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전극 구조물 및 이를 포함하는 발광소자

  • 기술번호 : KST2015116087
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예는 나노 스케일의 크기를 갖는 복수 개의 은(Ag) 입자를 포함하는 도전층; 및 상기 도전층의 사이에 형성된 복수 개의 홀을 포함하고, 상기 홀은 제1 면의 개구부의 크기가 제2 면의 개구부의 크기보다 큰 전극 구조물을 제공한다.
Int. CL H01L 33/38 (2010.01.01)
CPC H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01) H01L 33/38(2013.01)
출원번호/일자 1020120120671 (2012.10.29)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1972048-0000 (2019.04.18)
공개번호/일자 10-2014-0054770 (2014.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20190816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.10.11)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정진 대한민국 서울 동작구
2 박금환 대한민국 서울 중구
3 현우진 대한민국 서울 은평구
4 박오옥 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0884199-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
4 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-1214059-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2017.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0983311-18
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.10.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0983309-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0559925-33
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-1026216-12
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1026215-66
15 등록결정서
Decision to grant
2019.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0108922-86
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
17 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5020568-77
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 스케일의 크기를 갖는 복수 개의 은(Ag) 입자를 포함하는 도전층; 및상기 도전층의 사이에 형성된 복수 개의 홀을 포함하고,상기 도전층은 적어도 2개의 은 입자들이 하나의 덩어리를 이루는 입자 소성체를 포함하고, 상기 복수 개의 홀은 상기 도전층의 제1 면에 배치된 제1 개구부와 상기 제1 면과 반대 방향의 제2 면에 배치된 제2 개구부를 포함하고, 상기 복수개의 홀 중 적어도 하나는 상기 제1 개구부의 크기가 상기 제2 개구부의 크기보다 크고 상기 제2 개구부에서 상기 제1 개구부로 갈수록 홀의 직경이 증가하는 영역을 포함하고, 상기 도전층과 상기 복수의 홀을 통해 투과되는 광의 투과율이 80%이상인 전극 구조물
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1개구부와 상기 제2개구부를 연결하는 상기 홀의 내측면의 단면의 형상은 곡선을 포함하는 전극 구조물
3 3
제2 항에 있어서,상기 은 입자는 10 나노미터 내지 50 나노미터의 크기를 갖고, 상기 도전층은 30 나노미터 내지 200 나노미터의 두께를 가지는 전극 구조물
4 4
제1 항에 있어서,도전형 반도체층과 이루는 면저항이 100옴 이하인 전극 구조물
5 5
제1 항에 있어서,상기 도전층은 상기 은 입자가 2층 내지 3층으로 배치되고, 상기 입자 소성체의 크기는 상기 은 입자 크기의 2배~3배인 전극 구조물
6 6
제1 항에 있어서,상기 복수 개의 홀은 열과 행을 이루며 배치되고, 인접한 상기 열 또는 행에 배치된 홀들은 서로 교번하여 배치되는 전극 구조물
7 7
제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상의 활성층, 및 상기 활성층 상의 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 배치된 제1 전극과 제2 전극; 및상기 제1 전극과 제2 전극 중 적어도 하나와 상기 발광구조물 사이에 배치된 제1 항 내지 6항 중 어느 한 항의 전극 구조물을 포함하는 발광소자
8 8
제7 항에 있어서, 상기 전극구조물은 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제2 전극의 사이에 배치되는 발광소자
9 9
제7 항에 있어서,상기 전극 구조물의 제2개구부는 상기 제1개구부보다 상기 활성층에 인접한 발광소자
10 10
제7 항에 있어서,상기 활성층으로부터 자외선, 근자외선 또는 심자외선 파장 영역의 빛이 방출되는 발광소자
11 11
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12 12
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