상에 고유전상수를 갖는 유기 고분자 물질을 용액으로 만들어 용액공정을 이용하여 유전체층을 형성하는,
무기전계발광소자 제조방법
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8
제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 유전체층은 나노 무기 유전체 입자를 더 포함하고 있는,
무기전계발광소자 제조방법
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9
제6항 또는 제7항에 있어서,
상기 유기 고분자 물질은, PVDF-TrFE인,
무기전계발광소자 제조방법
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10
제8항에 있어서,
상기 나노 무기 유전체 입자는, 바륨티타네이트(BaTiO3) 나노, 산화티탄(TiO2), SrTiO3, Pb[ZrxTi1-x]O3 중 어느 하나인,
무기전계발광소자 제조방법
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