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염기 조건 하에서, 하기 화학식 1로 표시되는 접착물질과 타겟물질을 원-포트(one-pot) 공정으로 용매에 녹이는 단계(단계 1);
상기 단계 1의 용액에 고체 기판을 침지시켜 코팅하는 단계(단계 2); 및
상기 단계 2에서 코팅된 고체 기판을 꺼내어 세척하는 단
계(단계 3)를 포함하는 고체 기판 표면의 개질방법:
003c#화학식 1003e#
(상기 식에서, R1은 티올, 아민, 나이트릴, 알데하이드, 설피드릴, 이미다졸, 및 아자이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나이고, R2는 H, OH, 및 COOH로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나이다
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제 1항에 있어서, 상기 개질방법은 상기 단계 3에서 세척된 기판을 타겟물질과 상호작용하는 고정물질이 용해된 용액에 침지하여, 고정물질을 기판에 고정시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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염기 조건 하에서, 하기 화학식 2로 표시되는 도파민(dopamine) 접착물질과 타겟물질을 원-포트(one-pot) 공정으로 용매에 녹이는 단계(단계 A);
상기 단계 A의 용액에 고체 기판을 침지시켜 코팅하는 단계(단계 B); 및
상기 단계 B에서 코팅된 고체 기판을 꺼내어 세척하는 단계(단계 C)를 포함하는 고체 기판 표면의 개질방법:
003c#화학식 2003e#
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제 1항에 있어서, 상기 단계 1의 염기 조건은 pH 7 내지 12의 범위인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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제 4항에 있어서, 상기 용액의 pH는 반응 시간 일부 또는 전체에 걸쳐 7 내지 12의 범위를 유지하는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면의 개질 방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 1의 용매는 물, 친수성 용매, 및 이들의 혼합 용매로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 2의 용액온도는 사용된 용매의 어는점 내지 끓는점의 범위인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 2의 고체 기판의 재료는 고분자계 물질, 귀금속류 물질, 금속류 물질, 산화금속류 물질, 세라믹계 물질, 비금속류 물질 및 3-5족 (III-V), 2-6족(II-VI) 화합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 1의 타겟물질로 히알루론산을 사용하여, 고체 기판이 M07e 및 혈액세포와 같은 비흡착성 세포에 대한 흡착력을 갖도록 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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10
제 2항에 있어서, 상기 단계 1의 타겟물질로 2-(다이메틸아미노)에탄티올()과 같은 3차 아민을 갖는 분자량 1,000이하의 화합물을 사용하여, 고체 기판 상에 실리카 층이 형성될 수 있도록 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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제 2항에 있어서, 상기 단계 1의 타겟물질로 2-브로모-N-(3,4-다이하이드록시펜에틸)-2-메틸프로판아미드()와 같은 3차 혹은 2차 브롬 작용기를 갖는 분자량 1,000이하의 고분자 중합개시제를 사용하여, 고체 기판 상에서 고분자 중합이 가능하도록 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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제 11항에 있어서, 상기 고분자 중합은 전이금속 촉매를 사용하는 원자 전이 라디칼 고분자 중합 반응인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면의 개질 방법
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13
제 12항에 있어서, 상기 전이금속 촉매는 구리 착화합물인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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제 12항에 있어서, 상기 고분자의 단량체는 아크릴계 단량체인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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제 14항에 있어서, 상기 아크릴계 단량체는 다이메틸아미노에틸 메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 1의 타겟물질로 세틸트리메틸암모늄 브로마이드와 같은 4차 아민을 갖는 분자량 1000이하의 화합물을 사용하여, 고체 기판 상에 세균 증식을 막는 항균성의 도입이 가능하도록 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 1의 접착물질 및 타겟물질이 각각 도파민 및 히알루론산인 경우, 이들의 중량비는 1 : 9 ~ 1 : 11(도파민 : 히알루론산)인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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제 2항에 있어서, 상기 단계 1의 접착물질 및 타겟물질이 각각 도파민 및 2-(다이메틸아미노)에탄티올과 같은 3차 아민을 가지는 분자량 1000이하의 화합물인 경우, 이들의 몰비율은 1 : 1 ~ 1 : 2(도파민 : 타겟물질)인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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제 2항에 있어서, 상기 단계 1의 접착물질 및 타겟물질이 각각 도파민 및 2-브로모-N-(3,4-다이하이드록시펜에틸)-2-메틸프로판아미드와 같은 3차 혹은 2차 브롬 작용기를 가지는 분자량 1000이하의 고분자 중합개시제인 경우인 경우, 이들의 몰비율은 1 : 3 ~ 1 : 5(도파민 : 타겟물질)인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 1의 접착물질 및 타겟물질이 각각 도파민 및 세틸트리메틸암모늄 브로마이드와 같은 4차 아민을 갖는 분자량 1000이하의 화합물인 경우, 이들의 몰비율은 3 : 1 ~ 5 : 1(도파민 : 타겟물질)인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면의 개질방법
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