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두 개의 치환기를 비대칭 구조로 포함하는 디아민 화합물, 이를 사용하여 제조된 중합체

  • 기술번호 : KST2015115764
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 [화학식 1]로 표시되는 두 개의 치환기 R 및 R'가 비대칭적으로 도입되어 있는 것을 특징으로 하는 신규한 디아민 화합물 및 상기 디아민 화합물을 이용한 중합체에 관한 것이고, 특히 상기 디아민 화합물과 함께 테트라카르복실산 2무수물 단량체를 중합 반응시킨 것을 특징으로 하는 폴리이미드 전구체인 폴리아믹산 및 이를 이미드화한 폴리이미드에 관한 것으로서 이미드화가 진행된 후에도 유기 용매에 대한 용해도가 충분하여 가공성이 우수하고, 필름화하여도 열적, 기계적 및 광학적 특성이 우수한 물성을 유지할 수 있으므로, 전기, 전자용 또는 광학용 재료 물질로서 유용한 중합체를 제공함을 목적으로 한다.[화학식 1]여기서 R 및 R'는 서로 독립적으로 (i) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C1 내지 C12의 알킬기, (ii) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C1 내지 C12의 알콕시기, (iii) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C2 내지 C12의 알케닐기, (iv) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C2 내지 C12의 알키닐기, (v) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C4 내지 C30의 시클로알킬기, (vi) 치환되지 않거나,, 하나 이상의 할로겐으로 치환된 시클로알케닐기 등에서 선택되는 관능기 이고연결기 -L-은 단일결합, -O-, -S-, -C(=O)O-, -OC(=O)-, -C(=O)-, -SO2-, C(CH3)2-, -C(CF3)2-, -NR"-, 또는 이들의 조합이며(여기서 R"는 수소 또는 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐으로 치환된C1 내지 C6의 알킬)이며상기 두개의 고리그룹 및 는 서로 독립적으로, (i) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐으로 치환된5원 또는 6원환을 최소한 하나 이상 포함하는 C5 내지 C30의 아릴 또는 시클로알킬 그룹, (ii) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐으로 치환된 5원 또는 6원환을 최소한 하나 이상 포함하는 C3 내지 C30의 헤테로아릴 또는 헤테로시클로알킬 그룹이다.
Int. CL C07C 211/49 (2006.01) C08G 73/06 (2006.01) C07B 43/04 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120024323 (2012.03.09)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1385279-0000 (2014.04.08)
공개번호/일자 10-2013-0103023 (2013.09.23) 문서열기
공고번호/일자 (20140416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.09)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상율 대한민국 대전 유성구
2 김선달 대한민국 대전 유성구
3 정임식 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 맹성재 대한민국 대전광역시 서구 청사로 *** (둔산동) 수협빌딩 *층(RnD특허법률사무소)
2 이시근 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, ***호(역삼동, 평화빌딩)(특허법인공간(서울분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0192296-06
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.03.12 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2012-0196998-21
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0219811-98
4 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2012.03.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0029495-99
5 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2012.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0047757-78
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.03.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0013941-37
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0709232-58
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1050126-25
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-1050125-80
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0178868-09
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0248938-25
14 등록결정서
Decision to grant
2014.04.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0242955-19
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
하기 [화학식 1]로 표시되는, 두 개의 치환기 R 및 R'가 고리그룹A와 고리그룹B 중 한쪽의 고리그룹A에만 결합되어 있는 것을 특징으로 하는, 비대칭 디아민 화합물[화학식 1]여기서 R 및 R'는 불소를 함유하는 탄화수소로서, 서로 독립적으로 (i) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C1 내지 C4의 알킬기, (ii) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C4 내지 C6의 시클로알킬기, (iii) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐, C1 내지 C4의 알킬기, 또는 C1 내지 C4의 할로겐화 알킬기로 치환된 C6 내지 C12의 아릴기, (iv) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐, C1 내지 C4의 알킬기, 또는 C1 내지 C4의 할로겐화 알킬기로 치환된 C6 내지 C9의 아릴알킬기에서 선택되는 관능기이고연결기 -L-은 단일결합, -O-, 또는 -S- 이며,상기 고리그룹 및 는 서로 독립적으로, (i) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C6 내지 C12의 아릴 또는 시클로알킬 그룹이다
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,하기 화학식 2로 표시되고, 두개의 트리플루오로메틸기가 한쪽의 고리그룹에만 비대칭적으로 결합되는 것을 특징으로 하는 디아민 화합물
5 5
하기 반응식1의 화학식A 화합물과 화학식B 화합물을 친핵체 치환반응을 통해 화학식C의 디니트로화합물을 제조하는 단계; 및 상기 화학식C의 디니트로화합물을 수소화 반응하는 단계;를 포함하며, 하기 반응식2내 화학식1로 표시되는 비대칭 디아민 화합물의 제조 방법 [반응식 1] [반응식 2]i) 상기 [반응식 1]에서 -X 또는 -Y 중 어느 하나는 할로겐원자(-F, -Cl, -Br 또는 -I) 중에서 선택되는 하나의 관능기이며, 나머지 하나는 상기 반응식 1의 첫 번째 반응의 생성물인 디니트로 화합물에서 연결기 -L-을 형성하도록 하는 OH, SH 또는 이들의 알카리 금속염이고, ii) R 및 R'는 불소를 함유하는 탄화수소로서, 서로 독립적으로 (i) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C1 내지 C4의 알킬기, (ii) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C4 내지 C6의 시클로알킬기, (iii) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐, C1 내지 C4의 알킬기, 또는 C1 내지 C4의 할로겐화 알킬기로 치환된 C6 내지 C12의 아릴기, (iv) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐, C1 내지 C4의 알킬기, 또는 C1 내지 C4의 할로겐화 알킬기로 치환된 C6 내지 C9의 아릴알킬기에서 선택되는 관능기이고, iii) 연결기 -L-은 -O-, -S- 중에서 선택되는 하나의 연결기이며,상기 고리그룹 및 는 서로 독립적으로, (i) 치환되지 않거나 하나 이상의 할로겐으로 치환된 C6 내지 C12의 아릴 또는 시클로알킬 그룹이다
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제5항에 있어서,상기 반응식1의 반응물로서, 1-브로모-4-나이트로-2,6-비스트리플루오로메틸벤젠 및 4-나이트로페놀을 사용하여, 하기 화학식 3로 표현된 디나이트로 화합물을 제조하고, 화학식 3의 디니트로 화합물 내의 니트로기를 환원 반응시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 디아민 화합물의 제조방법[화학식 3]
9 9
제1항 또는 제4항에 기재된 비대칭 디아민 화합물을 단량체로 사용하여 중합반응을 통해 폴리아미드, 폴리아믹산, 폴리이미드 중에서 선택되는 어느 하나의 고분자를 제조하는 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 비대칭 디아민화합물 및 테트라카르복실산을 단량체로하며 이미드화 반응을 통해 폴리이미드를 제조하는 방법으로서, 얻어지는 폴리이미드가 하기 화학식 5으로 표시되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드를 제조하는 방법[화학식 5]여기서 n은 10 내지 5,000,000에서 선택되는 정수이고, 방향족환의 Ar그룹은 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중에서 선택되는 치환기를 포함하는 방향족 그룹, 또는 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기 중에서 선택되는 치환기를 포함하는 헤테로 사이클릭 방향족 그룹이며, R 및 R'은 상기 제1항에서 정의된 바와 동일하다
11 11
제10항에 있어서, 상기 비대칭 디아민 화합물 및 테트라카르복실산 단량체를 유기용매에 용해시켜 폴리아믹산을 만들고, 이를 가열, 교반하여 이미드화시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 폴리이미드의 제조방법
12 12
제 10항에 있어서, 상기 테트라카르복실산 단량체는 1,2,4,5-벤젠테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-다이페닐에테르카르복실산 2무수물, 2,2',3,3'-다이페닐에테르카르복실산 2무수물, 3,3'-옥시프탈산 2무수물, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카르복실산 2무수물, 2,2',3,3'-바이페닐테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-테트라카르복실다이페닐설파이드 2무수물, 2,2',3,3'-테트라카르복실다이페닐다이페닐설파이드 2무수물, 3,3',4,4'-테트라카르복실다이페닐술폰 2무수물, 2,2',3,3'-테트라카르복실다이페닐술폰 2무수물, 4,4'-헥사플루오로이소프로필리덴다이프탈산 무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물 및 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물로 이루어지는 군으로부터 적어도 하나가 선택되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드의 제조방법
13 13
제 10항에 있어서, 상기 디아민 화합물이 4,4'-다이아미노다이페닐 에테르, 3,4'-다이아미노다이페닐 에테르, 3,3'-다이아미노다이페닐 에테르, 2,4'-다이아미노다이페닐 에테르, 2,2'-다이아미노다이페닐 에테르, 2,3'-다이아미노다이페닐 에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, o-페닐렌디아민, p-아미노벤질아민, m-아미노벤질아민, 4,4'-다이아미노다이페닐메탄, 3,4'-다이아미노다이페닐메탄, 3,3'-다이아미노다이페닐메탄, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 비스(4-아미노페닐)설파이드, 비스(3-아미노페닐)설파이드, 3,4-다이아미노페닐설파이드, 비스(4-아미노페닐)술폭사이드, 비스(3-아미노페닐)술폭사이드, 3,4-다이아미노페닐술폭사이드, 비스(4-아미노페닐)술폰, 비스(3-아미노페닐)술폰, 3,4-다이아미노페닐술폰, 4,4'-다이아미노벤조페논, 3,4'-다이아미노벤조페논, 3,3'-다이아미노벤조페논, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스[4-(3-아미노페녹시)벤조일]벤젠, 1,3-비스[4-(3-아미노페녹시)벤조일]벤젠, 4,4'-비스[3-(4-아미노페녹시)벤조일]다이페닐에테르, 4,4'-비스[3-(3-아미노페녹시)벤조일]다이페닐에테르, 4,4'-비스[4-(4-아미노-알파,알파-다이메틸벤질)페녹시]벤조페논, 4,4'-비스[4-(4-아미노-알파,알파-다이메틸벤질)페녹시]다이페닐술폰, 비스[4-{4-(4-아미노페녹시)페녹시}페닐]술폰, 1,4-비스[4-(4-아미노페녹시)-알파,알파-다이메틸벤질]벤젠, 1,3-비스[4-(4-아미노페녹시)-알파,알파-다이메틸벤질]벤젠, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 및 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 다른 디아민과 혼합되어, 폴리아믹산을 제조하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드의 제조방법
14 14
제1항 또는 제4항에 기재된 디아민 화합물을 단량체로 사용하여 중합반응을 통해 얻어지는 폴리아미드, 폴리아믹산, 또는 폴리이미드 고분자 중합체
15 15
제1항 또는 제4항에 기재된 비대칭 디아민 화합물과 테트라카르복실산을 단량체로 하여 이미드화시켜 제조되고, 하기 화학식 5로 표시되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 중합체
16 16
제 15항에 있어서, 상기 테트라카르복실산 단량체는 1,2,4,5-벤젠테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 2,2',3,3'-벤조페논테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-다이페닐에테르카르복실산 2무수물, 2,2',3,3'-다이페닐에테르카르복실산 2무수물, 3,3'-옥시프탈산 2무수물, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카르복실산 2무수물, 2,2',3,3'-바이페닐테트라카르복실산 2무수물, 3,3',4,4'-테트라카르복실다이페닐설파이드 2무수물, 2,2',3,3'-테트라카르복실다이페닐다이페닐설파이드 2무수물, 3,3',4,4'-테트라카르복실다이페닐술폰 2무수물, 2,2',3,3'-테트라카르복실다이페닐술폰 2무수물, 4,4'-헥사플루오로이소프로필리덴다이프탈산 무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물 및 2,3,6,7-나프탈렌테트라카르복실산 2무수물로 이루어지는 군으로부터 적어도 하나가 선택되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 중합체
17 17
제 15항에 있어서, 상기 디아민 화합물이 4,4'-다이아미노다이페닐 에테르, 3,4'-다이아미노다이페닐 에테르, 3,3'-다이아미노다이페닐 에테르, 2,4'-다이아미노다이페닐 에테르, 2,2'-다이아미노다이페닐 에테르, 2,3'-다이아미노다이페닐 에테르, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, p-페닐렌디아민, m-페닐렌디아민, o-페닐렌디아민, p-아미노벤질아민, m-아미노벤질아민, 4,4'-다이아미노다이페닐메탄, 3,4'-다이아미노다이페닐메탄, 3,3'-다이아미노다이페닐메탄, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]프로판, 비스(4-아미노페닐)설파이드, 비스(3-아미노페닐)설파이드, 3,4-다이아미노페닐설파이드, 비스(4-아미노페닐)술폭사이드, 비스(3-아미노페닐)술폭사이드, 3,4-다이아미노페닐술폭사이드, 비스(4-아미노페닐)술폰, 비스(3-아미노페닐)술폰, 3,4-다이아미노페닐술폰, 4,4'-다이아미노벤조페논, 3,4'-다이아미노벤조페논, 3,3'-다이아미노벤조페논, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]술폰, 비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]에테르, 1,4-비스[4-(3-아미노페녹시)벤조일]벤젠, 1,3-비스[4-(3-아미노페녹시)벤조일]벤젠, 4,4'-비스[3-(4-아미노페녹시)벤조일]다이페닐에테르, 4,4'-비스[3-(3-아미노페녹시)벤조일]다이페닐에테르, 4,4'-비스[4-(4-아미노-알파,알파-다이메틸벤질)페녹시]벤조페논, 4,4'-비스[4-(4-아미노-알파,알파-다이메틸벤질)페녹시]다이페닐술폰, 비스[4-{4-(4-아미노페녹시)페녹시}페닐]술폰, 1,4-비스[4-(4-아미노페녹시)-알파,알파-다이메틸벤질]벤젠, 1,3-비스[4-(4-아미노페녹시)-알파,알파-다이메틸벤질]벤젠, 2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 및 2,2-비스[4-(3-아미노페녹시)페닐]-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 다른 디아민과 혼합되어, 폴리아믹산을 제조하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 중합체
18 18
제15항에 기재된 폴리이미드 중합체를 극성비양성자성 유기용매 또는 방향족 알코올 용매에 용해시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 필름
19 19
제18항에 있어서, 상기 극성비양성자성 유기용매는 N,N-다이메틸포름아마이드(DMF), N,N-다이메틸아세트아마이드(DMAc), N-메틸피롤리돈(NMP), 및 다이메틸술폭사이드(DMSO), 테트라하이드로퓨란(THF), 아니솔로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 상기 방향족 알코올 용매는 m-크레졸로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 필름
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05948443 JP 일본 FAMILY
2 JP27508772 JP 일본 FAMILY
3 US20150045481 US 미국 FAMILY
4 WO2013133508 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2015508772 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5948443 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2015045481 US 미국 DOCDBFAMILY
4 WO2013133508 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 기초과학연구사업 기능성 거대 단분자의 합성 및 응용 연구
2 교육과학기술부 한국생명공학연구원 기초연구사업(일반연구자지원사업) 선택적 표면 제어용 신규 고분자 제조 및 응용 기술