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분무열분해법을 이용한 광활성 특성이 개선된 스트론튬 티탄산 입자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015115942
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 분무열분해법을 이용한 광활성 특성이 개선된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 니켈(Ni), 탄탈럼(Ta) 및 란탄(La) 이 도핑된 스트론튬 티탄산 입자를 분무열분해법에 의해 제조함으로써 기존에 알려진 방법에 의해 제조된 입자에 비해 입자의 다공성도가 크게 증가하고, 수소 발생 속도가 현저히 증가한 광촉매 입자를 연속 공정에 의해 제조할 수 있다.
Int. CL B01J 23/02 (2006.01) B01J 2/00 (2006.01) B01J 21/06 (2006.01) B01J 23/42 (2006.01)
CPC B01J 37/082(2013.01) B01J 37/082(2013.01) B01J 37/082(2013.01) B01J 37/082(2013.01) B01J 37/082(2013.01)
출원번호/일자 1020120055864 (2012.05.25)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1448666-0000 (2014.10.01)
공개번호/일자 10-2013-0131910 (2013.12.04) 문서열기
공고번호/일자 (20141022) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.25)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박승빈 대한민국 대전광역시 유성구
2 강현우 대한민국 대전광역시 유성구
3 임성남 대한민국 대전광역시 유성구
4 송동수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0419875-34
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2013-0019677-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0650902-79
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-1069406-48
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-1179387-60
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0072084-11
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0180745-48
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0180746-94
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0407030-72
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.07.11 수리 (Accepted) 7-1-2014-0026366-64
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0656662-33
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0768094-58
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.08.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0768095-04
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0625391-96
17 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2014.10.01 수리 (Accepted) 2-1-2014-0541191-56
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스트론튬, 티타늄, 니켈, 탄탈럼 및 란탄 원소를 포함하는 금속 전구체 물질을 용매에 분산 또는 용해시켜 금속 전구체 용액을 제조하는 제1단계; 상기 제1단계에서 제조된 금속 전구체 용액을 분무장치를 이용하여 액적을 생성시키는 제2단계; 및상기 제2단계에서 생성된 액적을 열처리하여 니켈, 탄탈럼 및 0
2 2
제 1항에 있어서,상기 제1단계의 금속 전구체 물질은 질산스트론튬(Sr(NO3)2), 티타늄아이소프로포사이드(Ti[OCH(CH3)2]4), 질산니켈수화물(Ni(NO3)26H2O), 탄탈럼에톡사이드(Ta(OC2H5)5) 및 질산란탄수화물(La(NO3)36H2O)의 혼합물인 것을 특징으로 하는 광활성 특성이 개선된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제1단계에서 제조된 금속 전구체 용액의 농도는 0
4 4
제 1항에 있어서,상기 제1단계의 금속 전구체 용액의 용매는 질산 20% 수용액 인 것을 특징으로 하는 광활성 특성이 개선된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 금속 전구체 용액에 추가적으로 고분자 용액을 첨가하는 것을 특징으로 하는 광활성 특성이 개선된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 고분자 용액은 시트르산과 에틸렌 글리콜의 혼합물인 것을 특징으로 하는 광활성 특성이 개선된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 시트르산과 상기 에틸렌 글리콜의 몰 비는 1:1 인 것을 특징으로 하는 광활성 특성이 개선된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 제2단계에서 생성된 액적은 0
9 9
제 1항에 있어서,상기 제3단계의 열처리는 500 내지 1500℃에서 실시되는 것을 특징으로 하는 광활성 특성이 개선된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 제3단계에서 제조된 스트론튬 티탄산 입자 표면에 추가적으로 백금을 담지시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광활성 특성이 개선된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자의 제조방법
11 11
청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
12 12
제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되는 광활성 특성이 개선된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자
13 13
제 12항에 있어서, 상기 광촉매 입자의 표면에 백금 촉매가 담지된 것을 특징으로 하는 광활성 특성이 개선된 스트론튬 티탄산 광촉매 입자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 기초과학연구사업 태양광(가시광 자외선)에 최적화된 광촉매의 제조 및 반응 특성