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금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015117252
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 차세대 평판 디스플레이(Flat Panel Display)로 각광을 받고 있는 전계방출디스플레이용(Field Emission Display, FED) 전자 소스인 전계 방출 팁 (Field Emission Tip)의 제작방법에 관한 것으로 보다 상세하게는 FED에서 사용되는 여러 전자 방출 팁 재료 중 금속 실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 열처리에 의해 실리콘 넥(Si neck) 부분과 금속계면에 금속 실리사이드를 생성하고 팁 샤프닝(tip sharpening)을 위한 열산화(oxidation) 공정을 수행하는 단계와, 금속 실리사이드는 실리콘 계면 방향으로 이동하고 실리사이드 표면과 실리사이드를 형성하지 않은 실리콘 넥(neck) 부분에 열산화막을 형성하는 단계와, 산화 공정 후 게이트 산화막(gate insulator)과 게이트 물질을 순차적으로 증착한 후 리프트 오프(lift-off) 공정으로 금속-산화막 샤도우 마스크를 제거하면 금속 실리사이드가 실리콘 팁의 아펙스 부분에만 형성된 트라이오드(Triode) 형태의 팁 어레이를 형성하는 것을 목적으로 한다.
Int. CL H01J 9/24 (2006.01)
CPC H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01) H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1020000013109 (2000.03.15)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2001-0091420 (2001.10.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.03.15)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안병태 대한민국 대전광역시유성구
2 한병욱 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2000-0049938-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2001.11.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2001.12.19 수리 (Accepted) 9-1-2001-0025325-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0026933-89
5 의견서
Written Opinion		 2002.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-0096265-15
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-5081707-93
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2002.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0352791-05
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

실리콘 기판(1)위에 금속막(2)과 산화막(3)을 증착하는 단계와;

반도체 노광공정을 이용한 포토레지스트(Photoresist) 미세패턴으로 금속막(2)과 산화막(3) 패턴을 증착하는 단계와;

금속막(2)과 산화막(3)을 샤도우 마스크(Shadow mask)로 하여 실리콘 기판(1)을 목(neck) 모양으로 식각하여 실리콘 넥(Silicon neck)(5)을 형성하는 단계와;

실리콘 넥(5) 첨두부분인 실리콘 팁(Silicon tip)과 금속막(2)을 열처리로 반응시켜 실리콘 팁에 금속실리사이드(6)를 코팅하는 단계와;

산소분위기에서 산화(Oxidation)공정을 수행하여 실리콘 팁에 코팅된 금속실리사이드(6)를 실리콘 기판(1) 계면으로 이동시키고 금속실리사이드(6) 표면에 실리콘 산화막(7')과 실리콘 기판(1) 표면에 실리콘 산화막(7)을 형성하는 단계와;

금속막(2)과 산화막(3)으로 이루어진 샤도우 마스크를 이용하여 셀프얼라인드(Self-aligned) 방식으로 실리콘 산화막(7) 및 산화막(3) 상부에 게이트 절연막(gate insulator)(8)과 게이트(Gate)(9)를 증착하는 단계와;

HF로 금속실리사이드(6) 표면에 형성된 실리콘 산화막(7') 및 실리콘 기판 표면의 산화막(7)을 에칭하여 리프트-오프(lift-off) 방식으로 금속막(2)과 산화막(3)으로 이루어진 샤도우 마스크를 제거하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, 금속막의 증착박법은 스퍼터링(sputtering)법, 전자빔 증착법(e-beam evaporation) 또는 금속 유기 화학증착법(MOCVD : Metal Organic Chemical Vapor Deposition)인 것을 특징으로 하는 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법

3 3

제 1항에 있어서, 금속막 증착시 사용하는 금속은 코발트, 니켈, 크롬 또는 팔라듐인 것을 특징으로 하는 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법

4 4

제 1항에 있어서, 금속막 증착시 금속막의 두께는 20∼30nm 인 것을 특징으로 하는 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법

5 5

제 1항에 있어서, 산화막(3)은 기판온도 250∼300℃, 증착압력 150∼200mTorr, 두께 3000Å로 증착하는 것을 특징으로 하는 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법

6 6

제 1항 또는 제 3항에 있어서, 금속막(2)을 열처리로 반응시켜 실리콘 팁에 금속실리사이드(6)를 코팅시 코발트 금속 또는 크롬 금속으로 이루어진 금속막은 700∼800℃, 질소분위기에서 1∼10분 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법

7 7

제 1항 또는 제 3에 있어서, 금속막(2)을 열처리로 반응시켜 실리콘 팁에 금속실리사이드(6)를 코팅시 니켈 금속으로 이루어진 금속막은 750∼850℃의 온도의 질소분위기에서 1∼10분 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법

8 8

제 1항 또는 제 3항에 있어서, 금속막(2)을 열처리로 반응시켜 실리콘 팁에 금속실리사이드(6)를 코팅시 팔라듐 금속으로 이루어진 금속막은 800∼850℃의 온도의 질소분위기에서 1∼10분 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법

9 9

제 1항에 있어서, 금속실리사이드 표면의 실리콘 산화막(7')과 실리콘 기판 표면의 실리콘 산화막(7)은 900∼950℃ 온도의 산소분위기에서 3∼5시간 동안 형성하는 것을 특징으로 하는 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법

10 10

제 1항에 있어서, 게이트 절연막(8)은 기판온도 250∼350℃, 증착압력 150∼200mTorr, 두께 8000Å로 증착하는 것을 특징으로 하는 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법

11 11

제 1항에 있어서, 게이트(9)는 몰리브덴(Mo) 또는 누비듐(Nb) 금속을 사용하여 상온, 3∼5mTorr에서 2000Å의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법

12 12

제 1항 또는 제 5항에 있어서, 산화막(3) 증착시 사용하는 가스는 SiH4와 O2를 사용하고 가스흐름속도는 SiH4 50∼70 sccm, O2 50∼70 sccm인 것을 특징으로 하는 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법

13 13

제 1항 또는 제 10항에 있어서, 게이트 절연막(8)의 증착시 가스흐름속도는 SiH4 50∼70 sccm, O2 50∼70 sccm인 것을 특징으로 하는 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.