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부가 단량체 단일선구물질을 이용한 13 족 질화물 박막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015117598
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 부가 단량체 단일선구물질을 이용한 13 족 질화물 박막의 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 13족 질화물 박막의 단일선구물질인 R2(N3)M:D과 기질로는 값이 싼 규소 웨이퍼를 사용하여 낮은 증착 온도인 350∼450℃에서 경제적으로 적층 성장한 질화물의 제조와 대면적의 박막 증착이 가능하다. 형성된 박막을 분석한 결과 13 족 원소 (Al, Ga, In) 와 질소가 1 : 1 의 조성비로 구성되었으며 (0002) 방향으로 적층 성장하였음을 확인하였다. 본 발명은 낮은 온도에서 성막이 가능하여 우수한 질화물 박막제조에 유리하고, 기판인 규소가 반도체이므로 후속 전극 제조공정을 개선할 수 있으며, 기판의 대구경화 및 최종 소자 분리가 용이해지는 등의 장점이 있다.
Int. CL C23C 16/34 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020000002958 (2000.01.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2001-0075977 (2001.08.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.01.21)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박준택 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2000-0012191-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판위에 하기 일반식 [1]의 부가 단량체 단일선구물질을 1

2 2

제 1 항에 있어서, 일반식 [I]의 단일선구물질을 사용하는 화학 증착법으로 13족 질화물로서 AlN, GaN, InN 또는 AlGaN, GaInN, AlInN, AlGaInN의 혼정으로 된 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 13족 질화물 박막의 제조방법

3 3

제 1 항에 있어서, 기판은 실리콘(silicon), 사파이어(sapphire) 또는 SiC 중에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 13족 질화물 박막의 제조방법

4 4

제 1 항에 있어서, 일반식 [1]의 물질을 기판에 증착시 생기는 완충층은 GaN , AlN, ZnO, SiC, LiAlO2, LiGaO2 중에서 선택된 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 13족 질화물 박막의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03836724 JP 일본 FAMILY
2 JP15520298 JP 일본 FAMILY
3 KR100374327 KR 대한민국 FAMILY
4 US20020085973 US 미국 FAMILY
5 WO2001053565 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 DE10190311 DE 독일 DOCDBFAMILY
2 DE10190311 DE 독일 DOCDBFAMILY
3 JP2003520298 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2003520298 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2003520298 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP3836724 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 KR100374327 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
8 KR20010006435 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
9 KR20010106435 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
10 US2002085973 US 미국 DOCDBFAMILY
11 WO0153565 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
12 WO0153565 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.