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화학 기계적 연마를 이용한 미세간격 형성방법 및 측면형전계방출소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015117502
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 CMP를 이용한 미세간격 형성방법 및 측면형 전계방출소자 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 의하면, 미세간격이 산화막의 두께에 의해 결정되기 때문에, 종래의 석판기술(lithography) 기술로는 불가능한 100Å 정도의 균일한 미세간격을 재현성 있게 형성할 수 있다. 종래의 측면형 전계방출소자는 열적 스트레스 방법이나 전기적 스트레스 방법을 이용하여 제조하였기 때문에 전계 방출을 위한 간격형성의 재현성에 문제가 있었다. 그러나, 본 발명에 따른 미세간격 형성방법을 이용하여 측면형 전계방출소자를 제조하게 되면, 저 전압 구동과 높은 전류 구동 특성 및 균일한 전계방출특성을 갖는 전계방출소자를 만들 수 있다. CMP, 전계방출, 미세간격, 정전기력, MEMS
Int. CL H01J 1/304 (2006.01)
CPC H01J 9/025(2013.01)
출원번호/일자 1020000043255 (2000.07.27)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0379613-0000 (2003.03.27)
공개번호/일자 10-2002-0010162 (2002.02.04) 문서열기
공고번호/일자 (20030410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.07.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이춘섭 대한민국 대구광역시동구
2 이재덕 대한민국 경기도수원시팔달구
3 한철희 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2000-0156951-45
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2002.01.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2002.02.22 수리 (Accepted) 9-1-2002-0037988-43
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0096013-74
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2002-0156224-40
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2002.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-0198478-03
7 의견서
Written Opinion		 2002.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2002-0237949-55
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0329066-82
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.10.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0358110-26
10 의견서
Written Opinion		 2002.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-0358107-99
11 등록결정서
Decision to grant		 2003.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0019213-05
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 상에 제1 희생층을 형성하는 단계와,

상기 제1 희생층 상에 제1 실리콘막 패턴을 형성하는 단계와,

상기 제1 실리콘막 패턴의 상면 및 측면에 제2 희생층을 열산화법으로 형성하는 단계와,

상기 제2 희생층이 형성된 결과물 전면에 제2 실리콘막을 형성하는 단계와,

상기 제1 실리콘막 패턴 상면에 위치하는 상기 제2 희생층이 노출되도록 상기 제2 실리콘막을 화학 기계적 연마방법으로 연마하여 제2 실리콘막 패턴을 형성하는 단계와,

상기 제2 희생층을 제거하여 상기 제1 실리콘막 패턴과 상기 제2 실리콘막 패턴 사이에 미세간격을 형성하는 단계를 포함하는 미세간격 형성방법

2 2

삭제
3 3

삭제
4 4

삭제
5 5

삭제
6 6

삭제
7 7

삭제
8 8

기판 상에 제1 희생층을 형성하는 단계와,

상기 제1 희생층 상에 측면의 경사가 완만한 메사형이며 도펀트가 주입된 실리콘으로 이루어진 제1 탐침층을 형성하는 단계와,

상기 제1 탐침층의 상면 및 측면에 제2 희생층을 형성하는 단계와,

상기 제2 희생층이 형성된 결과물 전면에 도펀트가 주입된 실리콘막을 형성하는 단계와,

상기 제1 탐침층 상면에 위치하는 상기 제2 희생층이 노출되도록 상기 실리콘막을 화학 기계적 연마방법으로 연마하여 제2 탐침층을 형성하는 단계와,

상기 제2 희생층을 제거하여 상기 제1 탐침층과 상기 제2 탐침층 사이에 탐침간격을 형성하는 단계와,

상기 제1 탐침층 측면 하부에 위치하는 상기 제1 희생층을 제거하여 제1 희생층 패턴을 형성하는 단계와,

상기 제1 탐침층 및 상기 제2 탐침층 상에 금속배선을 각각 형성하는 단계를 포함하는 측면형 전계방출소자 제조방법

9 9

삭제
10 10

제8 항에 있어서, 상기 제2 희생층이 열산화법으로 형성되는 측면형 전계방출소자 제조방법

11 11

제10 항에 있어서, 상기 탐침간격을 형성하는 단계와 상기 제1 희생층 패턴을 형성하는 단계가 동일한 습식식각 용액을 사용하는 습식식각방법에 의해 연속적으로 행해지는 측면형 전계방출소자 제조방법

12 12

삭제
13 13

제8 항에 있어서, 상기 제1 탐침층을 형성하는 단계가

상기 제1 희생층 상에 도펀트가 주입된 실리콘막을 형성하는 단계와,

상기 제1 희생층 상의 실리콘막 상에 감광막 패턴을 형성하는 단계와,

상기 감광막 패턴이 리플로우되도록 상기 감광막 패턴이 형성된 결과물을 열처리함으로써 측면의 경사가 완만한 메사형 감광막 패턴을 형성하는 단계와,

상기 메사형 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 제1 희생층이 노출되도록 상기 제1 희생층 상의 실리콘막을 이방성 식각하는 단계를 포함하는 측면형 전계방출소자 제조방법

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1 KR100363298 KR 대한민국 FAMILY
2 US06702637 US 미국 FAMILY
3 US20030104752 US 미국 FAMILY
4 WO2004075231 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2003104752 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6702637 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.