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하기 화학식 1의 화합물(A), 화학식 2의 화합물(B) 또는 이들의 혼합물을 포함하는 열경화성 및 감광성 접착제 조성물:화학식 1화학식 2상기 화학식에서, R11, R12, R32 및 R33은 서로 독립적으로 , 및 로 구성된 군으로부터 선택되는 열경화성 작용기, 및 , , , 및 로 구성된 군으로부터 선택되는 감광성 작용기로부터 선택되고, 여기에서 R14, R15, R16, R18, R21, R23, R25, R26 및 R27 는 서로 독립적으로 (C1-C10)알킬, (C1-C10)시클로알킬, (C6-C20)아릴, (C6-C20)아르(C1-C10)알킬, (C1-C10)알킬아미노 및 (C6-C20)아릴아미노로부터 선택되며, a는 1 내지 5의 정수이며, b, c 및 d는 1 내지 10의 정수이고, u는 산소 또는 황 원자이며, 단, 각각의 화학식의 화합물에 상기 열경화성 작용기와 상기 감광성 작용기가 각각 적어도 한 개 이상 치환되며;R31은 -OC(=O)R28 또는 -C(=O)OR28 이고, 여기에서 R28은 (C1-C10)알킬 또는 (C1-C10)알킬아미노이고;m, n, p 및 q는 1 이상의 정수이다
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제 1항에 있어서,R14, R15, R16, R18, R21, R23, R25, R26 및 R27 는 서로 독립적으로 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필 및 tert-부틸로부터 선택되고; R28은 메틸, 에틸, 메틸아미노, 에틸아미노, 프로필아미노 및 tert-부틸아미노로부터 선택되며; a는 1이고, b, c 및 d는 1인 것을 특징으로 하는 열경화성 및 감광성 접착제 조성물
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제 1항에 있어서,상기 접착제 조성물은 경화제(C), 희석제(D) 또는 이들의 혼합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열경화성 및 감광성 접착제 조성물
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제 3항에 있어서,상기 경화제는 지방족 또는 방향족 아민류, 페놀류, 산무수물, 폴리아미드 수지, 페놀 수지류, 폴리술피드 수지, 폴리비닐페놀류, 방향족 설포늄염 및 방향족 요오드니윰 염으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 열경화성 및 감광성 접착제 조성물
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제 3항에 있어서,상기 희석제는 에틸렌글리콜모노알킬에트르아세테이트류, 프로필렌글리콜모노알칼에테르류, 프로필렌글리콜디알킬에테르류, 프로필렌글리콜모노알킬에테르아세테이트류, 셀로솔브류, 카르비톨류, 락트산 에스테르류, 지방족 카르복실산 에스테르류, 방향족 탄화수소류, 케톤류, 아미드류 및 락톤류로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 열경화성 및 감광성 접착제 조성물
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제 3항에 있어서,상기 접착제 조성물은 광개시제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열경화성 및 감광성 접착제 조성물
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제 6항에 있어서,상기 광개시제는 클로로아세토페논, 디에톡시아세토페논, 히드록시아세토페논, α-아미노아세토페논, 벤조인에테르, 벤질디메틸케탈, 벤조페논, 티옥산톤, 2-에틸안트라퀴논 및 광산발생제(PAG: Photo acid generator)로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 열경화성 및 감광성 접착제 조성물
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,접착제 조성물은 페놀성 수산기를 갖는 수지, 폴리이미드, 아크릴 중합체, 폴리스티렌계 수지, 페녹시 수지, 폴리올레핀계 엘라스토머, 스티렌부타디엔 엘라스토머, 실리콘 엘라스토머, 톨릴렌 디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트 화합물 또는 그의 블록화물, 고밀도 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리아미드, 폴리아미드이미드, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리에테르케톤, 폴리페닐렌술피드, (변성)폴리카르보디이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에스테르리미드, 변성 폴리페닐렌옥시드 및 옥세탄기를 갖는 수지로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 접착제 조성물은 밀착 보조제, 레벨링제, 무기충전재, 고분자 첨가제, 반응성 희석제, 습윤성 계량제, 계면 활성제, 가소제, 대전 방지제, 곰팡이 방지제, 습도 조절제 및 난연제로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접착제 조성물
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(a) 제 1항 내지 제 9항 중의 어느 한 항에 따른 접착제 조성물을 웨이퍼 상에 도포하는 단계;(b) 상기 접착제 조성물을 노광하여 소정 형상의 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 웨이퍼를 개별칩으로 다이싱하는 단계; 및(d) 상기 개별칩을 회로기판 상부에 열경화하여 접착하는 단계;를 포함하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 단계 (a)에서, 상기 도포는 스핀코팅, 디스펜싱, 닥터블레이드법 또는 매니스커스 코팅으로 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 단계 (b)에서, 상기 패턴 형성에 의해 칩 온 플렉스(COF)용 이미지 센서칩의 센싱영역 또는 스크라이빙 영역을 제거하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 단계 (a)에서, 상기 접착제 조성물의 도포는 B-스테이지 상태인 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 접착제 조성물은 G-라인(436nm), I-라인(365nm) 자외선, KrF 엑시머 레이저(248nm), ArF 엑시머 레이저(193nm), 또는 F2 레이저(157nm)에 의해 감광특성을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법
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제 10항에 있어서,상기 단계 (d)에서, 상기 열경화는 120~250℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법
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