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산화마그네슘 나노입자들이 내장된 무색 투명 폴리이미드 필름 제조 및 이를 이용한 적층형 보호막 필름

  • 기술번호 : KST2015116790
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화마그네슘 나노입자들이 균일하게 내장된 무색 투명 폴리이미드 필름층을 포함하는 유연 투명 보호막에 관한 것이다. 투명 폴리이미드는 내구성이 매우 우수하여 외부의 환경으로부터 유연소자를 보호 할 수 있고, 투명한 유연기판 제공에 매우 적합한 소재이다. 특히 폴리이미드 내부에 수분과의 상호작용으로 수분을 효과적으로 차단 할 수 있는 산화물 나노입자를 균일하게 내장시켜 줌으로써, 우수한 보호막 특성을 구현할 수 있다. 산화물 나노입자가 내장된 폴리이미드 복합체 막의 상층에 무기물 박막을 추가적으로 더 적층할 수 있으며, 특히 산화마그네슘-폴리이미드 복합체막/무기 박막/산화마그네슘-폴리이미드 복합체 막이 연속적으로 코팅된 복수의 적층 구조를 형성하여 우수한 보호막 필름 소재로 사용될 수 있다.
Int. CL B32B 9/00 (2006.01) B32B 27/34 (2006.01) B32B 27/20 (2006.01)
CPC B32B 9/045(2013.01) B32B 9/045(2013.01) B32B 9/045(2013.01) B32B 9/045(2013.01) B32B 9/045(2013.01) B32B 9/045(2013.01) B32B 9/045(2013.01)
출원번호/일자 1020140004942 (2014.01.15)
출원인 한국과학기술원, 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1482491-0000 (2015.01.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.15)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김일두 대한민국 대전광역시 유성구
2 김상준 대한민국 대전 유성구
3 이다솜 대한민국 대전 유성구
4 강우석 대한민국 대전광역시 유성구
5 허민 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0040637-76
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0746128-54
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1069704-84
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-1069703-38
5 등록결정서
Decision to grant
2014.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0819280-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물 나노입자가 균일하게 분산된 폴리아믹산 필름층의 이미드화 과정을 거쳐 형성된 무색 투명의 폴리이미드 필름층을 포함하며, 상기 폴리이미드 필름층의 상층에 무기물 막이 적층되어 형성되고, 수분 및 산소 차단력을 갖춘, 적층형 유연 투명 보호막
2 2
제1항에 있어서,상기 산화물 나노입자는, 상기 폴리이미드 필름층의 내부에 균일하게 내장되고, 산화바륨(BaO), 산화스트론튬(SrO), 산화마그네슘(MgO), 산화알루미늄(Al2O3), 이산화티타늄(TiO2), 산화지르콘늄(ZrO2), 이산화규소(SiO2) 중에서 선택된 하나 이상으로 구성된 나노입자인 것을 특징으로 하는 적층형 유연 투명 보호막
3 3
제1항에 있어서,상기 산화물 나노입자는, 상기 폴리이미드 필름층의 내부에 균일하게 내장되고,상기 산화물 나노입자의 크기는 1 나노미터(nm)에서 200 나노미터(nm)까지의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 적층형 유연 투명 보호막
4 4
제1항에 있어서,상기 폴리이미드 필름층의 두께는, 0
5 5
제1항에 있어서,상기 무기물 막은, 이산화규소(SiO2), 질화규소(SiN), 산화마그네슘(MgO), 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2), 산화텅스텐(WO3), 산화철(Fe2O3, Fe3O4), 산화니켈(NiO), 이산화티타늄(TiO2), 산화지르코늄(ZrO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화붕소(B2O3), 산화크롬(Cr3O4, Cr2O3), 산화세슘(CeO2), 산화네오디뮴(Nd2O3), 산화사마륨(Sm2O3), 산화유로퓸(Eu2O3), 산화가돌리늄(Gd2O3), 산화테르븀(Tb4O7), 산화디스프로슘(Dy2O3), 산화어븀(Er2O3), 산화이테르븀(Yb2O3), 산화루테튬(Lu2O3), 그래핀, 그래핀 산화물 중에서 선택된 1 나노미터(nm)에서 200 나노미터(nm)까지의 두께 범위를 갖는 무기 박막인 것을 특징으로 하는 적층형 유연 투명 보호막
6 6
제1항에 있어서,상기 폴리아믹산 필름층의 제조에 사용되는 무수물은, 투명 폴리아믹산을 합성 가능한 무수물로, 4,4'-옥시디프탈릭 다이언하이드라이드(4,4'-Oxydiphthalic Dianhydride, ODPA), 피로멜리틱 다이언하이드라이드(pyromellitic dianhydride, PMDA), 3,3',4,4'-디페닐술폰 테트라카르복실릭 다이언하이드라이드(3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracar-boxylic dianhydride, DSDA), 4'-바이페닐 테트라카르복실릭산 다이언하이드라이드(4'-biphenyl tetracarboxylic acid dianhydride, BPDA), 4,4'-(4,4'-이소프로필리덴디페녹시) 비스(프탈릭 안하이드라이드)(4,4'-(4,4'-isopropylidenediphenoxy) bis(phthalic anhydride), BPADA), 4,4'-(헥사플로오이소프로필리덴)디프탈산 안하이드라이드(4,4'-(hexafluoroisopropylidene)diphthalic anhydride, 6FDA), 4,4'- 벤조페논테트라카복실산 다이언하이드라이드(4,4'-Benzophenonetetracarboxylic dianhydride, BTDA), 1,2,3,4-다이언하이드라이드(1,2,3,4-cyclobutanetetracaroxylic dianhydride, CBDA), 1,4-사이클로뷰테인디카르복실산(1,4-cyclohexanedicarboxylic acid, CHDA) 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 유연 투명 보호막
7 7
제1항에 있어서,상기 폴리아믹산 필름층의 제조에 사용되는 아민은, 투명 폴리아믹산을 합성 가능한 아민으로, 3,3'-비스(4-아미노페녹시)바이페닐(3,3'-bis(4-aminophenoxy)biphenyl, M-BAPB), 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠(1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, p-BAPB), 2,2-비스(4-아미노페닐) 헥사플루오로프로판(2,2-bis(4-aminophenyl) hexafluoropropane, BAHFP), 메타-아미노-비스 메타비스아미노페녹시 디페닐술폰(meta-amino-bis metabisaminophenoxy diphenyl sulfone, m-BAPS), 과황산암모늄(ammonium persulfate, APS), (9-플루오레닐리덴)디아닐린((9-Fluorenylidene)dianiline, BAPF), 파라-아미노-비스 메타비스아미노페녹시 디페닐술폰(para-amino-bis metabisaminophenoxy diphenyl sulfone, p-BAPS), 2,2`-비스(3-아미노-4-메틸페닐)헥사플루오로프로판(2,2`-bis(3-amino-4-methylphenyl)hexafluoropropane, BAMF), 2,2`-비스(프리플루오로메틸)벤지딘(2,2`-bis(trifluoromethyl)benzidine, TFB) 중에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 적층형 유연 투명 보호막
8 8
제1항에 있어서,상기 폴리아믹산 필름층의 제조에 사용되는 용매는, 물, 유기용매인 에탄올, 디메틸포름아마이드(DMF: dimethylformamide), 이소프로필알콜 (Isopropyl Alcohol), 아세톤, 메탄올 및 에테르 중 어느 하나 또는 두 종 이상의 혼합용매에 의해서 무수물 및 아민을 녹이는 것이 가능한 용매인 것을 특징으로 하는 적층형 유연 투명 보호막
9 9
삭제
10 10
산화마그네슘 나노입자가 균일하게 내장되어 제조된 무색 투명한 폴리이미드 필름층의 상층에 무기물 막이 적층되고, 상기 무기물 막이 적층된 상층에 산화마그네슘 나노입자가 균일하게 내장되어 제조된 무색 투명한 폴리이미드 필름층이 적층되어 3층의 적층 구조를 갖는 유연 투명 보호막
11 11
제10항에 있어서,상기 3층의 적층 구조가 복수 층 반복되어 적층된 유연 투명 보호막
12 12
(a) 무수물과 아민의 교반으로 폴리아믹산 용액을 제조하는 단계;(b) 폴리아믹산 용액에 산화마그네슘 나노입자를 분산시키기 위해서 계면활성제를 이용하여 용매에 산화마그네슘을 분산시킨 후, 폴리아믹산 용액과 혼합하여 산화마그네슘 나노입자들이 분산된 폴리아믹산 용액을 제조하는 단계;(c) 상기 산화마그네슘 나노입자가 분산된 폴리아믹산 용액을 기판 위에 코팅하는 단계;(d) 상기 산화마그네슘 나노입자가 내장된 폴리아믹산 막을 열처리과정을 통해 산화마그네슘 나노입자가 균일하게 내장된 투명 폴리이미드 필름을 제조하는 단계;(e) 상기 형성된 산화마그네슘 나노입자가 균일하게 내장된 투명 폴리이미드 필름 위에 무기물 박막을 증착하고, 다시 상기 제조된 산화마그네슘 나노입자가 분산된 폴리이미드막을 연속적으로 적층하는 단계; 및(f) 기판으로부터 제조된 적층형 필름층을 분리하는 단계를 포함하고,상기 적층형 필름층은, 상기 형성된 산화마그네슘 나노입자가 균일하게 내장된 투명 폴리이미드 필름층 사이에 무기물 막이 삽입되어 형성된 수분과 산소에 고차단력을 갖는 것을 특징으로 하는 유연 투명 보호막 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 산화마그네슘 나노입자가 분산된 폴리아믹산 용액을 기판상에 코팅하는 단계는,진공 여과법, 스핀 코팅법, 스프레이 법, 바 코팅 법 중에서 선택된 공정 중에 하나를 이용하여 상기 폴리아믹산 용액을 상기 기판상에 코팅하는 것을 특징으로 하는 유연 투명 보호막 제조 방법
14 14
제12항에 있어서,상기 열처리과정은 상기 폴리아믹산 막을 300 oC의 온도에서 열처리하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 투명 보호막 제조 방법
15 15
제12항에 있어서,상기 (e) 단계는, RF 스퍼터링 방법, PLD(Pulsed Laser Deposition), 열 증발법(Thermal Evaporation), 전자빔 증발법(E-beam Evaporation), 기상화학 증착법(Chemical Vapor Deposition) 및 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition) 중 어느 하나를 이용하여 상기 무기물 박막을 증착하는 것을 특징으로 하는 유연 투명 보호막 제조 방법
16 16
제12항에 있어서,상기 산화마그네슘 나노입자를 분산시키기 위해 이용되는 계면활성제는, 소듐 도데실 설페이트(sodium dodecyl sulfate), 소듐 라우릴 설페이트(sodium lauryl sulfate), 암모늄 라우릴 설페이트(ammonium lauryl sulfate), 소듐 미레스 설페이트(sodium myreth sulfate), 디옥틸 소듐 설포썩시네이트(dioctyl sodium sulfosuccinate), 퍼플루오로옥탄설포네이트(perfluorooctanesulfonate), 퍼플루오로부탄설포네이트(perfluorobutanesulfonate), 옥테니딘 디하이드로클로라이드(octenidine dihydrochloride), 세틸 트라이메틸암모늄 브로마이드(cetyl trimethylammonium bromide), 세틸 트라이메틸암모늄 클로라이드(cetyl trimethylammonium chloride), 세틸 피리디늄 클로라이드(cetyl pyridinium chloride), 벤잘코늄 클로라이드(benzalkonium chloride), 벤제토늄 클로라이드(benzethonium chloride), 5-브로모-5나이트로-1,3-디옥산(5-Bromo-5-nitro-1,3-dioxane), 디메틸다이옥타데실암모늄 클로라이드dimethyldioctadecylammonium chloride), 세트리모늄 클로라이드(cetrimonium bromide), 다이옥타데실디메틸아모늄 브로마이드(dioctadecyldimethylammonium bromide), 트리톤-엑스(Triton-X) 중 적어도 하나의 계면활성제를 포함하고, 친수성 친유성 평형(Hydrophile Lipophile Balance) 값에서 분산제로 사용되는 범위인 7 - 9 HLB 값을 갖는 것을 특징으로 하는 유연 투명 보호막 제조 방법
17 17
제12항에 있어서,상기 폴리아믹산 용액에 분산시킬 산화마그네슘 나노입자의 첨가량은, 폴리아믹산 용액 대비 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.