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(a) 기판 상에 금속 박막층을 형성하는 단계;(b) 상기 형성된 금속 박막층 상에 탄소 이온을 주입하는 단계; 및(c) 상기 금속 박막층 상에 주입된 탄소 이온을 열처리하여 상기 금속 박막층 상에 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀층 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 상기 탄소 이온의 주입량은 상기 금속 박막층의 최대 탄소 용해도에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 그래핀층 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계에서 상기 열처리는 600°C 내지 1000°C에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 그래핀층 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 (a) 단계에 이어서,(a1) 상기 (a) 단계에서 형성된 금속 박막층을 결정화하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀층 형성 방법
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제 4항에 있어서,상기 (a1) 단계에서 상기 결정화는 상기 (a) 단계에서 형성된 상기 금속 박막층을 800°C 내지 1000°C에서 열처리하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 그래핀층 형성 방법
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제 4항에 있어서,상기 (a1) 단계에서 상기 결정화는 1Torr 내지 760Torr의 진공도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 그래핀층 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 상기 탄소 이온 주입은 이온 주입기에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 그래핀층 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계에서 상기 열처리는 10-7Torr 내지 10-3Torr의 진공도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 그래핀층 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 (a) 단계에서 상기 금속 박막층은 니켈(Ni), 플래티늄(Pt), 금(Au), 구리(Cu), 루테늄(Ru), 텅스텐(W), 코발트(Co), 납(Pd), 티타늄 카바이드(Tic), 탄탈륨 카바이드(TaC), 또는 로듐(Rd)중 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀층 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 (b) 단계에서 상기 탄소 이온의 주입량은 1x1013cm-2 내지 5x1015cm-2인 것을 특징으로 하는 그래핀층 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 (a) 단계에 앞서서 상기 기판 상에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀층 형성 방법
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