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음전압이 인가된 음극봉이 전해액 내에 수장되고, 양전압이 인가된 가공대상물이 상기 전해액으로 이송될 때 처음으로 전류가 흐르기 시작하는 접촉점을 측정하고, 전압을 제거한 후 상기 접촉점을 기준으로 상기 가공대상물의 가공할 길이만큼만을 전해액에 수장하는 준비단계; 상기 가공대상물의 가공할 직경, 상기 가공대상물의 전기화학등가부피상수, 전류밀도, 가공시간간격을 설정하고, 상기 가공대상물과, 상기 음극봉을 상기 전해액 내로 수장하는 조건설정단계; 전압을 인가하여 상기 가공대상물이 가공됨에 따라 변화되는 표면적과, 인가되는 전류와, 인가되는 상기 전류에 따른 전기량과, 가공됨에 따라 변화되는 상기 가공대상물의 직경을 계산하고, 가공에 따라 표면장력으로 인하여 발생되는 부가적인 가공부피(Vp)(㎣)를 표면장력으로 인한 접촉길이(h)(mm)와, 가공됨에 따라 변화되는 직경(D)(mm)과, 원래 가공대상물의 직경(Do)(mm)으로 이루어진 πh(-2D2-DoD+3Do2 )/15에 의해 계산하면서 전해가공이 진행되는 가공단계(S30); 및 상기 가공단계가 상기 가공대상물의 직경이 가공할 직경에 근사화될 때까지 반복되다가 상기 가공할 직경에 도달했을 때 가공을 종료하는 가공종료단계;로 이루어져 구성되는 것을 특징으로 하는 초미세 원통형 전극제작을 위한 전해가공방법
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제 1항에 있어서, 상기 가공단계(S30)에서 가공됨에 따라 변화되는 상기 가공대상물의 표면적은 Am=π[LD +h(D0+2D)/3] 에 의해 계산되고, 여기서, Am은 가공됨에 따라 변화되는 상기 가공대상물의 표면적(mm2); L은 가공할 상기 가공대상물의 길이(mm) h는 표면장력으로 인한 상기 가공대상물의 접촉길이(mm); D는 가공됨에 따라 변화되는 상기 가공대상물의 직경(mm); Do는 상기 가공대상물의 원래 직경(mm);인 것을 특징으로 하는 초미세 원통형 전극제작을 위한 전해가공방법
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제 1항에 있어서, 상기 가공단계(S30)에서 가공이 진행됨에 따라 인가되는 상기 전류량은 i=AmJ에 의해 계산되고, 여기서, i는 단위시간당 인가하는 전류(C/sec); Am은 가공됨에 따라 변화되는 상기 가공대상물의 표면적(mm2); J는 전류밀도(C/mm2sec);인 것을 특징으로 하는 초미세 원통형 전극제작을 위한 전해가공방법
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제 1항에 있어서, 상기 가공단계(S30)에서 상기 전기량은 Qt=Qp+iΔt에 의해 계산되고, 여기서, Qt는 총가공시간동안 인가되는 전기량(C); Qp는 전단계 전기량(C); Δt는 가공시간변화량(sec);인 것을 특징으로 하는 초미세 원통형 전극제작을 위한 전해가공방법
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제 1항에 있어서, 상기 가공단계(S30)에서 가공됨에 따라 변화되는 상기 가공대상물의 직경은 π(D0-D)[L(D0+D)/4+h(3D0+2D)/15]/αe=Qt에 의해 계산되고, 여기서, D는 가공됨에 따라 변화되는 상기 가공대상물의 직경(mm); Do 는 상기 가공대상물의 원래 직경(mm); Qt는 총가공시간동안 인가되는 총전기량(C); L은 가공할 상기 가공대상물의 길이(mm); h는 표면장력으로 인한 상기 가공대상물의 접촉길이(mm); αe는 상기 가공대상물의 전기화학등가부피상수(mm3/C);인 것을 특징으로 하는 초미세 원통형 전극제작을 위한 전해가공방법
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제 1항에 있어서, 상기 가공단계(30)에서는 상기 가공대상물 수장부위의 금속이온들의 용해 및 확산 속도가 인가되는 전류량에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 초미세 원통형 전극제작을 위한 전해가공방법
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제 1항에 있어서, 상기 음극봉은 재질이 탄소인 것을 특징으로 하는 초미세 원통형 전극제작을 위한 전해가공방법
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제 1항에 있어서, 상기 전해액은 수산화칼륨용액인 것을 특징으로 하는 초미세 원통형 전극제작을 위한 전해가공방법
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제 8항에 있어서, 상기 전해액의 몰수는 4∼6 Mol인 것을 특징으로 하는 초미세 원통형 전극제작을 위한 전해가공방법
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제 1항에 있어서, 상기 가공대상물은 상기 준비단계(S10) 이전에 가공 전에 표면의 이물질을 제거하기 위하여 아세톤과 증류수로 상기 가공대상물 표면을 초음파 세척하는 것을 특징으로 하는 초미세 원통형 전극제작을 위한 전해가공방법
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