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평판 공진기 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015116412
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 평판 공진기는 금속층, 금속층 상에 형성되고 광학 이득(optical gain) 특성을 가지며 금속층에 의해 표면에 전기장을 집중시키는 유전체층 및 유전체층 상에 형성되고 유전체층 표면의 전기장과 상호 작용하여 공진기를 형성하는 복수의 나노 와이어를 포함한다.
Int. CL H01P 7/10 (2006.01)
CPC H01P 7/10(2013.01) H01P 7/10(2013.01) H01P 7/10(2013.01) H01P 7/10(2013.01)
출원번호/일자 1020130025535 (2013.03.11)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1437769-0000 (2014.08.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140911) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.11)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유경식 대한민국 대전 유성구
2 권경목 대한민국 대전 유성구
3 정영호 대한민국 대전 유성구
4 심재호 대한민국 대전 유성구
5 김민경 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0208351-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.02.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0019671-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0176418-20
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0442828-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0442829-53
7 등록결정서
Decision to grant
2014.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0566422-06
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속층;상기 금속층 상에 형성되고, 광학 이득(optical gain) 특성을 가지며, 상기 금속층에 의해 표면에 전기장을 집중시키는 유전체층; 및상기 유전체층 상에 형성되고, 상기 유전체층 표면과 상호 작용하여 공진기를 형성하는 복수의 나노 와이어를 포함하는 평판 공진기
2 2
제1항에 있어서, 상기 유전체층은, 상기 유전체층 내부에 존재하는 적어도 하나 이상의 모드(mode) 중에서, 여타의 모드와 비교하여 상기 유전체층의 표면에 전기장을 많이 형성시키는 TE1 모드에 상응하는 두께를 갖는 평판 공진기
3 3
제2항에 있어서,상기 복수의 나노 와이어는, 상기 유전체층의 표면에 상기 TE1 모드를 차단(cut-off)하여 상기 TE1 모드를 반사시키는 거울 영역을 제공하는, 평판 공진기
4 4
성장 기판 상에 유전체층 및 금속층을 차례로 형성하여 공진기 구조물을 형성하는 단계; 상기 공진기 구조물의 금속층과 실리콘 기판 사이에 솔더 포일을 삽입하여 상기 공진기 구조물을 상기 실리콘 기판 상에 접합하는 단계; 상기 실리콘 기판 상에 접합된 상기 공진기 구조물로부터 상기 성장 기판을 제거하여 상기 유전체층을 노출시키는 단계; 및상기 노출된 유전체층 상에 복수의 나노 와이어를 형성하는 단계를 포함하는 평판 공진기의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 공진 구조물을 형성하는 단계는, 상기 성장 기판 상에 광학 이득(optical gain) 특성을 가지며, 상기 금속층에 의해 표면에 전기장을 집중시키는 유전체 물질로 이루어진 상기 유전체층을 형성하는 단계; 및 상기 유전체층 상에 은(Ag)으로 이루어진 상기 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 평판 공진기의 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 유전체층을 형성하는 단계는,상기 유전체층 내부에 존재하는 적어도 하나 이상의 모드(mode) 중에서, 여타의 모드와 비교하여 상기 유전체층의 표면에 전기장을 많이 집중시키는 TE1 모드가 발생되는 두께로 상기 유전체층을 형성하는, 평판 공진기의 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 복수의 나노 와이어는, 상기 유전체층의 표면에 상기 TE1 모드를 차단(cut-off)하여 상기 TE1 모드를 반사시키는 거울 영역을 제공하는, 평판 공진기의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업(일반연구자지원사업) 광전자 집적을 위한 나노스케일 반도체 광원 연구