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마이크로-나노 복합체를 가지는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015118652
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판의 표면에너지의 조절 또는 표면 개질을 통해 친수성 또는 소수성 표면을 선택적으로 형성 가능한 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 보다 더 구체적으로 본 발명은 전기 전도가 가능한 기판; 상기 기판 상에 형성되는 패드층(pad layer); 상기 패드층의 일측면에 형성되고, 상기 패드층과 전기적으로 연결되는 마이크로-나노복합체 (Micro-Nano Complex)가 증착되는 층; 상기 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층 위에 형성되는 마이크로-나노 복합체; 및 상기 패드층, 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층 및 마이크로-나노 복합체를 커버하고, 소정의 표면 에너지를 갖는 고분자막 또는 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer);을 포함하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자 및 그 제조방법을 제공한다. 친수성, 소수성, 마이크로-나노 복합체, 표면개질, 전기화학적 증착
Int. CL H01L 31/0236 (2014.01) B82B 3/00 (2014.01) H01L 31/0232 (2014.01) B82B 1/00 (2014.01)
CPC B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01) B82B 1/008(2013.01)
출원번호/일자 1020090127852 (2009.12.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1132127-0000 (2012.03.26)
공개번호/일자 10-2011-0071317 (2011.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20120402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.21)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최양규 대한민국 대전광역시 유성구
2 옥타이 야리마가 일본 대전광역시 유성구
3 안재혁 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0788250-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.05.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.06.29 수리 (Accepted) 9-1-2011-0055845-56
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0478167-56
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0835028-02
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0935735-86
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-1032112-06
8 [지정기간연장] 기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0059215-87
9 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2012.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0013041-66
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.02.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0157139-81
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0157138-35
12 등록결정서
Decision to grant
2012.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0161246-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전기 전도가 가능한 기판;상기 기판 상에 형성되는 패드층(pad layer);상기 패드층의 일측면에 형성되고, 상기 패드층과 전기적으로 연결되는 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층;상기 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층 위에 형성되는 마이크로-나노 복합체(Micro-Nano Complex); 및상기 패드층, 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층 및 마이크로-나노 복합체를 커버하고, 소정의 표면에너지를 갖는 고분자막 또는 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer);을 포함하며,상기 패드층, 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층 및 마이크로-나노 복합체를 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘(Silicon), 유리(Glass), 석영(Quartz), 세라믹(Celamic), 폴리머(Polymer) 또는 수지 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 패드층은 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al),인-주석 산화물(Indium-Tin Oxide; ITO) 또는 산화 아연(Zinc Oxide; ZnO) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층은 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 인-주석 산화물(Indium-Tin Oxide; ITO) 또는 산화 아연(Zinc Oxide; ZnO) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자
5 5
제 1항에 있어서, 상기 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층의 한 변의 길이는 적어도 100nm 이상인 것을 특징으로 하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자
6 6
제 1항에 있어서, 상기 마이크로-나노 복합체(Micro-Nano Complex)는 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 팔라듐(Pd), 안티몬(Sb), 구리(Cu), BiSbTe, CdSe, FeNi, PbTe, BiSbTe 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자
7 7
제 1항에 있어서, 상기 고분자막 또는 자기조립 단분자막(Self Assembled monolayer)은, 테플론(Teflon),FOTS(CF3(CF2)5(CH2)2SiCl3), FOTES(CF3(CF2)5(CH2)2Si(OC2H5)3), FOMDS(CF3(CF2)5(CH2)2Si(CH3)Cl2),FOMMS(CF3(CF2)5(CH2)2Si(CH3)2Cl),FDTS(CF3(CF2)7(CH2)2SiCl3), OTS(CH3(CH2)17(CH2)2SiCl3) 중에서 선택된 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자
8 8
제 1항에 있어서, 상기 패드층 및 상기 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층은 상기 기판 위에 적어도 2쌍 이상 배열되어 형성되는 것을 특징으로 하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자
9 9
친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자의 제조방법에 있어서, 기판상에 패드층을 형성하는 단계;상기 패드층 일측면에 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층을 기판상에 형성하는 단계;상기 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층위에 마이크로-나노 복합체를 형성하는 단계; 및 상기 패드층, 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층 및 마이크로-나노 복합체를 커버하고, 소정의 표면 에너지를 갖는 고분자막 또는 자기조립 단분자막(Self Assembled monolayer)을 기판상에 형성하는 단계;를 포함하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서, 상기 마이크로-나노 복합체의 형성단계에서,상기 마이크로-나노 복합체는 전기화학적 증착방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자의 제조방법
11 11
제 9항에 있어서, 상기 마이크로-나노 복합체의 형성단계에서,상기 마이크로-나노 복합체는 전기화학적 증착의 용액, 증착 시간 또는 인가전압에 의해 표면 에너지가 조절되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자의 제조방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 전기화학적 증착의 용액은 HAuCl4
13 13
제 11항에 있어서, 상기 인가전압은 0
14 14
제 9항에 있어서, 상기 마이크로-나노 복합체의 형성단계에서,상기 마이크로-나노 복합체는 전기화학적 증착의 증착 시간에 의해 광흡수도가 조절되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자의 제조방법
15 15
제 9항에 있어서, 상기 패드층의 형성단계와 상기 마이크로-나노 복합체의 형성단계에서,상기 패드층 및 상기 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층은, 상기 기판 위에 적어도 2쌍 이상 배열하여 형성하고, 각각의 패드층과 마이크로-나노 복합체가 증착되는 층의 쌍마다 개별적으로 전압을 조절하여 마이크로-나노 복합체의 표면 에너지가 조절되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자의 제조방법
16 16
제 9항에 있어서, 상기 고분자막 또는 자기조립 단분자막(Self Assembled monolayer)의 형성단계에서,건조 식각(Dry etch) 또는 습식 식각(Wet etch)에 의해 상기 고분자막 또는 자기조립 단분자막의 소정의 영역만을 선택적으로 식각하여 소수성을 조절하는 것을 특징으로 하는 친수성과 소수성의 조절이 가능한 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.