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패턴 구조체(13)가 임베드(imbed)된 몰드 기판(10)을 준비하되, 상기 패턴 구조체(13)의 하부 일부분은 상기 몰드 기판(10)에 매립되고 상기 패턴 구조체(13)의 나머지 일부분은 상기 몰드 기판(10) 상에 노출되는 몰드 기판(10)을 준비하는 단계;상기 몰드 기판(10)의 임베드된 패턴 구조체(13)의 상부에 타겟 금속 패턴(22)을 공급하는 단계;상기 몰드 기판(10)에 타겟 기판(20)을 결합하여 상기 타겟 금속 패턴(22)을 상기 타겟 기판(20) 상에 전사하는 단계; 및상기 타겟 기판(20)을 상기 몰드 기판(10)으로부터 분리하는 단계;를 포함하고,상기 타겟 금속 패턴(22)을 상기 임베드된 패턴 구조체(13) 상에 공급하는 것은 도금 방식으로 수행되며,상기 전사 단계는, 폴리머가 도포된 타겟 기판(20)을 상기 몰드 기판(10) 상에 덮은 상태로 열과 압력을 가하여 폴리머를 경화키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,나노 금속 패턴의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 몰드 기판(10)은 실리콘, 폴리머, 에폭시 또는 하이브리머를 포함하는 그룹 중 어느 하나로부터 형성되는 것을 특징으로 하는,나노 금속 패턴의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 패턴 구조체(13)는 상기 타겟 금속 패턴(22)과는 상이한 재료인 것을 특징으로 하는,나노 금속 패턴의 전사 방법
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제 4 항에 있어서,상기 패턴 구조체(13)는 은(Ag)을 포함하는 것을 특징으로 하는,나노 금속 패턴의 전사 방법
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제 5 항에 있어서,상기 타겟 금속 패턴(22)은 금, 니켈, 구리, 아연, 백금을 포함하는 그룹 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는,나노 금속 패턴의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 패턴 구조체(13)의 배열 형태는 메쉬(mesh), 선어레이(line array), 육각형(hexagonal), 및 네트워크(network)를 포함하는 그룹 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는,나노 금속 패턴의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 타겟 기판(20)에서 분리되는 상기 몰드 기판(10) 상에는 상기 타겟 금속 패턴(22)이 재공급되어짐으로써 상기 몰드 기판(10)의 재사용이 가능한 것을 특징으로 하는,나노 금속 패턴의 전사 방법
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제 1 항에 있어서,상기 타겟 금속 패턴(22)은 복수의 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는,나노 금속 패턴의 전사 방법
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