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플라즈마 처리 장치

  • 기술번호 : KST2015114352
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 플라즈마 처리 장치는 플라즈마 발생부를 정의하는 두 전극, 상기 두 전극 중 적어도 하나에 배치되어 있으며, 각기 전력을 인가하는 복수의 전력 인가부, 상기 플라즈마 발생부의 플라즈마를 감지하는 감지부, 그리고 상기 복수의 전력 인가부에 인가되는 전력의 특성을 조절하는 제어부를 포함하여, 전력이 인가되는 위치, 인가되는 전력의 크기, 인가되는 전력에 의한 전자파의 위상을 조절함으로써, 각 공정 조건에 맞추어, 균일한 플라즈마를 발생할 수 있다. 플라즈마, 전극, 전력, 균일도
Int. CL H05H 1/34 (2006.01) H05H 1/24 (2006.01) H05H 1/36 (2006.01)
CPC H05H 1/34(2013.01) H05H 1/34(2013.01) H05H 1/34(2013.01) H05H 1/34(2013.01)
출원번호/일자 1020080088267 (2008.09.08)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0029464 (2010.03.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.12)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최신일 대한민국 서울 관악구
2 김상갑 대한민국 서울특별시 강동구
3 최승하 대한민국 경기도 시흥시 상직길 *,
4 정유광 대한민국 경기도 용인시 기흥구
5 이기엽 대한민국 서울특별시 서초구
6 여윤종 대한민국 서울특별시 강남구
7 정경재 대한민국 서울특별시 마포구
8 양동주 대한민국 서울특별시 성동구
9 진홍기 대한민국 경기도 수원시 영통구
10 박지영 대한민국 경기도 수원시 권선구
11 장홍영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0636225-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0742774-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0730358-48
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.08.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0532276-95
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0935370-28
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0935371-74
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0115348-04
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.04.17 무효 (Invalidation) 1-1-2015-0376970-35
14 보정요구서
Request for Amendment
2015.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0075514-06
15 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2015.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0086501-60
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0650901-03
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플라즈마 발생부를 정의하는 두 전극, 상기 두 전극 중 적어도 하나에 배치되어 있으며, 각기 전력을 인가하는 복수의 전력 인가부, 상기 플라즈마 발생부의 플라즈마를 감지하는 감지부, 그리고 상기 복수의 전력 인가부에 인가되는 전력의 특성을 조절하는 제어부를 포함하는 플라즈마 처리 장치
2 2
제1항에서, 상기 감지부와 상기 제어부는 서로 연결되어 있는 플라즈마 처리 장치
3 3
제1항에서, 상기 감지부와 상기 제어부는 서로 통신하는 플라즈마 처리 장치
4 4
제3항에서, 상기 제어부는 상기 감지부의 감지 결과에 따라 상기 복수의 전력 인가부 중 적어도 하나에 인가되는 전력의 위상을 조절하는 플라즈마 처리 장치
5 5
제3항에서, 상기 제어부는 상기 감지부의 감지 결과에 따라 상기 복수의 전력 인가부 중 적어도 하나에 인가되는 전력의 크기를 조절하는 플라즈마 처리 장치
6 6
제1항에서, 상기 제어부는 상기 감지부의 감지 결과에 따라 상기 복수의 전력 인가부 중 적어도 하나에 인가되는 전력의 위상을 조절하는 플라즈마 처리 장치
7 7
제1항에서, 상기 제어부는 상기 감지부의 감지 결과에 따라 상기 복수의 전력 인가부 중 적어도 하나에 인가되는 전력의 크기를 조절하는 플라즈마 처리 장치
8 8
제1항에서, 상기 복수의 전력 인가부는 2개 내지 15개인 플라즈마 처리 장치
9 9
제8항에서, 상기 복수의 전력 인가부는 서로 독립되어 이격되어 있는 플라즈마 처리 장치
10 10
제9항에서, 상기 복수의 전력 인가부에 각기 연결되어 있는 복수 개의 정합기를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치
11 11
제1항에서, 상기 복수의 전력 인가부는 서로 독립되어 이격되어 있는 플라즈마 처리 장치
12 12
제1항에서, 상기 복수의 전력 인가부에 각기 연결되어 있는 복수 개의 정합기를 더 포함하는 플라즈마 처리 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.