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금속 플레이트;상기 금속 플레이트 상부에 배치되며, 상호 이격된 복수의 도전성 나노 패턴들; 및상기 금속 플레이트 및 상기 도전성 나노 패턴들 사이에 개재되며, 유전 물질로 이루어진 적어도 하나의 유전체 박막을 포함하는 태양 복사에너지 흡수체
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제1항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들은 복수의 유전체 박막 상에 각각 적층된 것을 특징으로 하는 태양 복사에너지 흡수체
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제1항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들은 상기 금속 플레이트로부터 제1 거리로 이격된 제1 도전성 나노 패턴; 및상기 금속 플레이트로부터 상기 제1 거리보다 큰 제2 거리로 이격된 제2 도전성 나노 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 복사에너지 흡수체
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제1항에 있어서, 태양광이 인가될 경우, 상기 도전성 나노 패턴들 및 상기 금속 플레이트는 용량성 결합 및 유도성 결합을 이루는 것을 특징으로 하는 태양 복사에너지 흡수체
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제4항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들 각각은 길이, 면적 또는 형상을 조절함으로써 상기 용량성 결합 및 상기 유도성 결합에 따른 공진 주파수를 변경시키는 것을 특징으로 하는 태양 복사에너지 흡수체
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제1항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들은 서로 다른 유전체 박막들 상에 배치되며, 상호 평행하게 연장된 바(bar) 형상, 상호 교차하도록 연장된 크로스바(cross bar) 형상, 상호 교차하도록 C자 형상 또는 상호 교차하도록 S자 형상을 각각 갖는 것을 특징으로 하는 태양 복사에너지 흡수체
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금속 플레이트를 준비하는 단계;상기 금속 플레이트 상부에 상호 이격된 복수의 도전성 나노 패턴들을 형성하는 단계; 및상기 금속 플레이트 및 상기 도전성 나노 패턴들 사이에, 유전 물질로 이루어진 적어도 하나의 유전체 박막을 형성하는 단계를 포함하는 태양 복사에너지 흡수체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들을 형성하는 단계는, 상기 도전성 나노 패턴들은 상기 금속 플레이트로부터 제1 거리로 이격된 제1 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계; 및상기 금속 플레이트로부터 상기 제1 거리보다 큰 제2 거리로 이격된 제2 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 복사에너지 흡수체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들 및 상기 유전체 박막을 형성하는 단계는 증착 공정 및 리프트 공정을 순차적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 태양 복사에너지 흡수체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들 및 상기 유전체 박막을 형성하는 단계는,상기 금속 플레이트 상에 제1 유전체 박막을 형성하는 단계;제1 도전성 나노 패턴을 형성하기 위한 제1 형성 영역을 제외한 상기 제1 유전체 박막 상에 제1 폴리머 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 형성 영역에 해당하는 상기 제1 유전체 박막 및 상기 제1 폴리머 패턴 상에 제1 예비 도전성 나노 박막을 형성하는 단계;상기 제1 폴리머 패턴을 리프트 오프시켜 상기 제1 형성 영역에 제1 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 형성 영역을 제외한 상기 제1 유전체 박막 상에 제2 유전체 박막을 형성하는 단계;제2 도전성 나노 패턴을 형성하기 위한 제2 형성 영역을 제외한 상기 제2 유전체 박막 상에 제2 폴리머 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 형성 영역에 해당하는 상기 제2 유전체 박막 및 상기 제2 폴리머 패턴 상에 제2 예비 도전성 나노 박막을 형성하는 단계;상기 제2 폴리머 패턴을 리프트 오프시켜 상기 제2 형성 영역에 제2 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제2 형성 영역을 제외한 상기 제2 유전체 박막 상에 제3 유전체 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 복사에너지 흡수체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들 및 상기 유전체 박막을 형성하는 단계는, 제1 오목부를 갖는 제1 몰드를 이용하여 상기 제1 오목부 내에 제1 예비 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 예비 도전성 나노 패턴을 제1 유전체 박막 상 및 제1 형성 영역 내에 임프린팅하는 단계;상기 제1 몰드를 상기 제1 유전체 박막으로부터 제거하여 상기 제1 유전체 박막 상 및 상기 제1 형성 영역 내에 제1 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 유전체 박막 상 및 상기 제1 형성 영역을 제외한 나머지 영역 내에 제2 유전체 박막을 형성하는 단계;제2 오목부를 갖는 제2 몰드를 이용하여 상기 제2 오목부 내에 제2 예비 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 예비 도전성 나노 패턴을 상기 제2 유전체 박막 상 및 제2 형성 영역에 임프린팅하는 단계;상기 제2 몰드를 상기 제2 유전체 박막으로부터 제거하여 상기 제2 유전체 박막 상 및 상기 제2 형성 영역 내에 제2 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제2 유전체 박막 상 및 상기 제2 형성 영역을 제외한 나머지 영역 내에 제3 유전체 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 복사에너지 흡수체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들 및 상기 유전체 박막을 형성하는 단계는,상기 금속 플레이트 상에 제1 유전체 박막을 형성하는 단계;제1 도전성 나노 패턴의 형성 영역인 제1 형성 영역에 형성된 오목부를 갖는 제1 몰드를 이용하여 상기 오목부에 도전성 나노 입자를 포함하는 제1 예비 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 예비 도전성 나노 패턴을 상기 제1 유전체 박막에 임프린팅하여 상기 제1 유전체 박막 상에 상기 제1 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 도전성 나노 패턴을 제외한 상기 제1 유전체 박막 상에 제2 유전체 박막을 형성하는 단계;제2 도전성 나노 패턴의 형성 영역인 제2 형성 영역에 형성된 오목부를 갖는 제2 몰드를 이용하여 상기 오목부에 도전성 나노 입자를 포함하는 제2 예비 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 예비 도전성 나노 패턴을 상기 제2 유전체 박막에 임프린팅하여 상기 제2 유전체 박막 상에 상기 제2 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제2 형성 영역을 제외한 상기 제2 유전체 박막 상에 제3 유전체 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 복사에너지 흡수체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들은 복수의 전사 공정들을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 복사에너지 흡수체의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들 및 상기 유전체 박막을 형성하는 단계는,상기 금속 플레이트 상에 제1 유전체 박막을 형성하는 단계;제1 도전성 나노 패턴의 형성 영역인 제1 형성 영역에 형성된 돌출부를 갖는 제1 스탬프를 이용하여 상기 돌출부에 도전성 나노 입자를 포함하는 제1 예비 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 예비 도전성 나노 패턴을 상기 제1 유전체 박막에 전사하여 상기 제1 유전체 박막 상에 상기 제1 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 도전성 나노 패턴을 제외한 상기 제1 유전체 박막 상에 제2 유전체 박막을 형성하는 단계;제2 도전성 나노 패턴의 형성 영역인 제2 형성 영역에 형성된 돌출부를 갖는 제2 스탬프를 이용하여 상기 돌출부에 도전성 나노 입자를 포함하는 제2 예비 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 예비 도전성 나노 패턴을 상기 제2 유전체 박막에 전사하여 상기 제2 유전체 박막 상에 상기 제2 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제2 형성 영역을 제외한 상기 제2 유전체 박막 상에 제3 유전체 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 복사에너지 흡수체의 제조 방법
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