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평판 진동형 히트파이프 및 이의 제작방법

  • 기술번호 : KST2015119240
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요약 본 발명은 휴대전화, 노트북 등과 같은 소형 전자기기에서 전력을 사용하지 않고 고효율의 열전달시스템을 제공할 수 있는 평판 진동형 히트파이프(Flat plate PHP)에 관한 발명이다. 평판 진동형 히트파이프는 MEMS 기술을 이용하여 제작되며, 평판 진동형 히트파이프는 단일-턴 구간(single turn loop) 혹은 복수-턴 구간(multi-turn loop), 단일직경관(single diameter channel) 혹은 이중직경관(dual-diameter channels)의 형상으로 제작된다. 또한, 평판 진동형 히트파이프에서 사용되는 작동유체는 주 작동온도에 따라 다른 특성을 보이므로 주 작동온도에서 최적의 효율을 가지는 작동유체를 포함하는 평판 진동형 히트파이프를 구비한다. 상기 목적을 이루기 위한 본 발명의 평판 진동형 히트파이프는 긴 직사각형 형상의 실리콘 웨이퍼 하판; 상기 실리콘 웨이퍼 하판의 위에 본딩(bonding)하여 결합되는 웨이퍼 상판; 상기 실리콘 웨이퍼 하판을 식각하여 제작하고 굽어진 형상의 폐루프(closed loop)를 이루는 모세관; 상기 모세관 내부에 충진되는 작동유(working fluid); 상기 실리콘 웨이퍼 하판의 측면에 설치되고, 상기 모세관과 연통되어 상기 작동유를 모세관에 주입배출할 때 사용되는 두 개의 관통구를 포함하는 것이 특징이다.
Int. CL F25B 41/06 (2006.01) G06K 1/20 (2006.01) F28D 15/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020140138168 (2014.10.14)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1508126-0000 (2015.03.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.10.14)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성진 대한민국 대전광역시 유성구
2 권기환 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안재열 대한민국 대전광역시 서구 둔산서로 **(둔산동) *층(새늘국제특허법률사무소)
2 강형석 대한민국 충청남도 천안시 서북구 불당**길 **, *층 ***호(불당동,M-타워)(참좋은특허법률사무소)
3 이병진 대한민국 세종특별자치시 한누리대로 **** 엔젤타워 ***호(참좋은특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0976395-64
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0976075-69
3 보정요구서
Request for Amendment
2014.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0182319-41
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-1056092-35
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.12.24 수리 (Accepted) 9-1-2014-0100862-82
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0017449-30
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0055969-04
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0055955-65
13 등록결정서
Decision to grant
2015.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0204979-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
긴 직사각형 형상의 실리콘 웨이퍼 하판; 상기 실리콘 웨이퍼 하판의 상면에 형성되고, 상기 실리콘 웨이퍼 하판의 양 끝단에서 굽어진 형상의 폐루프(closed loop)를 이루는 모세관; 상기 실리콘 웨이퍼 하판의 위에 결합되어 모세관을 밀폐시키는 웨이퍼 상판; 상기 모세관 내부에 충진되는 작동유체;상기 모세관의 일부로서 실리콘 웨이퍼 하판의 길이방향 일단에 위치하며 외부의 열원에 배치되는 증발부;상기 모세관의 일부로서 실리콘 웨이퍼 하판의 길이방향 타단에 위치하며 외부의 열에 의하여 가열된 상기 작동유가 외부로 열을 발산하는 응축부;를 포함하되,상기 모세관은 상기 응축부에서 상기 증발부로 가는 모세관의 직경보다 상기 증발부에서 상기 응축부로 가는 모세관의 직경이 더 크고, 상기 평판 진동형 히트파이프의 성능은 다음과 같은 성능지수(MPHP)로 표현되는 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프
2 2
제 1항에 있어서,상기 모세관은 단일-턴 구간(single turn loop)의 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프
3 3
제 1항에 있어서,상기 모세관은 복수-턴 구간(multi-turn loop)의 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서,상기 모세관의 직경은 다음과 같은 수학식으로 표현되는 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프
6 6
제 5항에 있어서,상기 모세관의 직경은 다음과 같은 수학식을 충족시키는 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프
7 7
제 1항에 있어서,상기 작동유체는 상기 증발부의 주 작동온도가 섭씨 100도 이하인 경우에는 FC-72를 사용하고, 100도 초과일 때에는 에탄올을 사용하는 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프
8 8
삭제
9 9
제 1항에 있어서,상기 성능지수(MPHP)가 1012 이상의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프
10 10
제 1항에 있어서,상기 평판 진동형 히트파이프의 두께가 2mm 이하인 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프
11 11
제 1항에 있어서,상기 실리콘 웨이퍼 하판의 양 측면에 설치되고, 상기 모세관과 연통되어 상기 작동유체를 모세관에 주입 혹은 배출할 때만 사용되는 두 개의 관통구를 추가로 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프
12 12
MEMS 공정을 이용하여 평판 진동형 히트파이프를 제작하는 방법에 있어서,(a) 긴 직사각형 형상의 실리콘 웨이퍼의 상부에 포토레지스트(photoresist)를 증착(deposition)하는 단계;(b) 상기 실리콘 웨이퍼의 양 끝단에서 굽어진 형상의 폐루프(closed loop)를 이루는 모세관의 형상으로 포토레지스트를 제거하여 패터닝(patterning)하되, 상기 실리콘 웨이퍼를 종방향 단면으로 볼 때 폭이 넓은 것과 폭이 좁은 것이 번갈아 형성되도록 모세관을 패터닝하는 단계;(c) 식각(etching)하여 상기 실리콘 웨이퍼 하판의 상부에 모세관을 형성하는 단계;(d) 상기 실리콘 웨이퍼에 남아 있는 포토레지스트를 제거하는 단계;(e) 상기 실리콘 웨이퍼의 상부에 웨이퍼 상판을 본딩(bonding) 결합하는 단계;를 포함하되,상기 평판 진동형 히트파이프의 성능은 다음과 같은 성능지수(MPHP)로 표현되는 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프 제작방법
13 13
제 12항에 있어서,상기 (b) 단계에서 패터닝 되는 모세관은 단일-턴 구간(single turn loop)의 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프 제작방법
14 14
제 12항에 있어서,상기 (b) 단계에서 패터닝 되는 모세관은 복수-턴 구간(multi-turn loop)의 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프 제작방법
15 15
제 12항에 있어서,상기 성능지수(MPHP)가 1012 이상의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프 제작방법
16 16
제 12항에 있어서,상기 모세관의 직경은 다음과 같은 수학식으로 표현되는 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프 제작방법
17 17
제 16항에 있어서,상기 모세관의 직경은 다음과 같은 수학식을 충족시키는 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프 제작방법
18 18
제 12항에 있어서,상기 (b) 단계에서, 실리콘 웨이퍼의 양 측면에 연결되고, 상기 모세관과 연통되는 두 개의 관통구가 추가로 더 형성되도록 패터닝 하는 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프 제작방법
19 19
제 12항에 있어서,상기 (e) 단계의 웨이퍼 상판의 재질은 파이렉스 글라스(Pyrex glass)이고, 본딩 결합 방식은 양극접합(Anodic bonding)인 것을 특징으로 하는 평판 진동형 히트파이프 제작방법
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1 KR101553547 KR 대한민국 FAMILY
2 US10264707 US 미국 FAMILY
3 US20170245393 US 미국 FAMILY
4 WO2016060350 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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