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양자점 및 희토류 착물이 결합된 나노복합체 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015115071
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점-희토류 착물 나노결정, 양자점-희토류 착물 나노결정의 제조 방법 및 이를 포함하는 발광 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 희토류 이온의 특성 발광을 가지는 희토류 원소를 포함하는 착물을 양자점에 부착시킴으로써 두 물질의 광학적 성질을 동시에 나타내는 양자점-희토류 착물 나노결정에 관한 것이다. 본 발명에 의한 양자점-희토류 착물 나노결정의 제조 방법은, 양자점과 희토류 착물을 각각 합성한 후, 두 물질을 함께 투입하여 반응시키는 비효율적인 방법과는 달리 각각의 전구체를 함께 혼합하여 1회 반응 공정만 필요하기 때문에, 제조 방법이 간단하고, 경제적이다. 본 발명에 따른 양자점-희토류 착물 나노결정은 2족-6족에 국한되지 않고, 3족-5족 등의 다른 반도체 양자점에도 응용될 수 있다. 또한, 하나의 나노입자에서 가시광선 전영역의 다양한 파장에서 빛을 내는 것이 가능하기 때문에 발광소자로 응용될 수 있다.
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) C09K 11/88 (2006.01)
CPC C09K 11/886(2013.01) C09K 11/886(2013.01) C09K 11/886(2013.01)
출원번호/일자 1020100116994 (2010.11.23)
출원인 한국과학기술원, 한국조폐공사
등록번호/일자 10-1217707-0000 (2012.12.26)
공개번호/일자 10-2012-0055317 (2012.05.31) 문서열기
공고번호/일자 (20130102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.23)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국조폐공사 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전덕영 대한민국 대전광역시 유성구
2 권병화 대한민국 서울특별시 노원구
3 장동선 대한민국 대전광역시 유성구
4 김성욱 대한민국 대전광역시 유성구
5 김현기 대한민국 대전광역시 유성구
6 이상근 대한민국 대전광역시 서구
7 윤선홍 대한민국 충청남도 천안시 서북구
8 김종균 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
2 한국조폐공사 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0765410-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0098535-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0359551-18
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0650653-13
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0650652-78
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0761647-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.11.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-5149181-46
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2018-5157978-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5013707-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5013740-21
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
‘양자점(Quantum dots)’과, 희토류 원소 및 리간드가 결합한 ‘희토류 착물(rare earth element complexes)’이 결합된 나노복합체
2 2
제1항에 있어서, 상기 ‘양자점’은 ‘12족-16족계 화합물’, ‘13족-15족계 화합물’ 및 ‘14족-16족계 화합물’로 이루어진 군으로 부터 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체
3 3
제2항에 있어서, 상기 ‘12족-16족계 화합물’은 카드뮴설파이드(CdS), 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴텔레나이드(CdTe), 징크설파이드(ZnS), 징크셀레나이드(ZnSe), 징크텔레나이드(ZnTe), 머큐리설파이드(HgS), 머큐리셀레나이드(HgSe), 머큐리텔레나이드(HgTe), 징크옥사이드(ZnO), 카드뮴옥사이드(CdO), 머큐리옥사이드(HgO), 카드뮴셀레늄설파이드(CdSeS), 카드뮴셀레늄텔레나이드(CdSeTe), 카드뮴설파이드텔레나이드(CdSTe), 카드뮴징크설파이드(CdZnS), 카드뮴징크셀레나이드(CdZnSe), 카드뮴설파이드셀레나이드(CdSSe), 카드뮴징크텔레나이드(CdZnTe), 카드뮴머큐리설파이드(CdHgS), 카드뮴머큐리셀레나이드(CdHgSe), 카드뮴머큐리텔레나이드(CdHgTe), 징크셀레늄설파이드(ZnSeS), 징크셀레늄텔레나이드(ZnSeTe), 징크설파이드텔레나이드(ZnSTe), 머큐리셀레늄설파이드(HgSeS), 머큐리셀레늄텔레나이드(HgSeTe), 머큐리설파이드텔레나이드(HgSTe), 머큐리징크설파이드(HgZnS), 머큐리징크셀레나이드(HgZnSe), 카드뮴징크옥사이드(CdZnO), 카드뮴머큐리옥사이드(CdHgO), 징크머큐리옥사이드(ZnHgO), 징크셀레늄옥사이드(ZnSeO), 징크텔레늄옥사이드(ZnTeO), 징크설파이드옥사이드(ZnSO), 카드뮴셀레늄옥사이드(CdSeO), 카드뮴텔레늄옥사이드(CdTeO), 카드뮴설파이드옥사이드(CdSO), 머큐리셀레늄옥사이드(HgSeO), 머큐리텔레늄옥사이드(HgTeO), 머큐리설파이드옥사이드(HgSO), 카드뮴징크셀레늄설파이드(CdZnSeS), 카드뮴징크셀레늄텔레나이드(CdZnSeTe), 카드뮴징크설파이드텔레나이드(CdZnSTe), 카드뮴머큐리셀레늄설파이드(CdHgSeS), 카드뮴머큐리셀레늄텔레나이드(CdHgSeTe), 카드뮴머큐리설파이드텔레나이드(CdHgSTe), 머큐리징크셀레늄설파이드(HgZnSeS), 머큐리징크셀레늄텔레나이드(HgZnSeTe), 머큐리징크설파이드텔레나이드(HgZnSTe), 카드뮴징크셀레늄옥사이드(CdZnSeO), 카드뮴징크텔레늄옥사이드(CdZnTeO), 카드뮴징크설파이드옥사이드(CdZnSO), 카드뮴머큐리셀레늄옥사이드(CdHgSeO), 카드뮴머큐리텔레늄옥사이드(CdHgTeO), 카드뮴머큐리설파이드옥사이드(CdHgSO), 징크머큐리셀레늄옥사이드(ZnHgSeO), 징크머큐리텔레늄옥사이드(ZnHgTeO) 및 징크머큐리설파이드옥사이드(ZnHgSO) 으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체
4 4
제2항에 있어서, 상기 ‘13족-15족계 화합물’은 갈륨포스포러스(GaP), 갈륨아세나이드(GaAs), 갈륨안티모니(GaSb), 갈륨나이트라이드(GaN), 알루미늄포스포러스(AlP), 알루미늄아세나이드(AlAs), 알루미늄안티모니(AlSb), 알루미늄나이트라이드(AlN), 인듐포스포러스(InP), 인듐아세나이드(InAs), 인듐안티모니(InSb), 인듐나이트라이드(InN), 갈륨포스포러스아세나이드(GaPAs), 갈륨포스포러스안티모니(GaPSb), 갈륨포스포러스나이트라이드(GaPN), 갈륨아세나이드나이트라이드(GaAsN), 갈륨안티모니나이트라이드(GaSbN), 알루미늄포스포러스아세나이드(AlPAs), 알루미늄포스포러스안티모니(AlPSb), 알루미늄포스포러스나이트라이드(AlPN), 알루미늄아세나이드나이트라이드(AlAsN), 알루미늄안티모니나이트라이드(AlSbN), 인듐포스포러스아세나이드(InPAs), 인듐포스포러스안티모니(InPSb), 인듐포스포러스나이트라이드(InPN), 인듐아세나이드나이트라이드(InAsN), 인듐안티모니나이트라이드(InSbN), 알루미늄갈륨포스포러스(AlGaP), 알루미늄갈륨아세나이드(AlGaAs), 알루미늄갈륨안티모니(AlGaSb), 알루미늄갈륨나이트라이드(AlGaN), 알루미늄아세나이드나이트라이드(AlAsN), 알루미늄안티모니나이트라이드(AlSbN), 인듐갈륨포스포러스(InGaP), 인듐갈륨아세나이드(InGaAs), 인듐갈륨안티모니(InGaSb), 인듐갈륨나이트라이드(InGaN), 인듐아세나이드나이트라이드(InAsN), 인듐안티모니나이트라이드(InSbN), 알루미늄인듐포스포러스(AlInP), 알루미늄인듐아세나이드(AlInAs), 알루미늄인듐안티모니(AlInSb), 알루미늄인듐나이트라이드(AlInN), 알루미늄아세나이드나이트라이드(AlAsN), 알루미늄안티모니나이트라이드(AlSbN), 알루미늄포스포러스나이트라이드(AlPN), 갈륨알루미늄포스포러스아세나이드(GaAlPAs), 갈륨알루미늄포스포러스안티모니(GaAlPSb), 갈륨인듐포스포러스아세나이드(GaInPAs), 갈륨인듐알루미늄아세나이드(GaInAlAs), 갈륨알루미늄포스포러스나이트라이드(GaAlPN), 갈륨알루미늄아세나이드나이트라이드(GaAlAsN), 갈륨알루미늄안티모니나이트라이드(GaAlSbN), 갈륨인듐포스포러스나이트라이드(GaInPN), 갈륨인듐아세나이드나이트라이드(GaInAsN), 갈륨인듐알루미늄나이트라이드(GaInAlN), 갈륨안티모니포스포러스나이트라이드(GaSbPN), 갈륨아세나이드포스포러스나이트라이드(GaAsPN), 갈륨아세나이드안티모니나이트라이드(GaAsSbN), 갈륨인듐포스포러스안티모니(GaInPSb), 갈륨인듐포스포러스나이트라이드(GaInPN), 갈륨인듐안티모니나이트라이드(GaInSbN), 갈륨포스포러스안티모니나이트라이드(GaPSbN), 인듐알루미늄포스포러스아세나이드(InAlPAs), 인듐알루미늄포스포러스나이트라이드(InAlPN), 인듐포스포러스아세나이드나이트라이드(InPAsN), 인듐알루미늄안티모니나이트라이드(InAlSbN), 인듐포스포러스안티모니나이트라이드(InPSbN), 인듐아세나이드안티모니나이트라이드(InAsSbN) 및 인듐알루미늄포스포러스안티모니(InAlPSb)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체
5 5
제2항에 있어서, 상기 ‘14족-16족계 화합물’은 틴옥사이드(SnO), 틴설파이드(SnS), 틴셀레나이드(SnSe), 틴텔레나이드(SnTe), 리드설파이드(PbS), 리드셀레나이드(PbSe), 리드텔레나이드(PbTe), 저마늄옥사이드(GeO), 저마늄설파이드(GeS), 저마늄셀레나이드(GeSe), 저마늄텔레나이드(GeTe), 틴셀레늄설파이드(SnSeS), 틴셀레늄텔레나이드(SnSeTe), 틴설파이드텔레나이드(SnSTe), 리드셀레늄설파이드(PbSeS), 리드셀레늄텔레나이드(PbSeTe), 리드설파이드텔레나이드(PbSTe), 틴리드설파이드(SnPbS), 틴리드셀레나이드(SnPbSe), 틴리드텔레나이드(SnPbTe), 틴옥사이드설파이드(SnOS), 틴옥사이드셀레나이드(SnOSe), 틴옥사이드텔레나이드(SnOTe), 저마늄옥사이드설파이드(GeOS), 저마늄옥사이드셀레나이드(GeOSe), 저마늄옥사이드텔레나이드(GeOTe), 틴리드설파이드셀레나이드(SnPbSSe), 틴리드셀레늄텔레나이드(SnPbSeTe) 및 틴리드설파이드텔레나이드(SnPbSTe)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 희토류 원소는 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 흘뮴(Ho), 에르븀(Er) 및 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 루테튬(Lu)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체
8 8
제1항에 있어서, 상기 리간드는 나이트로(Nitro), 카보네이트(Carbonato), 나이트리토(Nitrito), 사이아노(Cyano), 싸이오사이아네이트(Thiocyanato), 아이소싸이오사이아네이토(Isothiocyanato), 하이드록소(Hydroxo), 아쿠아(Aqua), 암민(Ammine), 카보닐(Carbonyl), 나이트로실(Nitrosyl)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체
9 9
제1항에 있어서, 상기 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체는 ‘양자점’의 표면 중 제 2 전구체의 금속원소에 ‘희토류 착물’이 결합된 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체
10 10
제 1 전구체, 제 3 전구체, 계면활성제 및 용매를 혼합하여 진공에서 100~130oC로 가열하여, 이 혼합 용액 내에 존재하는 산소(oxygen)를 제거하는 단계; 및 상기 혼합 용액을 불활성 기체 하에서 250~310oC로 가열하여 ‘희토류 착물’을 제 1 반응시켜 제 1 반응물을 수득하는 단계; 및 상기 제 1 반응물에 제 2 전구체, 계면활성제를 혼합한 용액을 첨가하여 불활성 기체 하에서 250~310oC로 재가열하여 ‘양자점’을 합성하면서 ‘희토류 착물’을 제 2 반응시켜 제 2 반응물을 수득하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체의 제조방법
11 11
제 3 전구체, 계면활성제 및 용매를 혼합하여 진공에서 100~130oC로 가열하여, 이 혼합 용액 내에 존재하는 산소(oxygen)를 제거하는 단계; 및 상기 혼합 용액을 불활성 기체 하에서 250~310oC로 가열하여 ‘희토류 착물’을 제 A 반응시키는 단계; 및 상기 제 A 반응물에 제 1 전구체, 제 2 전구체 및 계면활성제를 혼합한 용액을 첨가하여 불활성 기체 하에서 250~310oC로 재가열하여 ‘양자점’을 합성하면서, ‘희토류 착물’을 제 B 반응시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체의 제조방법
12 12
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 제 1 전구체는 12족 원소, 13족 원소 및 14족 원소로 이루어진 군으로 부터 선택된 어느 하나인 원소의 전구체인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체의 제조방법
13 13
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 제 1 전구체는 카드뮴 아세테이트 이수화물(cadmium acetate dihydrate), 디메틸 카드뮴(dimethyl cadmium), 디에틸 카드뮴(diethyl cadmium), 카드뮴 아세테이트(Cadmium acetate), 카드뮴 아세틸아세토네이트(Cadmium acetylacetonate), 카드뮴 아세틸아세토네이트 수화물(Cadmium acetylacetonate hydrate), 카드뮴 아이오다이드(Cadmium iodide), 카드뮴 브로마이드(Cadmium bromide), 카드뮴 클로라이드(Cadmium chloride), 카드뮴 클로라이드 수화물(Cadmium chloride hydrate), 카드뮴 플루오라이드(Cadmium fluoride), 카드뮴 카보네이트(Cadmium carbonate), 카드뮴 나이트레이트(Cadmium nitrate), 카드뮴 나이트레이트 사수화물(Cadmium nitrate tetrahydrate), 카드뮴 옥사이드(Cadmium oxide), 카드뮴 퍼클로레이트(Cadmium perchlorate), 카드뮴 퍼클로레이트 육수화물(Cadmium perchlorate hexahydrate), 카드뮴 포스파이드(Cadmium phosphide), 카드뮴 설페이트(Cadmium sulfate), 카드뮴 나프탈레이트 (Cadmium naphthenate), 카드뮴 스테레이트(Cadmium stearate), 디메틸 아연(dimethyl zinc), 디에틸 아연(diethyl zinc), 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 아세테이트 이수화물(Zinc acetate dihydrate), 아연 아세틸아세토네이트 (Zinc acetylacetonate), 아연 아세틸아세토네이트 수화물 (Zinc acetylacetonate hydrate), 아연 아이오다이드(Zinc iodide), 아연 브로마이드(Zinc bromide), 아연 클로라이드(Zinc chloride), 아연 플루오라이드(Zinc fluoride), 아연 플루오라이드 사수화물(Zinc fluoride tetrahydrate), 아연 카보네이트(Zinc carbonate), 아연 시아나이드(Zinc cyanide), 아연 나이트레이트(Zinc nitrate), 아연 나이트레이트 육수화물(Zinc nitrate hexahydrate), 아연 옥사이드(Zinc oxide), 아연 퍼옥사이드(Zinc peroxide), 아연 퍼클로레이트(Zinc perchlorate), 아연 퍼클로레이트 육수화물(Zinc perchlorate hexahydrate), 아연 설페이트(Zinc sulfate), 디페닐 아연(Diphenyl zinc), 아연 나프탈레이트 (Zinc naphthenate), 아연 스테레이트(Zinc stearate), 수은 아세테이트(Mercury acetate), 수은 아이오다이드(Mercury iodide), 수은 브로마이드(Mercury bromide), 수은 클로라이드(Mercury chloride), 수은 플루오라이드(Mercury fluoride), 수은 시아나이드(Mercury cyanide), 수은 나이트레이트(Mercury nitrate), 수은 나이트레이트 일수화물(Mercury nitrate monohydrate), 수은 옥사이드(Mercury oxide), 수은 퍼클로레이트(Mercury perchlorate), 수은 퍼클로레이트 사수화물(Mercury perchlorate tetrahydrate), 수은 퍼클로레이트 삼수화물(Mercury perchlorate trihydrate), 수은 설페이트(Mercury sulfate), 디메틸 수은 (Dimethyl mercury), 디에틸 수은(Diethyl mercury), 디페닐 수은(Diphenyl mercury), 수은 설페이트 (Mercury sulfate), 수은 트리플로로메텐설포네이트(Mercury trifluoromethanesulfonate), 메틸 수은 클로라이드 (Methylmercury chloride), 메틸 수은 아이오다이드 (Methylmercury iodide), 페닐 수은 아세테이트(Phenylmercury acetate), 페닐 수은 클로라이드(Phenylmercury chloride), 알루미늄 아세테이트(Alumium acetate), 알루미늄 아이오다이드(Alumium iodide), 알루미늄 브로마이드(Alumium bromide), 알루미늄 클로라이드(Alumium chloride), 알루미늄 클로라이드 육수화물(Alumium chloride hexahydrate), 알루미늄 플루오라이드(Alumium fluoride), 알루미늄 나이트레이트(Alumium nitrate), 알루미늄 옥사이드(Alumium oxide), 알루미늄 퍼클로레이트(Alumium perchlorate), 알루미늄 카바이드(Alumium carbide), 알루미늄 스테레이트(Alumium stearate), 알루미늄 설페이트(Alumium sulfate), 디-i-부틸알루미늄 클로라이드(Di-i-butylalumium chloride), 디에틸알루미늄 클로라이드(Diethylalumium chloride), 트리-i-부틸알루미늄 (Tri-i-butylaluminum), 트리에틸알루미늄(Triethylalumium), 트리에틸(트리-sec-부톡시)디알루미늄(Triethyl(tri-sec-butoxy)dialuminum), 트리메틸 알루미늄(Trimethylalumium), 갈륨 아세틸아세토네이트(Gallium acetylacetonate), 갈륨 클로라이드(Gallium chloride), 갈륨 플루오라이드(Gallium fluoride), 갈륨 플루오라이드 삼수화물(Gallium fluoride trihydrate), 갈륨 옥사이드(Gallium oxide), 갈륨 나이트레이트(Gallium nitrate), 갈륨 나이트레이트 수화물(Gallium nitrate hydrate), 갈륨 설페이트(Gallium sulfate), 갈륨 아이오다이드(Gallium iodide), 트리에틸 갈륨(Triethyl gallium), 트리메틸 갈륨(Trimethyl gallium), 인듐 클로라이드(Indium chloride), 인듐 클로라이드 사수화물(Indium chloride tetrahydrate), 인듐 옥사이드(Indium oxide), 인듐 나이트레이트(Indium nitrate), 인듐 나이트레이트 수화물(Indium nitrate hydrate), 인듐 설페이트(Indium sulfate), 인듐 설페이트 수화물(Indium sulfate hydrate), 인듐 아세테이트(Indium acetate), 인듐 아세틸아세토네이트(Indium acetylacetonate), 인듐 브로마이드(Indium bromide), 인듐 플로라이드(Indium fluoride), 인듐 플로라이드 삼수화물(Indium fluoride trihydrate), 트리메틸 인듐(Trimethyl indium), 납 아세테이트(Lead acetate), 납 아세테이트 삼수화물(Lead acetate trihydrate), 납 브로마이드(Lead bromide), 납 클로라이드(Lead chloride), 납 플루오라이드(Lead fluoride), 납 옥사이드(Lead oxide), 납 퍼클로레이트(Lead perchlorate), 납 나이트레이트(Lead nitrate), 납 설페이트(Lead sulfate), 납 카보네이트(Lead carbonate), 납 아세틸아세토네이트(Lead acethylacetonate), 납 시트레이트(Lead citrate), 납 플로라이드(Lead fluoride), 납 나프탈레네이트(Lead naphthenate), 주석 아세테이트(Tin acetate), 주석 비스아세틸아세토네이트(Tin bisacetylacetonate), 주석 브로마이드(Tin bromide), 주석 클로라이드(Tin chloride), 주석 클로라이드 이수화물(Tin chloride dihydrate), 주석 클로라이드 오수화물(Tin chloride pentahydrate), 주석 플루오라이드(Tin fluoride), 주석 옥사이드(Tin oxide), 주석 설페이트(Tin sulfate), 주석 아이오다이드(Tin iodide), 디페닐 주석 디클로라이드(Diphenytin dichloride), 게르마늄 테트라클로라이드(Germanium tetrachloride), 게르마늄 옥사이드(Germanium oxide), 게르마늄 에톡사이드(Germanium ethoxide), 게르마늄 브로마이드(Germanium bromide), 게르마늄 아이오다이드(Germanium iodide), 테트라메틸 게르마늄(Tetramethyl germanium), 트리메틸 게르마늄 클로라이드(Trimethyl germanium chloride), 트리메틸 게르마늄 브로마이드(Trimethyl germanium bromide) 및 트리에틸 게르마늄 클로라이드(Triethyl germanium chloride)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체의 제조방법
14 14
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 제 2 전구체는 15족 원소 및 16족 원소로 이루어진 군으로 부터 선택된 어느 하나인 원소의 전구체인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체의 제조방법
15 15
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 제 2 전구체는 트리옥틸포스핀 셀레나이드(trioctylphosphine selenide), 트리부틸포스핀 셀레나이드(tributylphosphine selenide), 디에틸 디셀레나이드(Diethyl diselenide), 디메틸 셀레나이드(Dimethyl selenide), 비스(트리메틸 실리) 셀레나이드(bis(trimethylsilyl)selenide), 셀렌-트리페닐포스핀(Se-triphenylphosphine), 트리옥틸포스핀 텔루라이드(trioctylphosphine telluride), 트리부틸포스핀 텔루라이드(tributylphosphine telluride), 비스(트리메틸 실리) 텔루라이드(bis(trimethylsilyl) telluride), 텔루르-트리페닐포스핀(Te-triphenylphosphine), 설퍼-트리옥틸포스핀(S-trioctylphosphine), 설퍼-트리부틸포스핀(S-tributylphosphine), 설퍼-트리페닐포스핀(S-triphenylphosphine), 설퍼-트리옥틸아민(S-trioctylamine), 비스(트리메틸 실리) 설파이드(bis(trimethylsilyl) sulfide), 트리메틸실릴 설퍼(trimethylsilyl sulfur), 황화 암모늄(ammonium sulfide), 황화 나트륨(Sodium sulfide), 아르세닉 옥사이드 (Arsenic oxide), 아르세닉 클로라이드(Arsenic chloride), 아르세닉 설페이트(Arsenic sulfate), 아르세닉 브로마이드(Arsenic bromide), 아르세닉 아이오다이드(Arsenic iodide), 테트라페닐아르소늄 클로라이드(Tetraphenylarsonium cholide), 트리에틸 아르신(Triethyl arsine), 트리메틸 아르신(Trimethyl arsine) 및 트리스(트리메틸실리)아르신(Tris(trimethylsilyl) arsine)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체의 제조방법
16 16
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 제 3 전구체는 카르복실기(carboxyl group)를 포함하는 희토류의 전구체인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체의 제조방법
17 17
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 제 3 전구체는 스칸듐 아세테이트 (Scandium acetate), 이트륨 아세테이트 (Yttrium acetate), 란탄 아세테이트 (Lanthanium acetate), 세륨 아세테이트 (Cerium acetate), 프라세오디뮴 아세테이트 (Praseodymium acetate), 네오디뮴 아세테이트 (Neodymium acetate), 프로메튬 아세테이트 (Promethium acetate), 사마륨 아세테이트 (Samarium acetate), 유로퓸 아세테이트 (europium acetate), 가돌리늄 아세테이트 (Gadolinium acetate), 테르븀 아세테이트 (Terbium acetate), 디스프로슘 아세테이트 (Dysprosium acetate), 흘뮴 아세테이트 (holmium acetate), 에르븀 아세테이트 (eubium acetate), 툴륨 아세테이트 (Thulium acetate), 이테르븀 아세테이트 (Ytterbium acetate), 루테튬 아세테이트 (Lutetium acetate), 스칸듐 아세테이트 수화물 (Scandium acetate hydrate), 이트륨 아세테이트 수화물 (Yttrium acetate hydrate), 란탄 아세테이트 수화물 (Lanthanium acetate hydrate), 세륨 아세테이트 수화물 (Cerium acetate hydrate), 프라세오디뮴 아세테이트 수화물 (Praseodymium acetate hydrate), 네오디뮴 아세테이트 수화물 (Neodymium acetate hydrate), 프로메튬 아세테이트 수화물 (Promethium acetate hydrate), 사마륨 아세테이트 수화물 (Samarium acetate hydrate), 유로퓸 아세테이트 수화물 (europium acetate hydrate), 가돌리늄 아세테이트 수화물 (Gadolinium acetate hydrate), 테르븀 아세테이트 수화물 (Terbium acetate hydrate), 디스프로슘 아세테이트 수화물 (Dysprosium acetate hydrate), 흘뮴 아세테이트 수화물 (holmium acetate hydrate), 에르븀 아세테이트 수화물 (eubium acetate hydrate), 툴륨 아세테이트 수화물 (Thulium acetate hydrate), 이테르븀 아세테이트 수화물 (Ytterbium acetate hydrate), 루테튬 아세테이트 수화물 (Lutetium acetate hydrate), 스칸듐 아세틸아세토네이트 수화물 (Scandium acetylacetonate hydrate), 이트륨 아세틸아세토네이트 수화물 (Yttrium acetylacetonate hydrate), 란탄 아세틸아세토네이트 수화물 (Lanthanium acetylacetonate hydrate), 세륨 아세틸아세토네이트 수화물 (Cerium acetylacetonate hydrate), 프라세오디뮴 아세틸아세토네이트 수화물 (Praseodymium acetylacetonate hydrate), 네오디뮴 아세틸아세토네이트 수화물 (Neodymium acetylacetonate hydrate), 프로메튬 아세틸아세토네이트 수화물 (Promethium acetylacetonate hydrate), 사마륨 아세틸아세토네이트 수화물 (Samarium acetylacetonate hydrate), 유로퓸 아세틸아세토네이트 수화물 (europium acetylacetonate hydrate), 가돌리늄 아세틸아세토네이트 수화물 (Gadolinium acetylacetonate hydrate), 테르븀 아세틸아세토네이트 수화물 (Terbium acetylacetonate hydrate), 디스프로슘 아세틸아세토네이트 수화물 (Dysprosium acetylacetonate hydrate), 흘뮴 아세틸아세토네이트 수화물 (holmium acetylacetonate hydrate), 에르븀 아세틸아세토네이트 수화물 (eubium acetylacetonate hydrate), 툴륨 아세틸아세토네이트 수화물 (Thulium acetylacetonate hydrate), 이테르븀 아세틸아세토네이트 수화물 (Ytterbium acetylacetonate hydrate) 및 루테튬 아세틸아세토네이트 수화물 (Lutetium acetylacetonate hydrate)으로 이루어진 군으로 부터 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체의 제조방법
18 18
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 용매는 트리옥틸포스핀 옥사이드(trioctylphosphine oxide), 헥사데칸(hexadecane), 1-헥사데신(1-hexadecene), 옥타데칸(octadecane), 1-옥타데센(1-Octadecene), 헵타데칸(heptaecane), 1-헵타데신(1-heptadecene), 노나데칸(nonadecane) 및 트리 옥틸 포스핀(Tri octyl phosphine)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체의 제조방법
19 19
제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 계면활성제는 스테아르산(stearic acid), 올레인 산 (oleic acid), 미리스트 산(Myristic acid), 팔미트산(palmitic acid), 헥실 포스포늄산(hexyl phosphonicacid), 옥틸 포스포늄산(octyl phosphonicacid), 테트라데실 포스포늄산(tetradecyl phosphonicacid), 옥타데실포스포늄산(octadecyl phosphonic acid), 옥틸 아민(octyl amine), 도데실 아민(dodecy amine), 옥타데실 아민(octadecyl amine), 헥사데실아민(hexadecyl amine), 트리옥틸아민(Trioctyl amine), 트리 옥틸 포스핀(Tri octyl phosphine), 트리 부틸 포스핀(Tri butyl phosphine) 및 트리옥틸포스핀 옥사이드(trioctylphosphine oxide)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체의 제조방법
20 20
제10항에 있어서, 상기 제 1 반응은 상기 제 1 전구체로서 아연 스테레이트(zinc stearate) 0
21 21
제11항에 있어서, 상기 제 A 반응은 상기 제 3 전구체로서 유로퓸 아세테이트 수화물(europium acetate hydrate) 0
22 22
제10항에 있어서, 상기 제 1 반응 시간은 5초~30분이고, 상기 제 2 반응 시간은 5초~30분인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체의 제조방법
23 23
제11항에 있어서, 상기 제 A 반응 시간은 5초~30분이고, 상기 제 B 반응 시간은 5초~30분인 것을 특징으로 하는 ‘양자점’과 ‘희토류 착물’이 결합된 나노복합체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.