| 1 |
1
디아조케토기를 제 1 기능기로 포함하는 제 1 단량체와, 아민기, 히드록실기 또는 티올기를 제 2 기능기로 포함하는 제 2 단량체와, 실리콘이 함유된 제 3 단량체를 포함하는 공중합체
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 제 1 기능기와 제 2 기능기는 광 가교결합될 수 있는 것을 특징으로 하는 공중합체
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 제 3 단량체는 실리콘을 함유하는 제 3 기능기를 측쇄에 포함하는 것을 특징으로 하는 공중합체
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 제 1 단량체는 하기 식(1)의 화학식을 갖는 것을 특징으로 공중합체
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 공중합체는 하기 식(2)의 화학식을 갖는 것을 특징으로 하는 공중합체
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 제 3 단량체는 폴리헤드랄 올리고머릭 실세스퀴옥산(polyhedral oligomeric silsesquioxane)를 포함하는 것을 특징으로 하는 공중합체
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서 디아조케토기를 제 1 기능기로 포함하는 제 1 단량체와, 아민기, 히드록실기 또는 티올기를 제 2 기능기로 포함하는 제 2 단량체와, 실리콘이 함유된 제 3 단량체가 서로 공유결합된 아래 식 3의 화학식을 갖는 공중합체
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서, 하기 식 (4) 내지 (8)로 이루어진 화합물 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 공중합체
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서, 상기 제 1 단량체, 제 2 단량체 및 제 3 단량체의 몰비는 각각 10 내지 50: 10 내지 50: 1 내지 50인것을 특징으로 하는 공중합체
|
| 10 |
10
제 1항의 공중합체, 용매, 첨가제로 구성되는 포토레지스트 조성물
|
| 11 |
11
기판에 이중층 포토레지스트의 하부층을 적층시키는 단계;상기 하부층에 제 10항에 따라 제조된 포토레지스트 조성물을, 상기 이중층 포토레지스트의 상부층으로 적층시키는 단계; 패터닝된 마스크를 통해 빛을 조사한 후, 상부층을 현상하는 단계; 및상기 이중층 포토레지스트의 하부층을 산소 반응성 이온 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세패턴 제조방법
|
| 12 |
12
제 11항에 있어서, 상기 하부층은 SU-8 레지스트인 것을 특징으로 하는 미세패턴 제조방법
|
| 13 |
13
제 11항에 있어서,제 3 단량체의 실리콘은 산소 반응성 이온 에칭에 의하여 경질화되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 제조방법
|
| 14 |
14
제 11항에 있어서, 상기 빛의 조사에 의하여 제 1 단량체와 제 2 단량체는 가교결합되는 것을 특징으로 하는 미세패턴 제조방법
|
| 15 |
15
제 11항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 따라 제조된 미세패턴
|
