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ECR-PECVD 장치 및 박막 증착방법

  • 기술번호 : KST2015117874
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전자 싸이클로트론 공명-플라즈마 향상 화학기상증착 장치 및 박막 증착방법에 관해 개시한다. 본 발명의 장치는, 기판 상에 박막을 증착시키기 위한 반응가스를 분해하는 비활성가스의 플라즈마가 형성되는 플라즈마 챔버와; 상기 기판과 플라즈마 챔버사이에 위치하여, 상기 반응가스를 공급하는 가스분산링을 구비하는 ECR-PECVD 장치에 있어서, 상기 플라즈마 챔버와 가스분산링의 사이에 스퍼터링 타겟이 마련된 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 방법은, 비활성가스의 플라즈마를 플라즈마 챔버에 형성시키는 단계와; 상기 플라즈마에 의해 분해되어, 기판 상에 박막을 증착시키는 반응가스를 가스분산링을 통하여 도입하는 단계와; 상기 기판에 도핑물질을 공급할 수 있도록, 조절가능한 바이어스 전압이 인가되는 스퍼터링 타겟을 상기 플라즈마 챔버와 상기 가스분산링 사이에 마련하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 기존의 ECR-PECVD 장치를 일부 개조한 것이기 때문에 설치가 용이하며, 장치의 구조가 간단할 뿐 아니라 도핑물질용으로 마땅한 금속유기물 전구물질이 없는 경우 효율적으로 박막을 증착시킬 수 있으며, 희토류 원소를 도핑한 박막의 경우 박막증착 후 어닐링 과정이 불필요하므로 효과적인 PL을 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01)
CPC C23C 16/511(2013.01) C23C 16/511(2013.01)
출원번호/일자 1019970052616 (1997.10.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1999-0031783 (1999.05.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.10.14)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신중훈 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.10.14 수리 (Accepted) 1-1-1997-0166777-79
2 특허출원서
Patent Application		 1997.10.14 수리 (Accepted) 1-1-1997-0166776-23
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.10.14 수리 (Accepted) 1-1-1997-0166778-14
4 대리인변경신고서
Agent change Notification		 1998.04.15 수리 (Accepted) 1-1-1997-0166779-60
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0022471-24
11 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 2000.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0128980-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판 상에 박막을 증착시키기 위한 반응가스를 분해하는 비활성가스의 플라즈마가 형성되는 플라즈마 챔버와;

상기 기판과 플라즈마 챔버사이에 위치하여, 상기 반응가스를 공급하는 가스분산링을 구비하는 ECR-PECVD 장치에 있어서,

상기 플라즈마 챔버와 가스분산링의 사이에 스퍼터링 타겟이 마련된 것을 특징으로 하는 ECR-PECVD 장치

2 2

제1항에 있어서, 상기 스퍼터링 타겟이 타겟 바이어스전압 조절수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 ECR-PECVD 장치

3 3

제2항에 있어서, 상기 스퍼터링 타겟은 금속타겟인 것을 특징으로 하는 ECR-PECVD 장치

4 4

제2항에 있어서, 상기 스퍼터링 타겟은 희토류 원소의 타겟인 것을 특징으로 하는 ECR-PECVD 장치

5 5

제4항에 있어서, 상기 희토류원소의 타겟은 Er 타겟인 것을 특징으로 하는 ECR-PECVD 장치

6 6

비활성가스의 플라즈마를 플라즈마 챔버에 형성시키는 단계와;

상기 플라즈마에 의해 분해되어, 기판 상에 박막을 증착시키는 반응가스를 가스분산링을 통하여 도입하는 단계와;

상기 기판에 도핑물질을 공급할 수 있도록, 조절 가능한 바이어스 전압이 인가되는 스퍼터링 타겟을 상기 플라즈마 챔버와 상기 가스분산링 사이에 마련하는 단계를 구비하는 박막 증착방법

7 7

제6항에 있어서, 상기 반응가스를 도입하는 단계는:

형성될 박막의 조성을 조절할 수 있도록, 복수 종류의 가스들의 시간당 흐름량을 각각 제어할 수 있도록 하여 도입하는 단계인 것을 특징으로 하는 박막 증착방법

8 8

제7항에 있어서, 상기 반응가스를 도입하는 단계는:

상기 형성될 박막을 도핑하기 위한 물질의 가스를 도입하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 증착방법

9 9

제6항 내지 제8항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 스퍼터링 타겟은 Er 타겟인 것을 특징으로 하는 박막 증착방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.