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매우 얇은 보호막을 갖는 광음극

  • 기술번호 : KST2015114712
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광전효과를 이용하여 광전자 발생을 위하여 사용하는 광전면(光電面)이 대기와 접촉을 하게 될 때 기존의 대부분의 광전면 재료가 산소와의 높은 반응성으로 인하여 광전효율이 급격하게 저하되는 현상을 방지하기 위한 광전면보호막과 광음극(photocathode)의 구조에 관한 것으로, 예를 들어, 얇은 다이아몬드성 탄소막을 광전면보호막으로 사용하여, 광전면과 대기와의 차단을 통한 광전면 보호의 기능을 수행함과 동시에 광전면에서 발생하는 전자는 얇은 두께로 증착된 다이아몬드성 탄소막을 터널링으로 통과하게 하여 광음극의 성능에는 영향을 주지 않도록 한다.이러한 보호막을 사용함으로써 광전면 증착 이후의 공정들을 대기 중에서 자유롭게 행할 수 있게 되어 공정을 단순화시켜서 공정 단가를 낮추고 또한 대면적의 광음극을 이용한 소자나 장치의 제작을 용이하게 하는 효과가 있다광음극, 광전물질, 광전효과, 투명기판, 투명전도막, 광전면보호막, 터널효과, 다이아몬드성 탄소
Int. CL H01J 1/30 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010055835 (2001.09.11)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0423849-0000 (2004.03.09)
공개번호/일자 10-2003-0022975 (2003.03.19) 문서열기
공고번호/일자 (20040322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.09.11)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임굉수 대한민국 대전광역시유성구
2 전덕영 대한민국 대전광역시유성구
3 이창현 대한민국 경기도용인시
4 김상수 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조의제 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 재승빌딩 *층 (역삼동)(프라임특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2001-0232288-88
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0243158-24
3 의견서
Written Opinion		 2003.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2003-0313346-30
4 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.08.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0313348-21
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
6 등록결정서
Decision to grant		 2004.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0073647-96
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

광전효과를 이용하여 빛을 전자로 바꾸어 주는 광음극에 있어서,

투명기판;

상기 투명기판 위에 증착되어 상기 투명기판을 통해 입사된 빛을 전자로 바꾸어 방출하는 광전면; 및

상기 광전면의 표면을 덮어 상기 광전면을 대기와 차단시키는 제1광전면보호막을 포함하며,

상기 광전면으로부터 방출된 전자는 상기 제1광전면보호막을 터널효과(tunnel effect)로 통과하는 것을 특징으로 하는 매우 얇은 보호막을 갖는 광음극

2 2

제1항에 있어서, 상기 투명기판과 상기 광전면사이에 전도성 투명전도막이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 매우 얇은 보호막을 갖는 광음극

3 3

제2항에 있어서, 상기 전도성 투명전도막과 상기 광전면 사이에 제2광전면보호막이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 매우 얇은 보호막을 갖는 광음극

4 4

삭제
5 5

제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광전면보호막은 다이아몬드성 탄소막, 다이아몬드막, SiO2막, Si3N4막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 매우 얇은 보호막을 갖는 광음극

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06674235 US 미국 FAMILY
2 US20030048075 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2003048075 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6674235 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.