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시클로헥실 또는 페닐이 치환된 실릴기를 측쇄로 구비하는폴리(ｐ-페닐렌비닐렌)유도체, 이를 포함한 전기발광소자및 동 유도체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015119107
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 각종 전기발광소자에 적용이 가능한 발광 고분자에 관한 것으로 보다 상세하게는 시클로헥실 또는 페닐이 치환된 실릴기를 측쇄로 구비하는 폴리(p-페닐렌비닐렌)의 신규 유도체(Ⅰ)를 개시한다.상기에서 R은 시클로헥실 또는 페닐이 치환된 실릴기이고, m은 1∼4의 정수이다.상기 본 발명의 발광 고분자는 우수한 열적성질과 발광효율을 발휘하며, 실릴치환체의 전자특성으로 인해 녹색의 발광파장영역에서 발광하므로 전기발광소자의 원료로서 매우 우수하다.
Int. CL C09K 11/06 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020010044307 (2001.07.23)
출원인 일진디스플레이(주), 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0441282-0000 (2004.07.12)
공개번호/일자 10-2003-0009729 (2003.02.05) 문서열기
공고번호/일자 (20040722) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.07.23)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 일진디스플레이(주) 대한민국 충청북도 음성군
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심홍구 대한민국 대전광역시유성구
2 안택 대한민국 대전광역시유성구
3 고승원 대한민국 대전광역시유성구
4 이재민 대한민국 대전광역시유성구
5 김종철 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 일진다이아몬드(주) 대한민국 충북 음성군
2 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2001-0181664-67
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2003-5001031-66
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.05.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2003-0026181-03
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0369817-25
6 의견서
Written Opinion		 2003.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2003-0446273-81
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2003.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0446272-35
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
10 등록결정서
Decision to grant		 2004.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0142889-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2005-0002674-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.01.27 수리 (Accepted) 4-1-2005-0003530-14
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2008-5140406-38
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100752-91
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

하기의 일반식 Ⅰ으로 표시되는 발광고분자

2 2

제 1항에 있어서, 상기 실릴기는 C1 내지 C20의 선형 또는 분지형 알킬기를 함유함을 특징으로 하는 발광고분자

3 3

하기의 일반식 Ⅱ로 표시되는 화합물을 단량체로 중합시켜 제조되는 일반식 Ⅰ의 발광고분자의 제조방법

4 4

제 3항에 있어서, 중합은 할로겐 전구체 경로 또는 Gilch 중합경로에 의함을 특징으로 하는 발광고분자의 제조방법

5 5

제 3항에 있어서, 상기 A는 브롬인 것을 특징으로 하는 발광고분자의 제조방법

6 6

제 1항의 발광 고분자로 형성되는 고분자 발광층을 포함하는 전기발광소자

7 7

제 6항에 있어서, 기판 상부에 반투명전극, 상기 고분자 발광층, 금속전극이 순차형성된 전기발광소자

8 8

제 6항에 있어서, 기판 상부에 반투명전극, 정공주입층, 상기 고분자 발광층, 전자주입층 및 금속전극이 순차형성된 전기발광소자

9 9

제 8항에 있어서, 상기 정공주입층은 폴리(스티렌술폰산)이 도핑된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티펜)인 전기발광소자

10 10

제 8항에 있어서, 상기 전자주입층은 알카리 금속화합물로 형성됨을 특징으로 하는 전기발광소자

11 11

제 6항 내지 제 10항중 어느 한 항에 있어서, 고분자 발광층은 하기의 일반식 Ⅰ으로 표시되는 발광고분자와 전자수송 고분자 또는 정공수송 고분자를 브랜딩하여 형성되는 전기발광소자

12

제 11항에 있어서, 상기 정공 수송고분자는 폴리(9-비닐카바졸)인 전기발광소자

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03968346 JP 일본 FAMILY
2 JP16538350 JP 일본 FAMILY
3 US20050100737 US 미국 FAMILY
4 WO2003010217 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2004538350 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2004538350 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2004538350 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP3968346 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2005100737 US 미국 DOCDBFAMILY
6 WO03010217 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
7 WO03010217 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.