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플라즈마 발생 장치 및 기판 처리 장치

  • 기술번호 : KST2015115161
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 발생 장치 및 기판처리 장치를 제공한다.
Int. CL H01J 37/32 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01)
CPC H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01) H01J 37/32568(2013.01)
출원번호/일자 1020110031535 (2011.04.06)
출원인 한국과학기술원, 주성엔지니어링(주)
등록번호/일자 10-1264913-0000 (2013.05.09)
공개번호/일자 10-2012-0113875 (2012.10.16) 문서열기
공고번호/일자 (20130515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020130016155;
심사청구여부/일자 Y (2011.04.06)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주성엔지니어링(주) 대한민국 경기도 광주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장홍영 대한민국 대전광역시 유성구
2 서상훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 이윤성 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이평우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)(특허법인 누리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
2 주성엔지니어링(주) 경기도 광주시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0248919-54
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2011.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-5038358-64
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0451723-01
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0790834-20
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0790869-17
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0031041-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.02.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0136089-94
9 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2013.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0136099-40
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0136092-21
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.03.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0147300-38
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2013-5098149-30
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2019-5143725-93
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상판을 포함하는 진공 용기;외부로부터 공정가스를 제공받아 상기 공정 가스를 분배하고 상기 상판의 하부에 별도로 배치되는 가스 분배부;상기 가스 분배부의 하부에 배치되고 상기 가스 분배부로부터 제공받은 공정가스를 방전 공간에 토출하는 복수의 노즐들을 포함하고 제1 방향으로 나란히 연장되는 절연 지지부들;일정한 간격을 가지고 상기 절연지지부들 사이에 배치되고 상기 제1 방향으로 나란히 연장되는 접지 전극들; 및일정한 간격을 가지고 상기 접지 전극들 사이에 배치되고 상기 절연지지부의 하부에 배치되고 제1 방향으로 나란히 연장되는 전원 전극들을 포함하고,상기 절연 지지부들은 서로 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 나란히 배치되고,상기 방전 공간은 축전 결합 플라즈마를 생성하고 이웃한 접지 전극과 전원 전극 사이에 형성되고,상기 전원 전극들에 RF 전력이 인가되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
2 2
제1 항에 있어서,상기 노즐들은 상기 전원 전극과 상기 접지 전극 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
3 3
제1 항에 있어서,상기 절연 지지부는:상부 절연 지지부; 및상기 상부 절연 지지부의 하부에 배치된 하부 절연 지지부를 포함하고,상기 노즐은:상기 상부 절연 지지부를 관통하는 상부 노즐; 및상기 하부 절연 지지부를 관통하는 하부 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
4 4
제3 항에 있어서, 상기 상부 노즐의 구경은 상기 하부 노즐의 구경보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
5 5
제3 항에 있어서,상기 하부 절연 지지부는 세라믹, 알루미나, 및 쿼츠 중에서 적어도 하나로 형성되고,상기 상부 절연 지지부는 테프론, 피크(PEEK) 수지, 세라믹, MICA, 및 플라스틱 중에서 적어도 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
6 6
제1 항에 있어서,상기 가스 분배부는:상기 상판 하부에 배치된는 상부 가스 분배판; 및상기 상부 가스 분배판의 하부에 배치되는 하부 가스 분배판을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
7 7
제6 항에 있어서,상기 하부 가스 분배판은:상기 하부 가스 분배판의 상부면에 상기 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향으로 배치되는 상기 노즐들과 정렬되는 제1 트렌치; 및상기 제1 트렌치의 내부에 배치되고 상기 노즐들과 정렬되는 예비 노즐들을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
8 8
제6 항에 있어서,상기 제1 트렌치는 상기 접지 전극을 중심으로 서로 이웃한 한 쌍의 상기 노즐들과 연결되도록 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
9 9
삭제
10 10
제6 항에 있어서,상기 상부 가스 분배판은:상기 상부 가스 분배판의 상부면에 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 연장되는 제2 트렌치; 및상기 제2 트렌치의 내부에 배치되고 상기 제1 트렌치와 정렬되는 가스 공급 관통홀를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
11 11
제1 항에 있어서,상기 전원 전극과 상기 접지 전극은 서로 마주보고 서로 일정한 간격을 가지는 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
12 12
제1 항에 있어서,상기 전원 전극 및 상기 접지 전극은 일정한 간격을 유지하면서 테이퍼진 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
13 13
제1 항에 있어서,상기 전원 전극의 일면은 상기 절연 지지부와 접하고,상기 전원 전극의 타면은 곡면 처리되고,상기 접지 전극의 일면은 상기 가스 분배부와 접하고,상기 접지 전극의 타면은 곡면 처리된 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
14 14
제1 항에 있어서,상기 전원 전극은 상기 제1 방향으로 적어도 두 지점에서 상기 RF 전력을 공급받는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
15 15
제14 항에 있어서,상기 전원 전극에 전력을 공하는 전력 공급 라인들; 상기 RF 전력을 제공하는 RF 전원; 및상기 RF 전원과 상기 전력 공급 라인들 사이에 개재되어 상기 RF 전력을 상기 전원 전극들에 분배하는 전력 분배부를 더 포함하고,상기 전력 분배부는 상기 진공 용기의 외부에 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
16 16
제15 항에 있어서,상기 전력 공급 라인들에 상기 제1 방향으로 이격되어 배치된 고정 라인들을 더 포함하고,상기 고정 라인들의 일단은 상기 전원 전극에 고정 결합하고, 상기 고정 라인들의 타단은 상기 상판에 고정 결합하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
17 17
제1 항에 있어서,상기 전원 전극은 측면에 형성된 홀들을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
18 18
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19 19
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20 20
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21 21
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22 22
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23 23
상판을 포함하는 진공 용기;외부로부터 공정가스를 제공받아 상기 공정 가스를 분배하고 상기 상판의 하부에 별도로 배치되는 가스 분배부;상기 가스 분배부의 하부에 배치되고 상기 가스 분배부로부터 제공받은 공정가스를 방전 공간에 토출하고 복수의 노즐들을 포함하는 절연 지지부;일정한 간격을 가지고 상기 절연지지부의 하부에 배치되고 제1 방향으로 나란히 연장되는 접지 전극들; 및일정한 간격을 가지고 상기 접지 전극들 사이에 배치되고 상기 절연지지부의 하부에 배치되고 상기 제1 방향으로 나란히 연장되는 전원 전극들을 포함하고,상기 방전 공간은 축전 결합 플라즈마를 생성하고 이웃한 접지 전극과 전원 전극 사이에 형성되고,상기 전원 전극들에 RF 전력이 인가되고,상기 가스 분배부는:상기 상판 하부에 배치된는 상부 가스 분배판; 및상기 상부 가스 분배판의 하부에 배치되는 하부 가스 분배판을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
24 24
제23 항에 있어서,상기 하부 가스 분배판은:상기 하부 가스 분배판의 상부면에 상기 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향으로 배치되는 상기 노즐들과 정렬되는 제1 트렌치; 및상기 제1 트렌치의 내부에 배치되고 상기 노즐들과 정렬되는 예비 노즐들을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
25 25
제24 항에 있어서,상기 제1 트렌치는 상기 접지 전극을 중심으로 서로 이웃한 한 쌍의 상기 노즐들과 연결되도록 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생 장치
26 26
삭제
27 27
상판을 포함하는 진공 용기;외부로부터 공정가스를 제공받아 상기 공정 가스를 분배하고 상기 상판의 하부에 별도로 배치되는 가스 분배부;상기 가스 분배부의 하부에 배치되고 상기 가스 분배부로부터 제공받은 공정가스를 방전 공간에 토출하는 복수의 노즐들을 포함하고 제1 방향으로 나란히 연장되는 절연 지지부들;일정한 간격을 가지고 상기 절연지지부들 사이에 배치되고 상기 제1 방향으로 나란히 연장되는 접지 전극들;일정한 간격을 가지고 상기 접지 전극들 사이에 배치되고 상기 절연지지부의 하부에 배치되고 상기 제1 방향으로 나란히 연장되는 전원 전극들; 및상기 전원 전극들의 하부에 배치되는 기판 홀더를 포함하고,상기 절연 지지부들은 서로 상기 제1 방향을 가로지르는 제2 방향으로 나란히 배치되고,상기 방전 공간은 축전 결합 플라즈마를 생성하고 이웃한 접지 전극과 전원 전극 사이에 형성되고,상기 전원 전극들에 RF 전력이 인가되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
28 28
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10 WO2012134199 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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