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박막형 미소온도센서와 박막형 미소온도센서의 제작방법

  • 기술번호 : KST2015118129
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스퍼터링을 이용한 박막형 미소온도센서의 제작공정과 상기 공정에 의해 제작된 박막형 미소온도센서에 관한 발명이다. 본 발명은 종래의 열전대로 온도를 측정하는 경우에 미소영역의 온도를 쉽게 측정하지 못하는 단점을 개선하고, 종래의 다이오드센서(Diode sensor)나 저항온도검출기(Resistance Thermal Detector, 약칭으로 RTD)와 같이 온도에 따른 전압신호의 캘리브레이션 (Calibration)을 행하는 후공정이 불필요한 박막형 미소온도센서를 제공함에 그 목적이 있다. 또한 본 발명에 의한 박막형 미소온도센서의 제작방법은 기존의 다이오드 센서나 저항온도검출기의 제작공정과 달리 아주 단순한 공정을 사용하여 간편하게 제작할 수 있어 시간과 비용을 절감하는 효과가 있다.
Int. CL H01L 35/04 (2006.01)
CPC G01J 5/12(2013.01) G01J 5/12(2013.01) G01J 5/12(2013.01) G01J 5/12(2013.01)
출원번호/일자 1020020038276 (2002.07.03)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0444633-0000 (2004.08.06)
공개번호/일자 10-2004-0003539 (2004.01.13) 문서열기
공고번호/일자 (20040816) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.07.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송태호 대한민국 대전광역시유성구
2 김성진 대한민국 대전광역시유성구
3 장석필 대한민국 부산광역시금정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍기천 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동) GENOA 빌딩 *층(제이앤피특허법률사무소)
2 조정숙 대한민국 서울특별시 강남구 도산대로**길 **, 지유 PATENT HOUSE (논현동)
3 최정연 대한민국 서울시 강남구 강남대로*** 랜드마크타워 *층(특허법인와이에스장)
4 강일우 대한민국 서울특별시 강남구 도산대로 **길 ** 지유 PATENT HOUSE(강앤드강국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2002-0212604-90
2 보정통지서
Request for Amendment		 2002.07.09 발송취소 (Cancellation of dispatch) 1-5-2002-0048861-41
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2002.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2002-0223553-17
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0009534-18
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
8 등록결정서
Decision to grant		 2004.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0302441-04
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

열전대를 구성하는 제1금속과 제2금속의 2종의 금속을 실리콘웨이퍼상에 박막으로 형성하여, 미소영역의 온도를 측정하기 위한 박막형 미소온도센서를 제작하는 제작공정이며,

실리콘웨이퍼 표면에 소정의 패턴으로 상기 제1금속과 제2금속 각각을 증착하기 위한 제1마스크와 제2마스크를 음각으로 패터닝하는 제1마스크와 제2마스크의 패터닝공정과,

실리콘웨이퍼를 상기 제1마스크로 마스킹한 후, 상기 제1금속을 스퍼터링하여 실리콘웨이퍼상에 증착시키는 제1금속 스퍼터링공정과,

실리콘웨이퍼상의 상기 제1마스크를 제거하고, 제2마스크를 상기 제1마스크의 패턴과 정렬시켜 실리콘웨이퍼상에 올려 놓는 정렬공정과,

실리콘웨이퍼를 상기 제2마스크로 마스킹한 후, 상기 제2금속을 스퍼터링하여 실리콘웨이퍼상에 증착시키는 제2금속 스퍼터링공정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막형 미소온도센서의 제작공정

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 정렬공정은, 상기 제1금속의 패턴과 상기 제2금속의 패턴이 서로 접촉하지 않고 양 금속패턴의 끝단만이 접촉하여 접점을 형성하도록, 마스크 상에 형성된 정렬키(Align Key)를 사용하여 정렬시키는 공정인 것을 특징으로 하는 박막형 미소온도센서의 제작공정

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제1마스크의 패터닝공정과 제2마스크의 패터닝공정은, 열전대를 구성하는 제1금속패턴의 끝단과 제2금속패턴의 끝단이 접촉하여 형성된 접점이 M x N 행렬을 구성하도록 패터닝되는 것을 특징으로 하는 박막형 미소온도센서의 제작공정

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 제1마스크와 제2마스크의 패터닝공정에 사용되는 마스크는 스테인레스스틸 마스크인 것을 특징으로 하는 박막형 미소온도센서의 제작공정

5 5

열전대를 구성하는 제1금속과 제2금속의 2종의 금속을 실리콘웨이퍼상에 박막으로 형성하여, 미소영역의 온도를 측정하기 위한 미소온도센서이며,

실리콘웨이퍼상에 소정의 패턴이 음각으로 패터닝된 제1마스크로 마스킹한 후, 스퍼터링에 의해 실리콘웨이퍼상에 증착시킨 상기 제1금속과,

실리콘웨이퍼상에 소정의 패턴이 음각으로 패터닝된 제2마스크로 마스킹한 후, 스퍼터링에 의해 실리콘웨이퍼상에 증착시킨 상기 제2금속을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 박막형 미소온도센서

6 6

제 5 항에 있어서, 상기 미소온도센서의 제1금속과 제2금속 각각의 한 쪽 끝단이 서로 접촉하여 형성된 접점과, 상기 2종의 금속 각각의 다른 쪽 끝단은 서로 접촉하지 않고 개방된 채로 기판 외부의 배선을 연결할 수 있도록 형성된 배선부를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 박막형 미소온도센서

7 7

제 5 항에 있어서, 상기 열전대를 구성하는 2종의 금속 접점이 M x N 행렬을 형성하도록 구성된 것을 특징으로 하는 박막형의 미소온도센서

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.