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블록 공중합체의 자기조립 기술을 이용한 차세대 디스플레이용 그래핀 양자점 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015115586
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 그래핀 양자점 제조 방법에서는 블록 공중합체 자기조립 공정을 적용함으로써 일정한 크기의 그래핀 양자점 제조가 가능하여 기존의 넓은 PL 스펙트럼 특성을 개선할 수 있다. 그래핀 양자점의 크기 제어가 가능함에 따라 쉽게 빛의 파장을 제어할 수 있고 RGB 컬러 구현이 되어, 고성능의 차세대 디스플레이로의 응용이 될 수 있다. 그리고, 색 재현율 및 빛의 밝기가 뛰어난 그래핀 양자점을 생산할 수 있다.
Int. CL C09K 11/00 (2006.01) C09K 11/06 (2006.01)
CPC C09K 11/65(2013.01) C09K 11/65(2013.01) C09K 11/65(2013.01) C09K 11/65(2013.01) C09K 11/65(2013.01)
출원번호/일자 1020110030521 (2011.04.04)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1333057-0000 (2013.11.20)
공개번호/일자 10-2012-0112924 (2012.10.12) 문서열기
공고번호/일자 (20131126) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전석우 대한민국 대전광역시 유성구
2 정연식 대한민국 대전광역시 유성구
3 박운익 대한민국 부산광역시 해운대구
4 이진섭 대한민국 대전광역시 유성구
5 김경호 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0242171-70
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0022729-30
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0603606-33
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-1008689-43
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1008705-97
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0101700-21
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0290557-28
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0290578-87
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0570443-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
(a) 다층 그래핀 또는 흑연으로 이루어진 재료층 상에 블록 공중합체를 도포하는 단계; (b) 상기 블록 공중합체를 열처리하여 상분리함으로써 상기 재료층 상에 상기 블록 공중합체로부터 유래하는 수-수십 nm 크기의 자기조립 구조물을 형성하는 단계; (c) 상기 자기조립 구조물을 마스크로 이용하여 상기 재료층을 식각하는 단계;(d) 식각된 상기 재료층을 인터칼레이션(intercalation)하여 그래핀으로 만드는 단계를 포함하는 그래핀 양자점 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 재료층 상에 블록 공중합체를 도포하기 전에 상기 재료층 표면을 소수화하는 브러시층(brush layer)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 브러시층은 PDMS, PS, HMDS 및 PMMA 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 제조방법
5 5
제2항에 있어서, 상기 블록 공중합체는 PDMS와 PS의 혼합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 제조방법
6 6
(a) 단층 그래핀으로 이루어진 재료층 상에 PDMS와 PS의 혼합물로 이루어진블록 공중합체를 도포하는 단계; (b) 상기 블록 공중합체를 열처리하여 상분리함으로써 상기 재료층 상에 PDMS층과 PS층, 그리고 상기 블록 공중합체로부터 유래하는 수-수십 nm 크기의 산화된 PDMS 도트(dot) 자기조립 구조물을 형성하는 단계; 및(c) 상기 자기조립 구조물을 마스크로 이용하여 상기 재료층을 식각하는 단계를 포함하는 그래핀 양자점 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 상분리 후 상기 자기조립 구조물이 드러날 수 있도록 상기 PDMS층과 PS층을 플라즈마 에칭(plasma etching)으로 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 플라즈마 에칭은 상기 PDMS층을 제거하기 위한 CF4 플라즈마 에칭과 상기 PS층을 제거하기 위한 O2 플라즈마 에칭의 2 단계로 수행하는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 제조방법
9 9
제2항에 있어서, 상기 자기조립 구조물의 크기는 상기 블록 공중합체의 분자량에 비례하여 크기가 증가하는 것을 이용하여 제어하는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 제조방법
10 10
제2항 또는 제6항에 있어서, 상기 방법으로 제조되는 양자점은 양자점 크기의 10-20% 수준의 가장자리 거칠기를 가지는 것을 특징으로 하는 그래핀 양자점 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.