| 1 |
1
재결정화율을 측정하는 방법으로서, (a) 재결정 여부의 판단 기준인 결정립내방위퍼짐(intragranular orientation spread)의 임계값을 구하는 단계와,(b) 전자후방산란회절(electron backscatter diffraction, EBSD) 맵에서 결정립으로 인식되는 최소유효결정립 크기(effective minimun diameter, EMD)를 구하는 단계와, (c) 상기 전자후방산란회절 맵에서 최소유효결정립 크기 이상인 결정립들의 결정립내방위퍼짐 값을 구하는 단계와,(d) 측정된 결정립들의 결정립내방위퍼짐 값과 결정립내방위퍼짐의 임계값을 비교하여 결정립들의 재결정화 여부를 판단하여, 재결정화율을 측정하는 단계를 포함하는 재결정율 측정 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 (a) 단계는 GOS(grain orientation spread) 임계 값을 측정하는 단계인 재결정율 측정 방법
|
| 3 |
3
풀림 시간 별 재결정화율을 측정하는 방법으로서,(a) 재결정 여부의 판단 기준인 결정립내방위퍼짐(intragranular orientation spread)의 임계값(A)을 구하는 단계와,(b) 풀림 시간에 따른 결정립내방위퍼짐(intragranular orientation spread)의 임계값의 가중치(W)를 구하는 단계와,(c) 결정립내방위퍼짐(intragranular orientation spread)의 임계값(A)에 가중치(W)를 곱하여 풀림 시간에 따른 결정립내방위퍼짐(intragranular orientation spread)의 임계값(A(t))을 구하는 단계와,(d) 전자후방산란회절(electron backscatter diffraction, EBSD) 맵에서 결정립으로 인식되는 최소유효결정립 크기(effective minimun diameter, EMD)를 구하는 단계와, (e) 재결정화율 측정 대상인 시편의 풀림 시간 별 전자후방산란회절 맵들을 획득하는 단계와,(f) 상기 전자후방산란회절 맵들에서 최소유효결정립 크기 이상인 결정립들의 결정립내방위퍼짐 값을 구하는 단계와,(g) 단계별로 측정된 결정립들의 결정립내방위퍼짐 값과 풀림 시간에 따른 결정립내방위퍼짐의 임계값(A(t))을 비교하여 결정립들의 재결정화 여부를 판단하여, 재결정화율을 측정하는 단계를 포함하는 재결정율 측정 방법
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 (a) 단계는 GOS(grain orientation spread) 임계 값을 측정하는 단계인 재결정율 측정 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 (c) 단계에서 재결정 단계별 가중치(W)는 아래의 수학식에 의해서 계산되는 재결정율 측정 방법
|
