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중공 구조 금속산화물 반도체 박막과 그래핀의 복합체를 이용한 가스 센서용 부재 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015114842
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스 센서용 부재 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 중공 구조 금속산화물 반도체 박막과 그래핀을 포함하여 구성되는 가스 센서용 부재 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 하나 이상의 중공 구조 금속산화물 반도체 박막 및 상기 중공 구조 금속산화물 반도체 박막과 결착하는 그래핀층을 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서용 부재를 개시하며, 본 발명에 의하여 중공(hollow) 구조를 가지는 금속산화물 반도체 박막과 이에 결착하는 그래핀층의 복합체를 이용하여 가스 센서용 부재를 구성함으로써, 극미량의 가스도 검출해 낼 수 있는 고감도 특성, 보다 빠른 반응 속도 및 회복 속도를 가지며, 외부의 물리적 스트레스를 견딜 수 있는 기계적 안정성을 가지면서, 다양한 가스를 검출할 수 있는 선택성을 가지는 가스 센서용 부재 및 그 제조 방법을 개시할 수 있는 효과를 갖는다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 33/497 (2006.01)
CPC G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020130051611 (2013.05.08)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1598811-0000 (2016.03.08)
공개번호/일자 10-2014-0132454 (2014.11.18) 문서열기
공고번호/일자 (20160314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.08)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일두 대한민국 서울 동작구
2 최선진 대한민국 대전 유성구
3 이서진 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0404830-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0059337-71
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0522968-92
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0922926-10
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-1043899-69
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-1169232-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-1287324-95
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0108879-14
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.02.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0108881-17
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2015.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0426914-42
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.08.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0826135-16
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0826136-62
17 등록결정서
Decision to grant		 2015.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0909877-91
18 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2016.02.24 수리 (Accepted) 2-1-2016-0117496-66
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하나 이상의 중공 구조 금속산화물 반도체 박막; 및상기 중공 구조 금속산화물 반도체 박막과 결착하는 그래핀층을 포함하여 구성되며,상기 중공 구조 금속산화물 반도체 박막은,검출하고자 하는 가스의 흡착에 의하여 발생하는 상기 중공 구조 금속산화물 반도체 박막에서의 표면 공핍층의 두께에 대응하는 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 가스 센서용 부재
2 2
제1항에 있어서,상기 중공 구조 금속산화물 반도체 박막은 구형, 반구형, 구면 중 일부가 파쇄된 구형 또는 곡면 중 하나 이상의 형상을 가짐을 특징으로 하는 가스 센서용 부재
3 3
제1항에 있어서,상기 그래핀층은 면 형상을 가지는 그래핀층임을 특징으로 하는 가스 센서용 부재
4 4
제3항에 있어서,상기 중공 구조 금속산화물 반도체 박막은 상기 그래핀층의 상면과 하면에 결착됨을 특징으로 하는 가스 센서용 부재
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 중공 구조 금속산화물 반도체 박막의 직경은 10nm 내지 100μm의 범위 내에 있음을 특징으로 하는 가스 센서용 부재
7 7
제1항에 있어서,상기 중공 구조 금속산화물 반도체 박막은 밴드갭(band-gap)이 1
8 8
제7항에 있어서,상기 중공 구조 금속산화물 반도체 박막은 ZnO, SnO2, WO3, Fe2O3, Fe3O4, NiO, TiO2, CuO, In2O3, Zn2SnO4, Co3O4, PdO, LaCoO3, NiCo2O4, Ca2Mn3O8, V2O5, Ag2V4O11, Ag2O, MnO2, InTaO4, InTaO4, CaCu3Ti4O12, Ag3PO4, BaTiO3, NiTiO3, SrTiO3, Sr2Nb2O7, Sr2Ta2O7, Ba0
9 9
제1항에 있어서,상기 그래핀층은 그래핀, 산화그래핀(graphene oxide), 환원산화그래핀(reduced graphene oxide) 중 하나 혹은 둘 이상의 혼합물로 구성됨을 특징으로 하는 가스 센서용 부재
10 10
제9항에 있어서,상기 그래핀, 산화그래핀(graphene oxide), 환원산화그래핀(reduced graphene oxide)은 크기가 10nm 내지 50μm의 범위 내에 있음을 특징으로 하는 가스 센서용 부재
11 11
제1항에 있어서,상기 그래핀층의 중량비는 0
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
(a) 고분자 물질을 사용하여 형성되는 주형을 이용하여 금속산화물 반도체로 중공 구조 박막을 형성하는 단계; 및(b) 상기 중공 구조 금속산화물 반도체 박막을 그래핀층에 결착시키는 단계를 포함하며,상기 고분자 물질은 주형을 구성하는 기본 단위의 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 가스 센서용 부재의 제조 방법
15 15
삭제
16 16
삭제
17 17
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18 18
삭제
19 19
제14항에 있어서,상기 (a) 단계는,(a1) 하나 이상의 고분자로 구성되는 주형을 형성하는 단계;(a2) 상기 주형에 금속산화물을 코팅하는 단계; 및(a3) 상기 금속산화물이 코팅된 주형을 열처리하여 상기 주형을 제거하는 단계를 포함하는 가스 센서용 부재의 제조 방법
20 20
청구항 20은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
21 21
청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
22 22
제20항에 있어서,상기 (a12) 단계에서,상기 용액을 기판 위에 코팅함으로써 복수의 상기 고분자 입자가 상기 기판 상에 배열되어 상기 고분자 주형을 형성함을 특징으로 하는 가스 센서용 부재의 제조 방법
23 23
제19항에 있어서,상기 (a3) 단계에서,공기 또는 산소 분위기에서 500°C 이상의 열처리를 진행함을 특징으로 하는 가스 센서용 부재의 제조 방법
24 24
제19항에 있어서,상기 (a3) 단계에 이어서,(a4) 상기 중공 구조 금속산화물 반도체 박막의 강도를 높이고 반도체 특성을 개선하기 위한 결정화 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서용 부재의 제조 방법
25 25
제24항에 있어서,상기 (a3) 단계와 상기 (a4) 단계는 한번의 고온의 열처리 공정으로 동시에 수행될 수 있음을 특징으로 하는 가스 센서용 부재의 제조 방법
26 26
제14항에 있어서,상기 (b) 단계는,(b1) 상기 중공 구조 금속산화물 반도체 박막을 골고루 분산한 용액을 준비하는 단계;(b2) 상기 그래핀, 산화그래핀(graphene oxide), 환원산화그래핀(reduced graphene oxide) 중 하나 또는 둘 이상을 골고루 분산한 용액을 준비하는 단계;(b3) 상기 (b1) 단계에서 준비된 용액과 상기 (b2) 단계에서 준비된 용액을 교반한 후, 상기 교반된 용액을 기판 위에 코팅하고 용매를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서용 부재의 제조 방법
27 27
제14항에 있어서,상기 (b) 단계는,면 형상을 가지는 그래핀층을 형성하는 단계 및 상기 면 형상을 가지는 그래핀층에 상기 중공 구조 금속산화물 반도체 박막을 결착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스 센서용 부재의 제조 방법
28 28
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 교육과학기술부 한국과학기술원 글로벌프론티어사업 초집적 나노 공정