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반도체-초전도체 전이 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015115552
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 반도체-초전도체 전이 트랜지스터는 기판 상에 존재하는 제1 전극; 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극; 상기 제1 전극으로부터 상기 제2 전극으로 연장되는 반도체-초전도체 전이층; 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 이격된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 상기 반도체-초전도체 전이층 사이에 배치된 강유전체층을 포함한다.
Int. CL H01L 39/12 (2006.01) H01L 39/10 (2006.01) H01L 39/02 (2006.01)
CPC H01L 39/228(2013.01) H01L 39/228(2013.01) H01L 39/228(2013.01) H01L 39/228(2013.01)
출원번호/일자 1020110048233 (2011.05.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1234870-0000 (2013.02.13)
공개번호/일자 10-2012-0130359 (2012.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20130219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염도준 대한민국 대전광역시 유성구
2 이준규 대한민국 서울특별시 강남구
3 곽기성 대한민국 경상북도 김천시 시청*길 **
4 이원기 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0379981-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0011065-75
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0579022-71
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0977932-82
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0977933-27
7 등록결정서
Decision to grant
2013.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0045418-57
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 존재하는 제1 전극;상기 제1 전극과 이격된 제2 전극;상기 제1 전극으로부터 상기 제2 전극으로 연장되어 배치되는 반도체-초전도체 전이층 및 상기 반도체-초전도체 전이층 상에 배치되는 강유전체층이 적층되어 구성되는 다층막; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극에 이격된 게이트 전극을 포함하되,상기 다층막은 복수 개로 구성되며, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상기 다층막의 두께 방향을 따라 관통하도록 배치되어, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 상기 복수의 반도체-초전도체 전이층의 측면과 전기적으로 연결되는 반도체-초전도체 전이 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 반도체-초전도체 전이층과 상기 강유전체층 사이에 존재하는 버퍼층을 포함하는 반도체-초전도체 전이 트랜지스터
4 4
제3항에 있어서,상기 버퍼층은 YSZ 또는 란타늄망간산화물인 반도체-초전도체 전이 트랜지스터
5 5
삭제
6 6
제3항에 있어서상기 기판은 란타늄알루미늄산화물을 포함하고, 상기 반도체-초전도체 전이층은 SmBCO이며, 상기 강유전체층은 KTN이며, 상기 버퍼층은 YSZ 또는 란타늄망간산화물인 반도체-초전도체 전이 트랜지스터
7 7
제1항에 있어서,상기 강유전체층은 산화물 강유전체, 불화물 강유전체 또는 고분자 강유전체를 포함하는 반도체-초전도체 전이 트랜지스터
8 8
제1항에 있어서,상기 강유전체층은 리튬니오븀산화물, 리튬탄탈륨산화물 또는 KTN을 포함하는 반도체-초전도체 전이 트랜지스터
9 9
제1항에 있어서,상기 반도체-초전도체 전이층은 Re1Ba2Cu3O6+δ(Re는 희토류 원소, 0003c#δ≤0
10 10
제1항에 있어서,상기 강유전체층은 자발분극이 20μC/㎝2 이상인 물질을 포함하는 반도체-초전도체 전이 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.