맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

2단계화학식각법에의한레이저다이오드용거울면제작방법

  • 기술번호 : KST2015118281
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음.
Int. CL H01S 3/08 (2006.01.01) H01S 5/20 (2006.01.01)
CPC H01S 3/08059(2013.01)H01S 3/08059(2013.01)
출원번호/일자 1019890003619 (1989.03.22)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0048173-0000 (1992.01.21)
공개번호/일자 10-1990-0015397 (1990.10.26) 문서열기
공고번호/일자 1019910008440 (19911015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1989.03.22)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권영세 대한민국 서울시중랑구
2 유회준 대한민국 서울시노원구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 서울시성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1989.03.22 수리 (Accepted) 1-1-1989-0021606-04
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1989.03.22 수리 (Accepted) 1-1-1989-0021605-58
3 특허출원서
Patent Application		 1989.03.22 수리 (Accepted) 1-1-1989-0021604-13
4 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1991.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0011197-24
5 등록사정서
Decision to grant		 1992.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1989-0011199-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

레이저 다이오드용 이중이종 접합구조의 (100) GaAs/AlGaAs 또는 InP/InGaAsP의 웨이퍼에 포토레지스터(011) 방향의 스트라이프 패턴을 형성하여 초기식각을 행하고, 이후 상기 포토레지스터를 제거한 후 다시 식각을 행하여 식각벽면의 각을 수직으로 하는 과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 2단계 화학식각법에 의한 레이저 다이오드용 거울면 제작방법

2 2

제1항에 있어서, 식각을 행하는 식각액이 표면반응 제한형(Surface Reaction Limited)이고, 상기 웨이퍼 각층에서의 식각율이 동일함을 특징으로 하는 2단계 화학식각법에 의한 레이저 다이오드용 거울면 제작방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 최상층인 오오믹 접속층의 식각전 두께(di) 및 식각후 두께(df), 초기 식각의 깊이(X0)사이의 관계가 (di-df)＞0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.