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탄소나노튜브를 정제하는 제1단계;상기 정제된 탄소나노튜브를 휘발성 용매에 녹이는 제2단계;상기 탄소나노튜브 용액과 금속 바인더들을 혼합하여 탄소나노튜브 페이스트를 제조하는 제3단계;기계적 또는 화학적 공정을 통해 음극 기판을 연마하는 제4단계;상기 탄소나노튜브 페이스트를 페이스트 지지기판에 액상 방울로 매달아 상기 연마된 음극 기판 상에 코팅하는 제5단계; 및상기 탄소나노튜브 페이스트가 코팅된 음극 기판을 건조하고 고온 소결하는 제6단계;를 포함하고,상기 제6단계의 고온 소결은,10-1 ~ 10-7 torr의 진공에서 600 ~ 1500 ℃의 초고온에서 20 ~ 80분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 바인더를 이용한 방전에 강한 고 안정성 탄소나노튜브 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1단계의 탄소나노튜브는,황산, 질산, 염산, 과산화수소 또는 이들의 혼합액으로 이루어진 정제 용액에 의해 0
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제1항에 있어서,상기 제2단계의 휘발성 용매는,이소프로필 알콜, 디클로로메탄, 디클로로에탄, 또는 디클로로벤젠을 사용하는 것을 특징으로 하는 금속 바인더를 이용한 방전에 강한 고 안정성 탄소나노튜브 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2단계의 탄소나노튜브는,휘발성 용매에 0
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제1항에 있어서,상기 제3단계의 금속 바인더는, 은, 구리 및 인디움의 혼합 금속 바인더로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 바인더를 이용한 방전에 강한 고 안정성 탄소나노튜브 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제3단계의 탄소나노튜브와 혼합 금속 바인더는1:8 ~ 1:15의 중량 %의 비율로 혼합되는 것을 특징으로 하는 금속 바인더를 이용한 방전에 강한 고 안정성 탄소나노튜브 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제4단계의 음극 기판은 판(plate), 와이어(wire) 또는 막대(rod) 형태의 음극 기판이 가능한 것을 특징으로 하는 금속 바인더를 이용한 방전에 강한 고 안정성 탄소나노튜브 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제4단계의 음극 기판의 재질은,텅스텐(W), 철(Fe), 니켈(Ni) 티타늄(Ti), 은(Ag), 구리(Cu), 코바(Kovar), 스테인레스(Sus), 또는 팔라듐(Pd)인 것을 특징으로 하는 금속 바인더를 이용한 방전에 강한 고 안정성 탄소나노튜브 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제4단계의 음극 기판은,일 단면 혹은 전체에 대해 폴리싱(polishing), 갈기(grinding), 버핑(buffing), 에노다이징(anodizing) 또는 산화제 처리의 연마 과정을 거치는 것을 특징으로 하는 금속 바인더를 이용한 방전에 강한 고 안정성 탄소나노튜브 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 방법은,상기 제5단계의 탄소나노튜브 페이스트 코팅 방법에 따라 대면적 전계방출형 전자빔 에미터 제작, 대면적 기판에 독립된 섬 형태의 전계방출형 전자빔 에미터 제작, 필름형 전계방출형 전자빔 에미터 제작, 혹은 국소적인 면적에 소면적 에미터 제작을 할 수 있는 것을 특징으로 금속 바인더를 이용한 방전에 강한 고 안정성 탄소나노튜브 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
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제5항에 있어서,상기 혼합 금속 바인더는 은 65중량%, 구리 22중량% 및 인디움 13중량%로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 바인더를 이용한 방전에 강한 고 안정성 탄소나노튜브 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제6단계의 건조는,상기 휘발성 용매의 경우 대기압에서 1 ~ 30분 자연 건조를 통해 균일한 코팅을 이루는 것을 특징으로 하는 금속 바인더를 이용한 방전에 강한 고 안정성 탄소나노튜브 전계방출형 전자빔 에미터의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 제4단계의 음극 기판의 거칠기는,높이 및 너비가 0
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