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금속의 도파관;상기 도파관 내부에 형성되고 테라헤르츠파 투과성을 갖는 유전체 지지층;상기 유전체 지지층의 중앙 돌출부에 형성되어 테라헤르츠파를 발생시키는 그래핀 채널 FET 소자 및상기 그래핀에 자기장을 인가하는 자기장 인가부를 포함하고, 상기 유전체 지지층은 테라헤르츠파를 가이드하는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 그래핀 채널 FET 소자는,상기 그래핀의 상부에 형성된 게이트 산화막 및 상기 게이트 산화막 상부에 형성된 게이트 전극을 포함하고, 상기 게이트 전극은 테라헤르츠파의 진행 방향을 따라 주기적으로 결함격자 구조가 형성되어 발생한 테라헤르츠파를 증폭시키는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치
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제2항에 있어서,상기 게이트 전극은 테라헤르츠파의 진행 방향으로 상기 게이트 전극의 양단부 일부에 주기적으로 결함격자 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치
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제2항에 있어서,상기 게이트 전극은 브래그 반사기 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치
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제1항에 있어서, 상기 자기장 인가부는,상기 도파관의 외측에 부착되어 자기장을 발생시키는 솔레노이드 및상기 솔레노이드의 중앙부에 위치한 강자성체를 포함한 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치
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제5항에 있어서,상기 솔레노이드에 흐르는 전류를 제어함에 따라 상기 그래핀의 란다우 레벨간의 간격을 조절하여 테라헤르츠파의 주파수를 조절하는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치
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제5항에 있어서,상기 솔레노이드로부터 인가되는 자계의 세기를 제어하여 상기 그래핀의 란다우 레벨간의 간격을 조절하여 테라헤르츠파의 주파수를 조절하는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치
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제1항에 있어서, 상기 유전체 지지층은 테플론층인 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치
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제1항에 있어서,상기 그래핀 채널 FET 소자는,상기 그래핀의 상부에 형성된 산화막;상기 산화막 상부에 형성된 게이트 전극; 상기 그래핀에 형성된 소스층;상기 그래핀에 형성된 드레인층; 상기 소스층과 접합된 소스 전극 및 상기 드레인층과 접합된 드레인 전극을 포함한 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치
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제8항에 있어서,상기 테플론층과 상기 그래핀 사이에 증착된 친수성의 산화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치
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제2항에 있어서,상기 산화막은 SiO2, Al2O3, Y2O3, HfO2, TiO2 또는 La2O3 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치
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제2항에 있어서,상기 게이트 전극은 TiN, TaN, TiAl, TiAlN, Pd, W, WN 또는 Al 중 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치
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란다우 레벨 레이저 원리를 이용한 테라헤르츠파 발생 장치의 제조방법에 있어서,테플론층을 증착하는 단계;상기 테플론층 상부에 산화막을 증착하는 단계;상기 테플론층 상부에 그래핀을 전사하는 단계;상기 테플론층, 상기 산화막 및 상기 그래핀의 측면부를 식각하여 중앙 돌출부를 형성하는 단계;상기 그래핀의 상부에 게이트 산화막을 증착하는 단계;상기 게이트 산화막 상부에 게이트 전극을 증착하고 그래핀 채널 FET 소자를 형성하는 단계;도파관으로 상기 테플론층, 상기 산화막 및 상기 그래핀 채널 FET 소자를 하우징하는 단계 및상기 도파관의 외측부에 솔레노이드를 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생 장치의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 게이트 산화막을 증착하는 단계 이후에 열처리 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생 장치의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 그래핀 채널 FET 소자를 형성하는 단계는,상기 게이트 금속막을 증착하는 단계 및 결함구조 마스크를 형성하여 상기 금속막을 식각하여 결함격자 구조의 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 발생 장치의 제조방법
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