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실리콘 기판의 제조를 위한 사출금형에 있어서,판상의 금형 코어;상기 판상의 금형 코어의 일면에 덧대어져 장착되는 제1 완충부재;판상의 금형 캐비티; 및상기 판상의 금형 코어를 취부하는 형판과 대면하며, 상기 판상의 금형 캐비티를 취부하는 형판;을 포함하며, 상기 판상의 금형 코어는 나노 패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼, 결정질 석영, 또는 비정질인 유리 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 제조를 위한 사출금형
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제1항에 있어서,상기 완충부재는 연질 금속으로서, 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 제조를 위한 사출금형
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제1항에 있어서,상기 판상의 금형 캐비티는 일면에 덧대어져 장착되는 제2 완충부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 기판의 제조를 위한 사출금형
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액상 실리콘 사출 성형 장치에 있어서,판상의 금형 코어를 취부하는 이동측 형판과 판상의 금형 캐비티를 취부하는 고정측 형판을 갖는 사출금형을 포함하는 형체장치;상기 이동측 형판으로 액체 실리콘 고무를 공급하는 액체 공급 장치; 및상기 형체장치로부터 사출 공정 중 탈기를 수행하는 진공 흡입 펌프를 포함하며,상기 판상의 금형 코어는 일면에 완충부재가 덧대어져 있는 것을 특징으로 하는 액상 실리콘 사출 성형장치
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제4항에 있어서,상기 액상 실리콘은 주제와 경화제를 포함하는 것을 특징으로 하는 액상 실리콘 사출 성형장치
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제5항에 있어서,상기 주제는 백금촉매를 포함하는 것을 특징으로 하는 액상 실리콘 사출 성형 장치
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제4항에 있어서,상기 완충부재는 연질 금속으로서, 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 니켈(Ni) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 액상 실리콘 사출성형장치
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사출 금형을 이용하는 실리콘 기판의 제조 방법에 있어서,1) 나노 패턴을 갖는 실리콘 웨이퍼를 갖는 판상의 금형 코어를 포함하는 사출 금형을 준비하는 단계(S10);2) 이동측 형판이 고정측 형판을 향해 이동하여 상기 금형 코어의 제1 완충부재와 금형 캐비티가 맞닿는 형폐 단계(S20);3) 액상의 실리콘 고무를 상기 완충부재로 인하여 이격된 상기 금형 코어와 상기 금형 캐비티 사이의 공간으로 주입하여 사출 공정을 수행하고 냉각하는 단계(S30); 4) 상기 이동측 형판이 상기 고정측 형판의 반대 방향으로 이동하는 형개 단계(S40); 및5) 상기 금형 코어와 상기 금형 캐비티 사이에서 실리콘 기판을 취부하는 단계(S50)를 포함하는 것을 특징으로 하는 사출금형을 이용한 실리콘 기판의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 사출 공정은,150-200℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 사출금형을 이용한 실리콘 기판의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 완충 부재의 외곽면은 상기 금형 코어와의 형상이 동일하고 중앙부가 개방된 윈도우(window) 형상인 것을 특징으로 하는 사출 금형을 이용한 실리콘 기판의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 금형 코어의 형상이 사각형이고, 상기 제1 완충부재는 4개의 각단면이 면취된 형상인 것을 특징으로 하는 사출 성형을 이용한 실리콘 기판의 제조방법
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실리콘 사출 성형을 이용한 나노 패턴의 형성방법에 있어서,(a) 판상의 금형 코어에 나노패턴을 형성하는 단계(S110);(b) 상기 나노 패턴을 갖는 금형 코어에 완충부재를 덧대는 단계(S120);(c) 이동측 형판이 고정측 형판을 향해 이동하여 상기 금형 코어의 완충부재와 금형 캐비티가 맞닿는 형폐 단계(S130);(d) 액상의 실리콘 고무를 상기 완충부재로 인하여 이격된 상기 금형 코어와 상기 금형 캐비티 사이의 공간으로 주입하고 냉각하는 단계(S140); 및(e) 상기 이동측 형판이 상기 고정측 형판의 반대 방향으로 이동하는 형개 단계(S150);를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 사출 성형을 이용한 나노 패턴의 형성방법
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제13항에 있어서,상기 금형 코어는 실리콘 웨이퍼, 유리 또는 결정질 석영을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 사출 성형을 이용한 나노 패턴의 형성 방법
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