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기판; 및상기 기판 상에 배치되며, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층의 사이에 배치된 활성층을 갖는 발광 구조물을 포함하고,상기 제2 도전형 반도체층은제2 도전형 도펀트가 도핑된 도핑층; 및상기 도핑층과 접하며 제2 도전형 캐리어를 생성하는 캐리어 생성층을 포함하는 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 도핑층 및 상기 캐리어 생성층은 상기 발광 구조물의 성장 방향과 나란한 방향으로 적층되어 배치된 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 도핑층 및 상기 캐리어 생성층은 상기 발광 구조물의 성장 방향과 수직한 방향으로 적층되어 배치된 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층은 상기 도핑층과 상기 캐리어 생성층으로 이루어진 페어 구조를 적어도 하나 포함하는 발광 소자
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5
제1 항에 있어서, 상기 캐리어 생성층은 상기 제2 도전형 도펀트가 도핑되지 않은 층인 발광 소자
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제2 항에 있어서, 상기 제2 도전형 캐리어의 도핑 농도는 상기 도핑층으로부터 상기 캐리어 생성층으로 갈수록 감소하는 발광 소자
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7
제1 항에 있어서, 상기 제2 도전형 도펀트는 p형 도펀트인 발광 소자
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8
제1 항에 있어서, 상기 제2 도전형 도펀트는 n형 도펀트인 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 도핑층에 도핑된 상기 제2 도전형 도펀트의 농도는 1E19 내지 1E20 개/㎝-3인 발광 소자
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10
제1 항에 있어서, 상기 도핑층의 밴드 갭 에너지는 상기 캐리어 생성층의 밴드 갭 에너지보다 큰 발광 소자
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11
제1 항 또는 제10 항에 있어서, 상기 활성층의 밴드 갭 에너지는 상기 캐리어 생성층의 밴드 갭 에너지보다 작은 발광 소자
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12
제11 항에 있어서, 상기 도핑층은 InaAlbGa1-a-bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함하고, 상기 캐리어 생성층은 IncAldGa1-c-dN (0≤c≤1, 0≤d≤1, 0≤c+d≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질을 포함하는 발광 소자
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13
제12 항에 있어서, 상기 도핑층의 반도체 물질과 상기 캐리어 생성층의 반도체 물질은 서로 동일한 발광 소자
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제12 항에 있어서, 상기 도핑층의 반도체 물질과 상기 캐리어 생성층의 반도체 물질은 서로 다른 발광 소자
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제13 항에 있어서, b는 d보다 큰 발광 소자
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제13 항에 있어서, a는 c보다 작은 발광 소자
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제11 항에 있어서, 상기 도핑층의 두께는 상기 캐리어 생성층의 두께보다 작은 발광 소자
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제13 항에 있어서, 상기 도핑층은 0
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제13 항에 있어서, 상기 캐리어 생성층은 2 ㎚ 내지 10 ㎚의 두께를 갖는 발광 소자
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제13 항에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층은 2
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제1 항에 있어서, 상기 도핑층은 델타 도핑된 상기 제2 도전형 도펀트를 갖는 발광 소자
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제1 항에 있어서, 상기 제2 도전형 도펀트는 상기 도핑층 내에서 캐리어 생성층으로부터 수 원자층 이내의 영역에 도핑된 발광 소자
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기판; 및상기 기판 상에 배치되며, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층의 사이에 배치된 활성층을 갖는 발광 구조물을 포함하고,상기 제2 도전형 반도체층은상기 기판 상에 상기 발광 구조물의 성장 방향과 나란한 방향으로 배치되며 제2 도전형 도펀트가 도핑된 도핑층; 및상기 성장 방향과 나란한 방향으로 상기 도핑층 상에 배치되며, 제2 도전형 캐리어를 생성하며 상기 제2 도전형 도펀트가 도핑되지 않은 캐리어 생성층을 포함하는 발광 소자
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기판; 및상기 기판 상에 배치되며, 제1 및 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층의 사이에 배치된 활성층을 갖는 발광 구조물을 포함하고,상기 제2 도전형 반도체층은상기 기판 상에 상기 발광 구조물의 성장 방향과 수직한 방향으로 배치되며, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 도핑층; 및상기 성장 방향과 수직한 방향으로 상기 도핑층에 인접하여 배치되며, 제2 도전형 캐리어를 생성하며 상기 제2 도전형 도펀트가 도핑되지 않은 캐리어 생성층을 포함하는 발광 소자
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