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네거티브형 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 반도체 장치의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015113349
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 네거티브형 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 알콕시실릴기를 측쇄기로 포함하고 산에 의해 가교되어 현상액에 불용성이 되는 고분자, 광산발생제 및 용매를 포함하는 네거티브형 포토레지스트 조성물을 도포하여 기판 상에 포토레지스트 막을 형성한다. 포토레지스트 막의 제1 부분에 광을 조사하여 알콕시실릴기들의 가교 반응에 의하여 고분자를 경화시킨 다음, 현상액을 적용하여 포토레지스트 막의 광이 조사되지 않은 제2 부분을 제거하고 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 노광 후 열처리 공정없이 고분자를 경화함으로써 패턴의 프로파일과 선폭 거칠기를 개선하고 내식각성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL G03F 7/039 (2006.01) G03F 7/004 (2006.01) G03F 7/075 (2006.01)
CPC G03F 7/0758(2013.01) G03F 7/0758(2013.01) G03F 7/0758(2013.01) G03F 7/0758(2013.01) G03F 7/0758(2013.01) G03F 7/0758(2013.01) G03F 7/0758(2013.01) G03F 7/0758(2013.01) G03F 7/0758(2013.01) G03F 7/0758(2013.01) G03F 7/0758(2013.01)
출원번호/일자 1020090027541 (2009.03.31)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0109111 (2010.10.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.03.19)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경미 대한민국 경기도 안양시 만안구
2 김진백 대한민국 서울특별시 강남구
3 박지영 대한민국 대전광역시 유성구
4 김영호 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0194308-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0262331-51
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2015-0030851-49
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0796665-01
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0050038-96
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0050016-92
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.05.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0335524-72
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0510966-44
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
알콕시실릴기를 측쇄기로 포함하고 산에 의해 가교되어 현상액에 불용성이 되는 고분자, 광산발생제 및 용매를 포함하는 네거티브형 포토레지스트 조성물을 도포하여 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 막의 제1 부분에 광을 조사하여 이웃하는 알콕시실릴기들의 가교 반응에 의하여 상기 광이 조사된 제1 부분의 고분자를 경화시키는 단계; 및 상기 포토레지스트 막에 상기 현상액을 적용하여 상기 포토레지스트 막의 광이 조사되지 않은 제2 부분을 제거하고 상기 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴의 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 막의 제1 부분의 고분자를 경화시키는 단계는, 상기 제1 부분에서 발생한 산이 상기 제2 부분으로 확산하는 것을 억제할 수 있는 정도의 낮은 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 포토레지스트 막의 제1 부분의 고분자를 경화시키는 단계는 50℃ 이하의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 고분자는 하기 구조식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 고분자는 하기 구조식 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 고분자는 하기 구조식 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
7 7
기판 상에 반사방지력을 가진 유기계 하부 레지스트 막을 형성하는 단계; 상기 하부 레지스트 막 상에, 알콕시실릴기를 측쇄기로 포함하고 산에 의해 가교되어 현상액에 불용성이 되는 고분자, 광산발생제 및 용매를 포함하는 포토레지스트 조성물을 도포하여 상부 레지스트 막을 형성하는 단계; 상기 상부 레지스트 막의 제1 부분에 광을 조사하여 이웃하는 알콕시실릴기들의 가교 반응에 의하여 상기 광이 조사된 제1 부분의 고분자를 경화시키는 단계; 상기 현상액을 사용하여 상기 상부 레지스트 막의 광이 조사되지 않은 제2 부분을 제거하여 상기 하부 레지스트 막 상에 상부 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 상부 레지스트 패턴을 마스크로 사용한 식각 공정을 수행하여 상기 기판 상에 하부 레지스트 패턴 및 상기 상부 레지스트 패턴을 포함하는 복층 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 패턴의 형성방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 하부 레지스트 막을 형성하기 전에, 상기 기판 상에 식각 대상막을 형성하는 단계; 및 상기 식각 대상막에 대하여 상기 복층 레지스트 패턴을 마스크로 사용한 식각 공정을 수행하여 상기 기판 상에 식각 대상막 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 복층 레지스트 패턴을 마스크로 사용한 식각 공정을 수행하여 상기 기판의 노출된 부분에 트렌치를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴의 형성방법
10 10
하기 구조식 1 또는 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 고분자; 광산발생제; 및 용매를 포함하는 네거티브형 포토레지스트 조성물
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08377626 US 미국 FAMILY
2 US20100248134 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010248134 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8377626 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.