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발광 소자

  • 기술번호 : KST2015116533
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시 예는 제1 반도체층, 제2 반도체층, 및 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하며, 상기 활성층은 InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지며, 적어도 1회 이상 교대로 적층되는 우물층 및 장벽층을 포함하며, 상기 활성층은 제1 두께를 갖고, 상기 우물층은 제2 두께를 가지며, 상기 장벽층은 상기 제2 두께보다 얇거나 동일한 제3 두께를 갖는다.
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/28 (2010.01.01) H01L 33/30 (2010.01.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020130064491 (2013.06.05)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-2080774-0000 (2020.02.18)
공개번호/일자 10-2014-0142849 (2014.12.15) 문서열기
공고번호/일자 (20200224) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.05.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 유양석 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0500651-38
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
3 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2014.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-1214061-93
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0531602-11
9 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-0531603-56
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0240609-63
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-0551501-01
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0551500-55
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2019.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0707237-57
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.11.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-1234169-66
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2019-1234170-13
18 등록결정서
Decision to grant		 2020.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0005821-59
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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제1 반도체층;제2 반도체층; 및상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층 사이에 배치되고, 55nm의 두께를 갖는 활성층을 포함하며,상기 활성층은,InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지며, 적어도 1회 이상 교대로 적층되는 우물층 및 장벽층을 포함하며,상기 우물층은 복수의 단일 우물층들을 포함하고,상기 복수의 단일 우물층들 각각의 두께는 4nm 내지 5nm 이고, 상기 장벽층은 복수의 단일 장벽층들을 포함하고,상기 복수의 단일 장벽층들 각각의 두께는 2
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제1항에 있어서,상기 복수의 단일 우물층들 각각의 두께는 서로 다르고,상기 복수의 단일 장벽층들 각각의 두께는 서로 다르고,상기 우물층 및 상기 장벽층 각각에 포함되는 인듐(In) 또는 알루미늄(Al)의 조성은 증가하거나 또는 감소하는 발광 소자
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.