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발광 다이오드를 이용한 디스플레이 패널 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015115747
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 패널 및 그 제조방법에 관한 것으로, 발광 다이오드(LED)를 이용한 디스플레이 패널로서, 기판과, 상기 기판의 동일 평면상에 마이크로 크기의 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광 다이오드의 각 중심이 삼각형의 각 꼭지점에 배치된 형태로 서로 분리되어 이루어진 다수개의 단위화소를 포함하되, 상기 기판을 평면에서 보았을 때, 각 단위화소는 행 방향으로 일정간격 이격되게 삼각 및 역삼각 형태로 교대 배열되어 하나의 화소 세트를 구성하고, 상기 화소 세트는 열 방향으로 일정간격 이격되게 다수개로 배열되며, 각 단위화소에 구비된 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광 다이오드의 전류를 조절함으로써 상기 기판 상에 디스플레이 되는 색이 조절됨으로써, 저비용으로 생산성을 효율적으로 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 마이크로 화소화 또는 유연성 디스플레이 장치에 용이하게 적용될 수 있는 효과가 있다.
Int. CL G09F 9/33 (2006.01)
CPC G09F 9/33(2013.01) G09F 9/33(2013.01) G09F 9/33(2013.01) G09F 9/33(2013.01)
출원번호/일자 1020110136214 (2011.12.16)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1265727-0000 (2013.05.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130520) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.16)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 크리스토퍼 로드리게즈 프랑스 대전광역시 유성구
3 고석민 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 진수정 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
3 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
4 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-1001864-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.12.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0002110-66
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0139876-71
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0378055-51
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0378057-42
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0314984-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광 다이오드(LED)를 이용한 디스플레이 패널로서,기판과, 상기 기판의 동일 평면상에 마이크로 크기의 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광 다이오드의 각 중심이 삼각형의 각 꼭지점에 배치된 형태로 서로 분리되어 이루어진 다수개의 단위화소를 포함하되,상기 기판을 평면에서 보았을 때, 각 단위화소는 행 방향으로 일정간격 이격되게 삼각 및 역삼각 형태로 교대 배열되어 하나의 화소 세트를 구성하고, 상기 화소 세트는 열 방향으로 일정간격 이격되게 다수개로 배열되며,각 단위화소에 구비된 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광 다이오드의 전류를 조절함으로써 상기 기판 상에 디스플레이 되는 색이 조절되며,상기 각 단위화소는 상기 동일 기판 상에 다른 활성층을 성장시켜 구현하는 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 패널
2 2
제1 항에 있어서,상기 기판과 다수개의 단위화소 사이에 버퍼층이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 패널
3 3
제1 항에 있어서,각 단위화소의 적색(R) 발광 다이오드는 n-형층, 제1 광학적 활성 매질 및 p-형층이 순차적으로 적층되어 이루어지고, 녹색(G) 발광 다이오드는 n-형층, 제2 광학적 활성 매질 및 p-형층이 순차적으로 적층되어 이루어지고, 청색(B) 발광 다이오드는 n-형층, 제3 광학적 활성 매질 및 p-형층이 순차적으로 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 패널
4 4
제3 항에 있어서,상기 제1 광학적 활성 매질은 5주기 고 인듐 함유량의 InGaN[25Å]/GaN[75Å] 다중 양자우물로 이루어지고, 상기 제2 광학적 활성 매질은 5주기 In0
5 5
제3 항에 있어서,각 단위화소에 구비된 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광 다이오드의 n-형층은 n-도핑 GaN층으로 이루어지며, p-형층은 p-도핑 GaN층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 패널
6 6
발광 다이오드(LED)를 이용한 디스플레이 패널의 제조방법으로서,기판의 동일 평면상에 마이크로 크기의 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광 다이오드의 각 중심이 삼각형의 각 꼭지점에 배치된 형태로 서로 분리되어 이루어진 다수개의 단위화소를 형성하되,상기 기판을 평면에서 보았을 때, 각 단위화소는 행 방향으로 일정간격 이격되게 삼각 및 역삼각 형태로 교대 배열되도록 하나의 화소 세트를 형성하고, 상기 화소 세트는 열 방향으로 일정간격 이격되게 다수개로 배열되도록 형성하며,상기 각 단위화소는 상기 동일 기판 상에 다른 활성층을 성장시켜 구현하는 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 패널의 디스플레이 패널의 제조방법
7 7
발광 다이오드(LED)를 이용한 디스플레이 패널의 제조방법으로서,(a) 기판 상에 버퍼층 및 n-형층을 순차적으로 적층하는 단계;(b) 상기 n-형층 상에 제1 유전층을 형성한 후, 제1 마스크를 이용하여 제1 LED 형성영역의 n-형층이 노출되도록 상기 제1 유전층을 패터닝하는 단계;(c) 상기 노출된 n-형층의 제1 LED 형성영역에 제1 LED 구조물을 형성한 후, 상기 제1 LED 구조물을 제외한 남아있는 제1 유전층을 제거하는 단계;(d) 상기 제1 LED 구조물을 포함한 n-형층 전면에 제2 유전층을 형성한 후, 제2 마스크를 이용하여 제2 LED 형성영역의 n-형층이 노출되도록 상기 제2 유전층을 패터닝하는 단계;(e) 상기 노출된 n-형층의 제2 LED 형성영역에 제2 LED 구조물을 형성한 후, 상기 제1 및 제2 LED 구조물을 제외한 남아있는 제2 유전층을 제거하는 단계;(f) 상기 제1 및 제2 LED 구조물을 포함한 n-형층 전면에 제3 유전층을 형성한 후, 제3 마스크를 이용하여 제3 LED 형성영역의 n-형층이 노출되도록 상기 제3 유전층을 패터닝하는 단계; 및(g) 상기 노출된 n-형층의 제3 LED 형성영역에 제3 LED 구조물을 형성한 후, 상기 제1 내지 제3 LED 구조물을 제외한 남아있는 제3 유전층을 제거하는 단계를 포함하되,상기 제1 내지 제3 LED 구조물은 마이크로 크기의 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광 다이오드들(μLEDs)로서 이들 각 중심이 삼각형의 각 꼭지점에 배치된 형태로 서로 분리되어 이루어진 다수개의 단위화소를 형성하고,상기 기판을 평면에서 보았을 때, 각 단위화소는 행 방향으로 일정간격 이격되게 삼각 및 역삼각 형태로 교대 배열되도록 하나의 화소 세트를 형성하며, 상기 화소 세트는 열 방향으로 일정간격 이격되게 다수개로 배열되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 패널의 제조방법
8 8
제7 항에 있어서,각 단위화소의 적색(R) 발광 다이오드는 n-형층, 제1 광학적 활성 매질 및 p-형층을 순차적으로 적층하여 형성하고, 녹색(G) 발광 다이오드는 n-형층, 제2 광학적 활성 매질 및 p-형층을 순차적으로 적층하여 형성하며, 청색(B) 발광 다이오드는 n-형층, 제3 광학적 활성 매질 및 p-형층을 순차적으로 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 패널의 제조방법
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제8 항에 있어서,상기 제1 광학적 활성 매질은 5주기 고 인듐 함유량의 InGaN[25Å]/GaN[75Å] 다중 양자우물로 형성하고, 상기 제2 광학적 활성 매질은 5주기 In0
10 10
제8 항에 있어서,각 단위화소에 구비된 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 발광 다이오드의 n-형층은 n-도핑 GaN층으로 형성하며, p-형층은 p-도핑 GaN층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 패널의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.