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공명 터널링 다이오드에 있어서,상기 공명 터널링 다이오드의 전자를 생성하고, 상기 생성된 전자를 전송하는 채널 영역의 공핍 영역을 위한 버퍼층;상기 버퍼층 위에 위치하고, 입력 전압에 응답하여 상기 공명 터널링 다이오드의 커패시턴스를 조절하기 위한 커패시턴스 가변 전극을 포함하는 공명 터널링 다이오드
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제1항에 있어서,상기 커패시턴스 가변 전극과의 접촉을 위한 가변 전극 접촉층을 더 포함하는공명 터널링 다이오드
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제2항에 있어서,상기 버퍼층에 쇼트키 접촉을 형성하는 콜렉터 전극을 더 포함하는 공명 터널링 다이오드
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제3항에 있어서,상기 쇼트키 접촉은 상기 가변 전극 접촉층의 일정 영역을 선택적으로 식각하여 상기 버퍼층에 형성되는 공명 터널링 다이오드
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제2항에 있어서,상기 가변 전극 접촉층은 p형 InP, BCB, 폴리아미드, SiO2, SiNx, 또는 Al2O3로 형성되는 공명 터널링 다이오드
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제2항에 있어서,상기 버퍼층이 상기 가변 전극 접촉층을 포함하는 공명 터널링 다이오드
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공명 터널링 다이오드의 제조 방법에 있어서,상기 공명 터널링 다이오드의 채널 영역의 공핍 영역을 위한 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 공명 터널링 다이오드의 커패시턴스를 조절하기 위한 커패시턴스 가변 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 커패시턴스 가변 전극은 입력 전압에 응답하여 상기 커패시턴스를 조절하는 공명 터널링 다이오드의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 커패시턴스 가변 전극을 형성하는 단계는,상기 버퍼층위에 가변 전극 접촉층을 형성하는 단계;상기 가변 전극 접촉층의 일정 영역을 선택적으로 식각하고, 상기 일정 영역에 노출된 상기 버퍼층에 콜렉터 전극을 증착하는 단계; 및상기 커패시턴스 가변 전극을 메사 식각을 통해 형성된 상기 가변 전극 접촉층의 언더컷을 이용해 증착하는 단계를 포함하는 공명 터널링 다이오드의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 콜렉터 전극은 상기 버퍼층에 쇼트키 접촉하는 공명 터널링 다이오드의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 커패시턴스 가변 전극은 상기 공명 터널링 다이오드의 자기-정렬된 이미터 전극과 함께 동시에 형성되는 공명 터널링 다이오드의 제조 방법
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