맞춤기술찾기

이전대상기술

금속 분말을 이용한 히트파이프 윅 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015114468
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 분말을 이용한 히트파이프 윅으로서, 보다 상세하게는 두 가지 크기의 특성 공극구조를 갖는 금속 분말 소결 윅으로, 금속 분말 (Particle)을 소결하여 형성한 분말 집합체 (Cluster)를 형성하고, 이 분말 집합체를 다시 소결하여 두 가지 크기의 공극 구조를 갖게 하는 금속 분말을 이용한 히트파이프 윅이다. 이러한 형태의 윅은 히트파이프 내부의 기체 및 액체의 유동을 원활하게 하고 증발 표면적 및 모세관 압력을 증가시켜 히트파이프의 열전달 성능을 크게 향상시킬 수 있다.
Int. CL F28D 15/04 (2006.01) F28D 15/00 (2006.01) F28D 15/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100035896 (2010.04.19)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1177062-0000 (2012.08.20)
공개번호/일자 10-2011-0116466 (2011.10.26) 문서열기
공고번호/일자 (20120827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.19)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김성진 대한민국 대전광역시 유성구
2 변찬 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인 이노 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 ***, *층 (서초동, 신한국빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0248268-05
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0098184-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0032220-86
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0220711-55
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0220814-59
7 등록결정서
Decision to grant
2012.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0293589-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
100~325 메쉬의 금속 분말이 소결되어 금속 분말 사이에 작은 공극구조를 이루며, 액체의 유동경로로 작용하는 분말 집합체 및 상기 분말 집합체가 재소결되어 분말 집합체 사이에 큰 공극구조를 이루되,상기 작은 공극구조의 공극률은 20~60%인 것을 특징으로 하는 금속 분말을 이용한 히트파이프 윅
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 분말은 700~1500℃ 온도 및 진공 또는 질소, 아르곤, 수소 가스의 환원 분위기하에서 10분 ~ 3시간 동안 가열하여 분말 집합체를 제조하는 것을 특징으로 하는 금속 분말을 이용한 히트파이프 윅
3 3
삭제
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 금속 분말은 구리, 철, 알루미늄 및 스테인레스강 중 어느 하나 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 금속 분말을 이용한 히트파이프 윅
5 5
제4항에 있어서,상기 구리 또는 구리 합금은 850 내지 950℃에서 가열하는 것을 특징으로 하는 금속 분말을 이용한 히트파이프 윅
6 6
100~325 메쉬의 금속 분말을 700~1500℃ 온도 및 진공 또는 질소, 아르곤, 수소 가스의 환원 분위기하에서 10분 ~ 3시간 동안 가열하여 금속 분말 사이에 작은 공극구조를 이루는 분말 집합체를 제조한 후에, 상기 분말 집합체를 20~100 메쉬의 체로 거른 후 700~1500℃ 온도 및 진공 또는 질소, 아르곤, 수소 가스의 환원 분위기하에서 10분 ~ 3시간 동안 재가열하여 상기 분말 집합체 사이에 큰 공극구조를 이루도록 하되,상기 작은 공극구조의 공극률은 20~60%인 것을 특징으로 하는 금속 분말을 이용한 히트파이프 윅 제조방법
7 7
삭제
8 8
제6항에 있어서,상기 작은 공극구조를 이루는 분말 집합체를 제조한 후에 분말 집합체를 분쇄하고 20~100 메쉬의 체를 통과시켜 일정 크기의 분말 집합체를 제조하는 것을 특징으로 하는 금속 분말을 이용한 히트파이프 윅 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.