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비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자의 제조방법에 있어서, (a) 실리콘 기판, 하부절연막, 실리콘 및 하드 마스크를 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 하드 마스크를 소정의 폭을 갖도록 패터닝하고, 소정 두께의 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 하는 단계; (c) 상기 하부 절연막의 식각을 통하여 상기 실리콘을 하부 절연막과 분리시키는 단계; (d) 상기 실리콘을 전극으로 사용하기 위하여 도핑하는 단계; 를 포함하는, 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (b)단계의 상기 비등방성 식각을 위한 식각용액은 수산화 칼륨(KOH)인, 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b)단계에서, 상기 비등방성 식각은 다음 식을 만족하는,tanθ>2Tsi/L여기서, θ는 비등방성 식각 각도이고, Tsi는 상기 실리콘의 두께이며, L은 상기 하드 마스크 패턴의 너비인, 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b)단계에서, 상기 비등방성 식각은 다음 식을 만족하고, tan≤2Tsi/L여기서, θ는 비등방성 식각 각도이고, Tsi는 상기 실리콘의 두께이며, L은 상기 하드 마스크 패턴의 너비이고,상기 (b)단계 이후에, 상기 비등방성 식각을 통해 패터닝된 실리콘 패턴이 분리되도록 식각을 통하여 상기 실리콘 패턴을 두 개의 전극으로 분리시키는 단계;를 더 포함하는, 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 식각은 플라즈마 식각, 비등방성 습식식각, 등방성 습식식각 또는 건식식각인, 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c)단계에서, 상기 하부 절연막의 식각을 위한 물질은 불산(HF)인, 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (d)단계에서, 상기 도핑은 주입(implantation) 또는 확산 공정(diffusion)을 이용하는, 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자의 제조방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 제조 방법에 의하여 제조된, 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자
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제10항에 있어서, 상기 수평형 전계 방출소자를 구성하는 실리콘 전극은 다수개의 수평배열이 되는, 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자
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제10항에 있어서, 상기 수평형 전계 방출소자를 구성하는 실리콘 전극은 다수개의 수평배열이 되는, 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자
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