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(i) 무기 반도체 층(inorganic semiconductor layer)과 (ii) 상기 무기 반도체 층과 유기 활성층(organic active layer)의 접촉 계면에서 자발분극 (spontaneous dipolar polarization)을 통해 다이폴(dipole)을 유도할 수 있는 물질로 구성된 전하선택적 계면전송층으로서, 상기 접촉 계면에서 자발분극을 통해 다이폴을 유도할 수 있는 물질은 극성용매(polar solvent)이며, 상기 극성용매가 상기 무기 반도체 층의 접촉 계면에 코팅처리되고,상기 극성용매는 메탄올, 에탄올, 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol)과 에탄올아민(ethanolamine)의 공용매(co-solvent) 중 어느 하나 이상을 포함하며, 상기 공용매에 포함된 에탄올아민의 부피는 전체 공용매를 기준으로 0
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제1항에 있어서,상기 무기 반도체 층은 금속 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층
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제2항에 있어서,상기 금속 산화물이 ZnO, TiO2, ZrO2, MgO, HfO2, Al 또는 Ga이 도핑된 ZnO 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층
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제1항에 있어서,상기 무기 반도체 층은 물결모양의 리플(ripple) 구조인 것을 특징으로 하는 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층
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제1항에 있어서,상기 극성용매의 코팅처리는 무기 반도체 층 위에 극성용매를 스핀코팅(spin coating)한 후, 100 내지 120℃에서 8 내지 12분 동안 어닐링(annealing)하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층
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제1항에 있어서,유기전자 소자(organic electronic device)에 적용되어 전하를 선택적으로 전달하는 것을 특징으로 하는 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층
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제8항에 있어서,상기 유기전자 소자의 구조는 역 구조(inverted structure)로 되어있는 것을 특징으로 하는 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층
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전자 전송층, 활성층, 정공 전송층으로 구성된 고분자 태양전지(polymer solar cells, PSCs)의 유기층 구조에 있어서, 상기 전자 전송층이 (i) 무기 반도체 층(inorganic semiconductor layer)과 (ii) 상기 무기 반도체 층과 유기 활성층(organic active layer)의 접촉 계면에서 자발분극(spontaneous dipolar polarization)을 통해 다이폴(dipole)을 유도할 수 있는 물질로 구성된 전하선택적 계면전송층을 포함하는 고분자 태양전지로서,상기 접촉 계면에서 자발분극을 통해 다이폴을 유도할 수 있는 물질은 극성용매(polar solvent)이며, 상기 극성용매가 상기 무기 반도체 층의 접촉 계면에 코팅처리되고,상기 극성용매는 메탄올, 에탄올, 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol)과 에탄올아민(ethanolamine)의 공용매(co-solvent) 중 어느 하나 이상을 포함하며, 상기 공용매에 포함된 에탄올아민의 부피는 전체 공용매를 기준으로 0
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제10항에 있어서,상기 무기 반도체 층은 금속산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층이 포함된 고분자 태양전지
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제11항에 있어서,상기 금속 산화물이 ZnO, TiO2, ZrO2, MgO, HfO2, Al 또는 Ga이 도핑된 ZnO 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층이 포함된 고분자 태양전지
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제10항에 있어서,상기 무기 반도체 층은 물결모양의 리플(ripple)구조인 것을 특징으로 하는 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층이 포함된 고분자 태양전지
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제10항에 있어서,상기 극성용매의 코팅처리는 무기 반도체 층 위에 극성요매를 스핀코팅(spin coating)한 후, 100 내지 120℃에서 8 내지 12분 동안 어닐링(annealing)하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층이 포함된 고분자 태양전지
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제10항에 있어서,상기 고분자 태양전지의 유기층 구조가 역 구조(inverted structure)로 되어있는 것을 특징으로 하는 계면처리된 전하선택적 계면전송층이 포함된 고분자 태양전지
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전자 전송층, 활성층, 정공 전송층으로 구성된 유기발광다이오드(OLEDs)의 유기층 구조에 있어서, 상기 전자 전송층이 (i) 무기 반도체 층(inorganic semiconductor layer)과 (ii) 상기 무기 반도체 층과 유기 활성층(organic active layer)의 접촉 계면에서 자발분극(spontaneous dipolar polarization)을 통해 다이폴(dipole)을 유도할 수 있는 물질로 구성된 전하선택적 계면전송층을 포함하는 유기발광다이오드로서,상기 접촉 계면에서 자발분극을 통해 다이폴을 유도할 수 있는 물질은 극성용매(polar solvent)이며, 상기 극성용매가 상기 무기 반도체 층의 접촉 계면에 코팅처리되고,상기 극성용매는 메탄올, 에탄올, 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol)과 에탄올아민(ethanolamine)의 공용매(co-solvent) 중 어느 하나 이상을 포함하며, 상기 공용매에 포함된 에탄올아민의 부피가 전체 공용매를 기준으로 0
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제18항에 있어서,상기 무기 반도체 층은 금속산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층이 포함된 유기발광다이오드
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제19항에 있어서,상기 금속 산화물이 ZnO, TiO2, ZrO2, MgO, HfO2, Al 또는 Ga이 도핑된 ZnO 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층이 포함된 유기발광다이오드
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제18항에 있어서,상기 무기 반도체 층은 물결모양의 리플(ripple)구조인 것을 특징으로 하는 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층이 포함된 유기발광다이오드
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제18항에 있어서,상기 극성용매의 코팅처리는 무기 반도체 층 위에 극성용매를 스핀코팅(spin coating)한 후, 100 내지 120℃에서 8 내지 12분 동안 어닐링(annealing)하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층이 포함된 유기발광다이오드
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제18항에 있어서,상기 유기발광다이오드의 유기층 구조가 역 구조(inverted structure)로 되어있는 것을 특징으로 하는 계면처리된 전하선택적 계면전송층이 포함된 유기발광다이오드
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