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액정배향막 제조용 고분자 블렌드

  • 기술번호 : KST2015117572
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광배향(photo-alignment)시 높은 선경사각(pretilt angle)을 나타내는 액정배향막(liquid crystal alignment layer)의 제조에 사용되는, 광반응성 고분자(photo-reactive polymer)인 시나메이트(cinnamate) 계열의 고분자와 폴리이미드(polyimide) 계열의 고분자의 블렌드(blend), 전기 블렌드을 이용하여 액정배향막을 제조하는 방법, 전기 방법으로 제조된 액정배향막 및 전기 액정배향막으로 제조된 액정셀(liquid crystal cell)에 관한 것이다. 본 발명의 액정배향막 제조용 고분자 블렌드는 10 내지 90%(w/w)의 시나메이트 계열의 고분자와 10 내지 90%(w/w)의 폴리이미드 계열의 고분자가 블렌드된 것이다. 본 발명의 액정배향막 제조용 고분자 블렌드로 제조된 액정배향막은 배향특성(alignment property) 및 열적 안정성(thermal stability)이 우수하므로, 액정디스플레이(liquid crystal display)의 개발에 널리 활용될 수 있을 것이다.
Int. CL C08G 73/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020017005362 (2001.04.27)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2002-0030734 (2002.04.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자 PCT/KR2001/000504 (2001.03.28)
국제공개번호/일자 WO2001072871 (2001.10.04)
우선권정보 대한민국  |   1020000016260   |   2000.03.29
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박정기 대한민국 대전광역시서구
2 김희탁 대한민국 경기도수원시팔달구
3 이종우 대한민국 서울특별시은평구
4 성시준 대한민국 대구광역시달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허법 제201조 및 제203조의 규정에 의한 서면
Document under Articles 201 and 203 of Patent Act		 2001.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2001-0098237-59
2 보정통지서
Request for Amendment		 2002.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2002-0013093-84
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2002.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2002-5065074-14
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

10 내지 90%(w/w)의 시나메이트 계열의 고분자와 10 내지 90%(w/w)의 폴리이미드 계열의 고분자가 블렌드된 액정배향막 제조용 고분자 블렌드

2 2

제 1항에 있어서,

시나메이트 계열의 고분자는 평균 분자량이 10 내지 500kDa이고,

1 내지 20개의 탄소수를 가지는 폴리비닐시나메이트, 폴리알콕시시나

메이트, 폴리비닐불소화시나메이트, 폴리비닐알콕시불소화시나메이트,

전기 화합물의 혼합물 또는 전기 화합물들의 공중합체인 것을

특징으로 하는

액정배향막 제조용 고분자

3 3

제 1항에 있어서,

폴리이미드 계열의 고분자는 평균 분자량이 10 내지 300kDa인

폴리(피로멜리틱디안하이드라이드-4,4′-옥시디아민), 폴리(피로멜리

틱디안하이드라이드-2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-헥사플루오로

프로판), 폴리(피로멜리틱디안하이드라이드-2,2-비스(4-아미노페녹시

페닐)프로판), 폴리(1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산-4,4′-옥시

디아민), 폴리(1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산-2,2-비스[4-(4-아

미노페녹시)페닐]-헥사플루오로프로판),폴리(1,2,3,4-시클로부탄

테트라카르복실산-2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판), 폴리(2,2-비

스(3,4-디카르복실페닐)헥사플루오로프로판 디안하이드라이드-4,4′-

옥시디아민), 폴리(2,2-비스(3,4-디카르복실페닐)헥사플루오로프로판

디안하이드라이드-2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-헥사플루오로프

로판), 폴리(2,2-비스(3,4-디카르복실페닐)헥사플루오로프로판 디안

하이드라이드-2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판), 폴리(피로멜리틱

디안하이드라이드-2,2-비스[4-(4-아미노페녹시)페닐]-헥사플루오로프

로판)-4,4′-옥시디아민) 또는 2종 이상의 전기 고분자의 단량체의 공

중합체인 것을 특징으로 하는

액정배향막 제조용 고분자

4 4

(ⅰ) 시나메이트 계열의 고분자와 폴리이미드 계열의 고분자를 1:9 내지 9:1(w/w)로 혼합하여 유기용매에 용해시키는 공정;

(ⅱ) 유기용매에 용해된 고분자를 유리판위에 스핀코팅시키는 공정;

(ⅲ) 코팅된 고분자를 가열하여 막을 수득하는 공정; 및,

(ⅳ) 수득한 막에 자외선을 조사하여, 광배향된 액정배향막을 제조하는 공정을 포함하는 액정배향막의 제조방법

5 5

제 4항에 있어서,

유기용매는 N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸설폭사이드, 디메틸아세테이트,

메타크레졸, n-부틸아세테이트 또는 디에틸에테르인 것을

특징으로 하는

액정배향막의 제조방법

6 6

제 4항에 있어서,

스핀코팅은 1,000 내지 3,000rpm에서 10초 내지 10분동안

수행하는 것을 특징으로 하는

액정배향막의 제조방법

7 7

제 4항에 있어서,

코팅된 고분자의 가열은 100 내지 300℃에서 10 내지 300분 동안

수행하는 것을 특징으로 하는

액정배향막의 제조방법

8 8

제 4항에 있어서,

자외선의 조사는 편광된 자외선 및/또는 비편광된 자외선을

막의 법선 방향에 대해 0 내지 89°의 각도로 조사하는 것을

특징으로 하는

액정배향막의 제조방법

9 9

제 4항의 방법으로 제조된 액정배향막

10 10

제 9항의 액정배향막 두 장사이에 액정이 주입된 액정셀

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03733072 JP 일본 FAMILY
2 JP15529111 JP 일본 FAMILY
3 KR1020020001898 KR 대한민국 FAMILY
4 US06731362 US 미국 FAMILY
5 US20020188075 US 미국 FAMILY
6 WO2001072871 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 DE10191420 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 DE10191420 DE 독일 DOCDBFAMILY
3 JP2003529111 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2003529111 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2003529111 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP3733072 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 KR20020001898 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
8 US2002188075 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US6731362 US 미국 DOCDBFAMILY
10 WO0172871 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
11 WO0172871 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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