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아연 입자를 함유하는 비전도성 폴리머 막, 비전도성 폴리머 페이스트, 이들을 포함하는 반도체 패키지, 및 반도체 패키지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015116743
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비전도성 폴리머 막, 비전도성 폴리머 페이스트 및 이들을 포함하는 반도체 패키지에 관한 것이다. 본 발명은 막 형태의 비전도성 폴리머 기재 내에 평균 입경이 약 1 nm 내지 약 200 nm인 아연(Zn) 입자를 함유하는 비전도성 폴리머 막 및 이를 포함하는 반도체 패키지를 제공한다. 본 발명의 비전도성 폴리머 막 및 비전도성 폴리머 페이스트를 이용하면 전기적 접속 특성이 우수하고 신뢰성이 높은 반도체 패키지를 간단한 공정을 통하여 저렴하게 제조할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 23/485 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020130120864 (2013.10.10)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0042090 (2015.04.20) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.10.10)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강운병 대한민국 경기 화성
2 백경욱 대한민국 대전 유성구
3 조태제 대한민국 경기 화성시 금반*길 **,
4 서선경 대한민국 경기 수원시 영통구
5 지영근 대한민국 경기 수원시 권선구
6 신지원 대한민국 대전 유성구
7 최용원 대한민국 전북 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0917059-87
2 보정요구서
Request for Amendment
2013.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0122491-56
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.11.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-1015604-83
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2018.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0996086-78
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.10.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0996085-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.09.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
11 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0129790-50
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0867660-65
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.02.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0113084-14
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-0113083-79
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0363016-18
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2020-0657725-97
19 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.06.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0657726-32
20 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0487102-11
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번호 청구항
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제 1 전극 단자를 포함하는 제 1 기판;상기 제 1 전극 단자와 마주하는 제 2 전극 단자를 포함하는 제 2 기판; 및평균 입경이 1 nm 내지 200 nm인 아연(Zn) 입자를 함유하고, 상기 제 1 기판과 상기 제 2 기판 사이에 개재되는 비전도성 물질막;을 포함하고,상기 비전도성 물질막 내에서, 상기 제 1 전극 단자로부터 제 1 거리 이격된 곳의 상기 아연 입자의 농도는 상기 제 1 전극 단자로부터 상기 제 1 거리보다 큰 제 2 거리 이격된 곳의 상기 아연 입자의 농도보다 낮은 반도체 패키지
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제 7 항에 있어서,상기 비전도성 물질막 내에서 상기 아연 입자의 농도는 상기 제 1 전극 단자에 가까워짐에 따라 감소하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
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제 7 항에 있어서,상기 제 1 전극 단자와 상기 제 2 전극 단자는 솔더 범프에 의하여 전기적으로 연결되고,상기 솔더 범프는 금속간 화합물(intermetallic compound, IMC)을 포함하고,상기 금속간 화합물의 적어도 일부는 아연을 포함하고,상기 금속간 화합물의 적어도 일부는 주석(Sn)과 아연의 금속간 화합물을 포함하는된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
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제어부;데이터를 입력 또는 출력할 수 있는 입출력부;데이터를 저장할 수 있는 메모리부;외부 장치와 데이터를 전송할 수 있는 인터페이스부; 및상기 제어부, 입출력부, 메모리부 및 인터페이스부를 서로 통신 가능하도록 연결하는 버스;를 포함하는 전자 시스템으로서,상기 제어부 및 상기 메모리부 중의 적어도 하나가 제 7 항의 반도체 패키지를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 시스템
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09376541 US 미국 FAMILY
2 US20150102485 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015102485 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9376541 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.