| 1 |
1
실리콘 기판(1)위에 산화막(2)을 증착하는 단계와; 반도체 노광공정을 이용한 포토레지스트 미세패턴으로 산화막(2) 패턴을 증착하는 단계와; 산화막(2)을 샤도우 마스크로 하여 실리콘 기판(1)을 목(neck) 모양으로 식각하여 실리콘 넥(Silicon neck)(3)을 형성하는 단계와; 산소분위기에서 산화공정을 수행하여 실리콘 기판(1) 표면과 실리콘 넥에 실리콘 열산화막(4)을 형성하는 단계와; 실리콘 기판(1)에 형성된 열산화막(4) 위에 산화막(2)을 샤도우 마스크로 하여 셀프얼라인드(Self-aligned) 방식으로 게이트 절연막(5)과 게이트(6)을 증착하는 단계와; HF로 실리콘 기판(1) 표면과 실리콘 넥(neck)에 형성된 실리콘 열산화막(4)을 에칭하고 리프트-오프(lift-off) 방법에 의해 산화막(2)과 산화막(2) 위에 형성된 게이트 절연막(5) 및 게이트(6)를 제거하는 단계와; 실리콘 팁 영역, 게이트(6) 상부 및 실리콘 넥과 게이트 절연막(5)의 경계부분에 금속막(7)을 증착하는 단계와 ; 실리콘 팁 영역에 증착된 금속막(7)은 열처리에 의해 실리콘과 반응하여 금속실리사이드(8)를 형성하는 단계와; 금속실리사이드(8)를 형성하지 않은 금속을 제거하는 단계로 이루어짐을 특징으로 하는 투명전극을 게이트로 사용하여 금속 실리사이드가 코팅된 실리콘 팁 어레이 제조방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 금속막(7) 증착시 사용하는 금속은 코발트(Co), 몰리브덴 (Mo), 니켈(Ni), 타이타늄(Ti), 탄탈늄(Ta) 또는 크롬(Cr) 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명전극을 게이트로 사용하여 금속 실리사이드가 코팅된 실리콘 팁 어레이 제조방법
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 샤도우 마스크 법에 의하여 실리콘 팁 제조시 게이트 물질을 TO(Tin oxide), ATO(Antimony doped Tin oxide), FTO(Fouorine doped Tin oxide), ITO(Indium Tin Oxide), FITO(Fluorinated Indium Tin oxide), FITO (Fouorine Indium Tin oxide) 또는 IZO(Indium doped Zinc oxide) 중에서 선택된 어느 하나의 투명 전극 내지 Pt 또는 Pd를 포함하는 귀금속류 물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 투명전극을 게이트로 사용하여 금속 실리사이드가 코팅된 실리콘 팁 어레이 제조방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 금속막(7)을 열처리로 반응시켜 실리콘 팁에 금속실리사이드(8)를 코팅시 코발트 금속으로 이루어진 금속막은 700∼800℃, 질소분위기에서 1∼10분 동안 열처리하거나, 몰리브덴 금속막은 800∼850℃, 질소분위기에서 1∼10동안 열처리하거나, 니켈(Ni) 금속막은 750~850, 질소분위기에서 1∼10분 동안 열처리하거나, 타이타늄(Ti) 금속막은 800∼850℃, 질소분위기에서 1∼10분 동안 열처리하거나, 또는 탄탈늄(Ta) 금속막은 800∼850℃, 질소분위기에서 1∼10분 동안 열처리하거나 또는 크롬(Cr) 금속막은 800∼850℃, 질소분위기에서 1∼10분 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 투명전극을 게이트로 사용하여 금속 실리사이드가 코팅된 실리콘 팁 어레이 제조방법
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 금속막(7)은 스퍼터링법, 전자빔증착법 또는 화학증착법의 진공 증착법으로 증착함을 특징으로 하는 투명전극을 게이트로 사용하여 금속 실리사이드가 코팅된 실리콘 팁 어레이 제조방법
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서, 삼극관(Triode) 실리콘 팁을 제조한 후, 금속을 전면에 증착하고 열처리하면 금속과 노출된 실리콘 팁 영역에서만 금속 실리사이드가 형성되고 게이트와 게이트 절연막에는 금속 실리사이드가 형성되지 않고 금속으로 잔존하게 되는 살리사이드(Salicide) 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 투명전극을 게이트로 사용하여 금속 실리사이드가 코팅된 실리콘 팁 어레이 제조방법
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서, 잔존하는 금속을 에칭시 실리콘 팁 영역에 형성된 금속 실리사이드는 손상되지 않고 게이트 절연막과 게이트에 있는 잔존하는 금속만을 제거하게 되는 것을 특징으로 하는 투명전극을 게이트로 사용하여 금속 실리사이드가 코팅된 실리콘 팁 어레이 제조방법
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서, 실리사이드 반응을 하지 않고 잔존한 금속 제거는 실리사이드를 형성하기 위하여 각각의 금속에 대하여 다음과 같이 산을 사용하는 것을 특징으로 하는 투명전극을 게이트로 사용하여 금속 실리사이드가 코팅된 실리콘 팁 어레이 제조방법 Co - HCl:H2O2=3:1 Mo - 카르복시산(CH3COOH):질산(HNO3):인산(H3PO4):황산(H2O)=5:1:85:5 40℃ Ni - 카르복시산(CH3COOH):질산(HNO3):인산(H3PO4):황산(H2SO4)=50:30:10:10 Ti - 황산(H2SO4):과수(H202)=1:1 Ta - 질산(HNO3):불산(HF):수(H2O)=4:4:10 Cr - 염산(HCl):수(H2O)=3:1
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서, 진공 증착법으로 금속을 증착 후 in-situ로 열처리하여 금속 실리사이드를 형성함을 특징으로 하는 투명전극을 게이트로 사용하여 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팀 어레이 제조방법
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서, 진공 증착법으로 금속을 증착 후 ex-situ로 열처리하여 금속 실리사이드를 형성함을 특징으로 하는 투명전극을 게이트로 사용하여 금속실리사이드가 코팅된 실리콘 팁 어레이 제조방법
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
삭제
|
