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실리콘 기판(1)위에 산화막(2)을 증착하는 단계(도 1[a] 참조)와; 반도체 노광공정을 이용한 포토레지스트 미세패턴으로 산화막(2) 패턴을 증착하는 단계(도 1[b]참조)와; 산화막(2)을 샤도우 마스크로 하여 실리콘 기판(1)을 목(neck) 모양으로 식각하여 실리콘 넥(3)을 형성하는 단계(도 1[c] 참조)와; 산소와 수소 혼합 분위기에서 산화공정을 수행하여 실리콘 기판(1) 표면과 실리콘 넥에 실리콘 열산화막(4)을 형성하는 단계(도 1[d] 참조)와; HF로 실리콘 기판(1) 표면과 실리콘 넥(neck)에 형성된 실리콘 열산화막(4)을 에칭하여 리프트-오프 방식으로 산화막(2)을 제거하는 동시에 실리콘 팁(5)을 형성하는 단계(도 1[e] 참조)와; 실리콘 팁 전면에 금속막(6)을 증착하는 단계(도 1[f] 참조)와; 실리콘 팁과 금속막(6)을 열처리로 반응시켜 실리콘 팁에 금속 실리사이드( 7)를 코팅하는 단계(도 1[g] 참조)와; 금속 실리사이드(7)가 코팅된 실리콘 팁에 금속 질화물(8)을 증착한 후 질소분위기 또는 질소와 불활성 가스의 혼합가스 분위기에서 열처리하는 단계(도 1[h] 참조)로 이루어짐을 특징으로 하는 금속 실리사이드와 금속 질화물 이중층으로 코팅된 실리콘 팁 제조방법
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제 1항에 있어서, 금속막(6) 증착시 사용하는 금속은 코발트(Co), 몰리브덴 (Mo), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 탄탈늄(Ta) 또는 크롬(Cr)인 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드와 금속 질화물 이중층으로 코팅된 실리콘 팁 제조방법
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제 1항에 있어서, 금속막(6)을 열처리로 반응시켜 실리콘 팁에 금속 실리사이드(7)를 코팅시 코발트 금속으로 이루어진 금속막은 700∼800℃, 질소분위기에서 1∼10분 동안 열처리하거나, 몰리브덴 금속막은 800∼850℃, 질소분위기에서 1∼10분 동안 열처리하거나, 니켈(Ni) 금속막은 750~850℃ 질소분위기에서 1∼10분 동안 열처리하거나, 타이타늄(Ti) 금속막은 800∼850℃, 질소분위기에서 1∼10분 동안 열처리하거나, 탄탈늄(Ta) 금속막은 800∼850℃, 질소분위기에서 1∼10분 동안 열처리하거나 또는 크롬(Cr) 금속막은 800∼850℃, 질소분위기에서 1∼10분 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드와 금속 질화물이 이중층으로 코팅된 실리콘 팁 제조방법
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제 1 항에 있어서, 금속 실리사이드(7) 형성은 스퍼터링법, 전자빔 증착법 또는 금속 유기 화학증착법으로 금속을 증착한 후 in-situ로 열처리하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드와 금속 질화물이 이중층으로 코팅된 실리콘 팁 제조방법
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제 1항에 있어서, 스퍼터링법, 전자빔 증착법 또는 금속 유기 화학증착법으로 금속을 증착한 후 ex-situ로 열처리하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드와 금속 질화물이 이중층으로 코팅된 실리콘 팁 제조방법
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제 1항에 있어서, 금속 질화물은 타이타늄 나이트라이드(TiN), 탄타늄 나이트라이드(TaN), 지르코늄 나이트라이드(ZrN), 알루미늄 나이트라이드(AlN) 또는 니오븀 나이트라이드(NbN)인 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드와 금속 질화물 이중층으로 코팅된 실리콘 팁 제조방법
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제 1항에 있어서, 금속 질화물을 실리콘 팁에 증착시 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD), 원자층 증착법(ALD) 또는 반응성 스퍼터링 방법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드와 금속 질화물 이중층으로 코팅된 실리콘 팁 제조방법
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제 1항에 있어서, 금속 질화물(8)을 증착한 후 열처리하는 단계는 질소분위기 또는 질소:불활성가스가 1:9∼9:1의 혼합비로 이루어진 혼합가스 분위기에서 기판온도 500∼600℃, 3∼5분 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드와 금속 질화물 이중층으로 코팅된 실리콘 팁 제조방법
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제 1항에 있어서, 실리콘 팁 전면에 금속막(6)을 20∼30nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드와 금속 질화물 이중층으로 코팅된 실리콘 팁 제조방법
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제 1항에 있어서, 금속 실리사이드(7)가 코팅된 실리콘 팁에 금속 질화물(8)을 10nm∼50nm의 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드와 금속 질화물 이중층으로 코팅된 실리콘 팁 제조방법
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제 1항 또는 8항에 있어서, 불활성 가스는 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr) 또는 크세논(Xe) 가스인 것을 특징으로 하는 금속 실리사이드와 금속 질화물 이중층으로 코팅된 실리콘 팁 제조방법
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