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고출력 펨토초 레이저빔과 기체 원자가 상호작용하여 고차조화파 연엑스선을 발생시키는 고차조화파 연엑스선 발생장치;
상기 고차조화파 연엑스선 발생장치에서 발생되는 고차조화파 연엑스선을 집속하고 반사하는 엑스선 거울;
상기 엑스선 거울에 반사된 상기 고차조화파 연엑스선이 조사되는 시료;
상기 시료를 통과한 고차조화파 연엑스선의 일부가 투과되는 PMMA 재질의 위상역전 구역이 구비되어 보강간섭에 의해 확대된 상을 형성하는 위상역전 구역판; 및
상기 위상역전 구역판을 통과한 고차조화파 연엑스선을 검출하는 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고차조화파 연엑스선 광원의 연엑스선 현미경
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고출력 펨토초 레이저빔과 기체 원자가 상호작용하여 고차조화파 연엑스선을 발생시키는 고차조화파 연엑스선 발생장치;
상기 고차조화파 연엑스선 발생장치에서 발생되는 고차조화파 연엑스선을 집속하고 반사하는 엑스선 거울;
상기 엑스선 거울에 반사된 상기 고차조화파 연엑스선이 조사되는 시료;
상기 시료를 통과한 고차조화파 연엑스선의 일부가 투과되는 위상역전 구역이 구비되어 보강간섭에 의해 확대된 상을 형성하고, 지르코늄, 몰리브덴, 니오븀 중 어느 하나의 금속재질로 형성된 위상역전 구역판; 및
상기 위상역전 구역판을 통과한 고차조화파 연엑스선을 검출하는 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 고차조화파 연엑스선 광원의 연엑스선 현미경
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3 |
3
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 기체는 네온인 것을 특징으로 하는 고차조화파 연엑스선 광원의 연엑스선 현미경
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4
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 고출력 펨토초 레이저빔의 펄스폭은 30 펨토초이고, 펄스당 에너지는 0
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5
청구항 4에 있어서,
상기 기체의 압력은 50 Torr 인 것을 특징으로 하는 고차조화파 연엑스선 광원의 연엑스선 현미경
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6
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 엑스선 거울은 오목거울인 것을 특징으로 하는 고차조화파 연엑스선 광원의 연엑스선 현미경
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7
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 엑스선 거울은 몰리브덴과 실리콘이 다층박막으로 코팅된 것을 특징으로 하는 고차조화파 연엑스선 광원의 연엑스선 현미경
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8
청구항 1에 있어서,
상기 PMMA는 두께가 250nm인 것을 특징으로 하는 고차조화파 연엑스선 광원의 연엑스선 현미경
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9
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 고차조화파 연엑스선 발생장치와 엑스선 거울 사이에 설치되어 상기 고차조화파 연엑스선 발생장치에서 발생되는 고차조화파 연엑스선에 포함된 고출력 펨토초 레이저빔을 걸러주는 제 1필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고차조화파 연엑스선 광원의 연엑스선 현미경
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10
청구항 9에 있어서,
상기 제 1필터는 재질이 지르코늄인 것을 특징으로 하는 고차조화파 연엑스선 광원의 연엑스선 현미경
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11
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 위상역전 구역판과 상기 검출기 사이에 설치되어 상기 위상역전 구역판을 통과한 고차조화파 연엑스선 외의 빛을 제거하는 제 2필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고차조화파 연엑스선 광원의 연엑스선 현미경
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12 |
12
청구항 11에 있어서,
상기 제 2필터는 재질이 지르코늄인 것을 특징으로 하는 고차조화파 연엑스선 광원의 연엑스선 현미경
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13
실리콘웨이퍼 표면에 전자빔 리소그래피 레지스트인 PMMA를 도포하는 코팅단계와,
상기 PMMA에 전자빔을 조사하여 빛 투과구역과 연엑스선 투과시 보강간섭을 일으키는 위상역전 구역을 형성하는 리소그래피 단계 및
상기 리소그래피 단계 후 형성된 위상역전 구역의 패턴을 고착시키는 현상단계를 포함하여 구성되고,
상기 PMMA는 두께가 250nm인 것을 특징으로 하는 위상역전 구역판 제작방법
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14
삭제
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청구항 13에 있어서,
상기 전자빔의 크기는 100keV 인 것을 특징으로 하는 위상역전 구역판 제작방법
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