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인 시튜 공정에 의한 양자점/실리카 복합체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015116421
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점의 핵 성장 단계에서 단일 공정으로 실리카 소스 물질을 주입하는 것을 특징으로 하는 단일공정에 의한 양자점/실리카 복합체의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 단일공정은 (i) 양자점의 핵 성장에서 양자점 표면에 붙어 있는 alkyl-thiol 리간드를 극성을 가지는 리간드 또는 hydroxide기가 부착된 리간드로 치환하는 단계; 및 (ii) 실리카층의 형성에서 alkoxysilane 또는 silanol 작용기를 포함하고, 염기성 작용기를 포함하는 실란제를 주입하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.본 발명에 의하면 종래의 여러 단계의 공정을 한 단계의 반응으로 줄일 수 있고, 별도의 정제 과정 또한 불필요하며, 신속하고, 안정성 또한 매우 높다. 나아가 본 발명의 기술은 발광 소자, 디스플레이 패널, LED 등의 시장 적용성이 우수하다.
Int. CL H01L 33/50 (2014.01)
CPC C09K 11/02(2013.01) C09K 11/02(2013.01) C09K 11/02(2013.01) C09K 11/02(2013.01) C09K 11/02(2013.01)
출원번호/일자 1020130057729 (2013.05.22)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1311688-0000 (2013.09.16)
공개번호/일자 10-2013-0062966 (2013.06.13) 문서열기
공고번호/일자 (20130925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2011-0079114 (2011.08.09)
관련 출원번호 1020110079114
심사청구여부/일자 Y (2013.05.22)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전덕영 대한민국 대전 유성구
2 김현기 대한민국 대전 유성구
3 권병화 대한민국 대전 유성구
4 김영선 대한민국 대전 유성구
5 서민원 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2013.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0452029-99
2 등록결정서
Decision to grant
2013.06.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0410451-16
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1
양자점/실리카 복합체 제조에 있어서, 양자점의 핵 성장을 진행하는 과정에서 인 시튜(in-situ) 공정으로 반응기에 실리카 소스 물질을 주입하여, 양자점의 핵 성장 과정에서 리간드 치환 및 실리카를 형성시켜 양자점/실리카 복합체를 제조하는 인 시튜 공정에 의한 양자점/실리카 복합체의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 인 시튜 공정은 (i) 양자점의 핵 성장에서 양자점 표면에 붙어 있는 alkyl-thiol 리간드를 극성을 가지는 리간드 또는 hydroxide기가 부착된 리간드로 치환하는 과정과 (ii) 실리카의 형성에서 alkoxysilane 또는 silanol 작용기를 포함하고, 염기성 작용기를 포함하는 실란제를 주입하는 과정을 포함하는 인 시튜 공정에 의한 양자점/실리카 복합체의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 실리카 소스 물질은 (a) APS(aminopropyltrimetoxysilane), (b) aminopropyltriethoxysilane, (c) amino 작용기를 포함하는 실란제 및 (d) alkoxysilane 또는 silanol 작용기를 포함하고, 염기성 작용기를 포함하는 실란제로 구성된 군에서 선택된 어느 하나인 인 시튜 공정에 의한 양자점/실리카 복합체의 제조방법
4 4
제2항에 있어서, 상기 (i) 과정이 수행된 이후, 상기 (ii) 과정이 수행되는 인 시튜 공정에 의한 양자점/실리카 복합체의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020130016910 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2013022155 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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