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디알킬인듐아지드를이용한질화인듐막의형성방법

  • 기술번호 : KST2015118136
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지, 광소자 등에 사용되는 반도체 화합물인 질화인듐막의 제조방법에 관한 것이다. 선구물질로서 유기인듐화합물인 비스[μ-(아지도-N, N′)테트라메틸]디인듐을 포함한 디알킬 인듐 아지드를 합성하고, 이들은 단일 선구 물질로 사용하여 규소(111) 기질 위에 화학 증착법의한 질화인듐 막의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 의하여 비교적 저가의 규소(111)기질을 사용하여 낮은 온도에서 증착하여 육방형 질화인듐막을 제조하는 방법을 제공한다.
Int. CL C23C 16/34 (2006.01)
CPC C23C 16/34(2013.01) C23C 16/34(2013.01)
출원번호/일자 1019980005057 (1998.02.18)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0291204-0000 (2001.03.08)
공개번호/일자 10-1999-0070299 (1999.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.02.18)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박준택 대한민국 대전광역시 유성구
2 배병재 대한민국 경상남도 진해시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.02.18 수리 (Accepted) 1-1-1998-0016122-01
2 특허출원서
Patent Application		 1998.02.18 수리 (Accepted) 1-1-1998-0016120-10
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.02.18 수리 (Accepted) 1-1-1998-0016121-55
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.05.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5186645-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0065823-44
12 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-5156035-87
13 보정통지서
Request for Amendment		 2000.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2000-0021183-58
14 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2000.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2000-5173488-99
15 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.06.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5199002-22
16 의견서
Written Opinion		 2000.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2000-5199001-87
17 등록사정서
Decision to grant		 2000.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0344390-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

일반식[1]으로 표시되는 화합물을 질화인듐막용 단일선구물질로 하고, 화학 증착법에 의하여 350∼500℃의 온도범위에서 규소(111) 기질 위에 육방형 질화인듐 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 디알킬 인듐아지드를 이용한 질화인듐막의 형성 방법

2 2

하기 일반식 [1]으로 표시되는 질화인듐박막 제조용 디알킬 인듐아지드 화합물

3 3

제2항에 있어서, 상기 디알킬 인듐아지드 화합물은 비스[μ-(아지드-N, N′)테트라메틸]디인듐 인 것을 특징으로 하는 질화인듐박막 제조용 디알킬 인듐아지드 화합물

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.