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질소 도핑 다공성 탄소소재 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015116514
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질소를 함유한 고분자를 이용하여 간단한 공정을 통해 질소가 도핑된 다공성 탄소소재를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의해 제조된 탄소소재는 슈퍼커패시터 또는 연료전지의 전극재료 등 기타 여러 분야에서 이용될 수 있다.
Int. CL B01J 6/00 (2006.01) C01B 31/02 (2006.01)
CPC C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01)
출원번호/일자 1020130104976 (2013.09.02)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1448211-0000 (2014.09.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.02)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재우 미국 대전 유성구
2 조경택 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)
2 장제환 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-0801096-24
2 등록결정서
Decision to grant		 2014.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0643517-74
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다음의 단계를 포함하는, 질소 도핑 다공성 탄소소재의 제조방법:(a) 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile, PAN), 폴리아닐린(polyaniline, PANI) 또는 폴리피롤(polypyrrole, PPy)로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 그 이상의 고분자를 공기와 접촉하여 안정화시키는 단계;(b) 상기 안정화된 고분자를 수산화칼륨과 혼합하는 단계;(c) 상기 (b)단계의 혼합물을 탄소화시켜 질소 도핑 다공성 탄소소재를 제조하는 단계; 및(d) 중화반응을 이용하여 잔여 수산화칼륨을 제거하는 단계
2 2
다음의 단계를 포함하는, 질소 도핑 다공성 탄소소재의 제조방법:(a) 폴리아크릴로니트릴(polyacrylonitrile, PAN), 폴리아닐린(polyaniline, PANI) 또는 폴리피롤(polypyrrole, PPy)로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 그 이상의 고분자를 수산화칼륨과 혼합하는 단계;(b) 상기 (a)단계의 혼합물을 공기와 접촉하여 안정화시키는 단계;(c) 상기 (b)단계의 생성물을 탄소화시켜 질소 도핑 다공성 탄소소재를 제조하는 단계; 및(d) 중화반응을 이용하여 잔여 수산화칼륨을 제거하는 단계
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 안정화시키는 단계는 1 ~ 20℃/min의 승온 속도로 승온하여 250 ~ 300℃에서 1 ~ 3 시간 동안 열처리하는 것임을 특징으로 하는 질소 도핑 다공성 탄소소재의 제조방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 안정화시키는 단계에서 공기의 유속은 50 ~ 200 ㎖/min인 것을 특징으로 하는 질소 도핑 다공성 탄소소재의 제조방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 고분자와 수산화칼륨의 혼합 비율은 1:0
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 탄소화는 1 ~ 10℃/min의 승온 속도로 승온하여 600 ~ 1200℃에서 일정 시간 동안 유지하는 것임을 특징으로 하는 질소 도핑 다공성 탄소소재의 제조방법
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 탄소화는 비활성 기체 하에서 수행하는 것을 특징으로 하는 질소 도핑 다공성 탄소소재의 제조방법
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 중화반응은 염산(HCl), 과염소산(HClO4), 질산(HNO3) 또는 황산(H2SO4)으로 이루어진 군에서 선택된 강산을 이용하는 것을 특징으로 하는 질소 도핑 다공성 탄소소재의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 강산의 농도는 0
10 10
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 질소 도핑 다공성 탄소소재의 정전용량은 150 ~ 310F/g인 것을 특징으로 하는, 질소 도핑 다공성 탄소소재의 제조방법
11 11
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 질소 도핑 다공성 탄소소재의 산소환원반응의 피크전위(peak potential)가 - 0
12 12
제1항 또는 제2항의 방법에 의해 제조되고, 정전용량이 150 ~ 310F/g인 질소 도핑 다공성 탄소소재
13 13
제1항 또는 제2항의 방법에 의해 제조되고, 산소환원반응의 피크전위(peak potential)가 - 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 기후변화대응 기초원천사업(Korea CCS 2020사업) 이산화탄소로부터 전기화학적 시스템에 적용 가능한 혁신적 탄소 전극 제조